本实用新型专利技术公开了一种感应门控制器电容充电保护电路，包括MCU单片机，单片机的MCU.CAP功能引脚串联电阻后与第2三极管基极电连接，第2三极管集电极串联电阻后与PNP三极管基极电连接，PNP三极管集电极依次串联二极管和限流电阻后与储能电容器电压正端电连接，PNP三极管发射极与24V电源正极端电连接，储能电容器电压正端与继电器常开触点电一端连接，继电器常开触点两端连接在电源正极端与储能电容器电压正端之间，继电器控制线圈设于第1三极管集电极上，第1三极管基极串联第1电阻后与MCU.RLY功能引脚连接。更好有效保证限制控制器上电瞬间的瞬间充电电流，更好保护控制器储能电容。
Capacitor charging protection circuit of induction gate controller
【技术实现步骤摘要】
感应门控制器电容充电保护电路
本技术涉及一种无刷电机控制器，尤其是涉及一种使用于感应门控制器中的无刷电机控制器电容保护电路。
技术介绍
在感应门控制器中通常使用无刷电机控制器进行控制感应门的开关闭，然而现有使用于感应门控制的无刷电机控制器存在着控制器控制无刷电机开关感应门的瞬间电流较大，并且由于感应门控制器所使用的大功率无刷控制器的储能电容本身容值很大，在控制器上电瞬间，电源端和电容的正端间瞬间压差很大，直接充电会产生瞬间大电流，容易烧坏驱动器和储能电容，最终导致控制器的损坏，无法正常控制感应门的工作。
技术实现思路
本技术为解决现有感应门控制的无刷电机控制器存在着控制器控制无刷电机开关感应门的瞬间电流较大，容易损坏控制器的储能电容，最终导致控制器的损坏，无法正常控制感应门的工作等现状而提供的一种可更好有效保证限制控制器上电瞬间的瞬间充电电流，更好保护控制器储能电容的控制器电容保护电路。本技术为解决上述技术问题所采用的具体技术方案为：一种感应门控制器电容充电保护电路，包括MCU单片机，其特征在于：单片机的MCU.CAP功能引脚串联第3电阻后与第二NPN三极管基极电连接，第二NPN三极管集电极串联第4电阻后与PNP三极管基极电连接，PNP三极管集电极依次串联第1二极管和第6电阻后与储能电容器电压正端电连接，第1二极管阴极与第6电阻电连接，PNP三极管发射极与24V电源正极端电连接，储能电容器电压正端与继电器常开触点电一端连接，继电器常开触点另一端与电源正极端电连接，继电器控制线圈一端与第一NPN三极管集电极电连接，第一NPN三极管发射极与电源地电连接，第一NPN三极管基极串联第1电阻后与MCU.RLY功能引脚连接，继电器控制线圈另一端串联第2电阻后与+12V电源电连接。MCU单片机的MCU.CAP脚控制第二NPN三极管的开通和关断，用于控制PNP三极管的开通和关断，给储能电容充电，24V电源正极瞬间对储能电容充电，由于第6电阻的存在，会对电流限流，充电瞬间后，单片机的MCU.RLY管脚输出高电平，打开第一NPN三极管，继电器常开触点吸合，对储能电容器电压正端充电，两者压差小，可更好有效保证限制控制器上电瞬间的瞬间充电电流，更好保护控制器储能电容。作为优选，所述的单片机采用芯片型号为STM32F030C8的单片机。提高充电线流控制简单便捷有效性。作为优选，所述的储能电容器电压正端采用多个并联的储能电解电容，储能电解电容正极为储能电容器电压正端。更进一步的，所述的多个并联的储能电解电容包括第1电解电容、第2电解电容、第3电解电容、第4电解电容、第5电解电容和第6电解电容。提高储能电容器电压正端的电压稳定可靠性。作为优选，所述的第6电阻采用1/2W的100Ω电阻。提高对储能电容的限流工作稳定可靠性。作为优选，所述的第2电阻采用1/2W的330Ω电阻。提高继电器线圈控制工作稳定可靠性。本技术的有益效果是：MCU单片机的MCU.CAP脚控制第二NPN三极管的开通和关断，用于控制PNP三极管的开通和关断，给储能电容充电，24V电源正极瞬间对储能电容充电，由于第6电阻的存在，会对电流限流，充电瞬间后，单片机的MCU.RLY管脚输出高电平，打开第一NPN三极管，继电器常开触点吸合，对储能电容器电压正端充电，两者压差小，可更好有效保证限制控制器上电瞬间的瞬间充电电流，更好保护控制器储能电容。附图说明：下面结合附图和具体实施方式对本技术做进一步的详细说明。图1是本技术感应门控制器电容充电保护电的电路结构示意图。具体实施方式图1所示的实施例中，一种感应门控制器电容充电保护电路，包括MCU单片机，单片机的MCU.CAP功能引脚串联第3电阻R3后与第二NPN三极管Q2基极电连接，第二NPN三极管Q2集电极串联第4电阻R4后与PNP三极管Q3基极电连接，PNP三极管集电极依次串联第1二极管D1和第6电阻R6后与储能电容器电压正端VCAP电连接，第1二极管阴极与第6电阻电连接，PNP三极管发射极与24V电源正极端V+电连接，NPN三极管发射极与基极直接并联第5电阻R5，储能电容器电压正端VCAP与继电器K1常开触点电一端87连接，继电器常开触点电另一端30与电源正极端V+电连接，继电器控制线圈一端86与第一NPN三极管集电极电连接，第一NPN三极管发射极与电源地电连接，第一NPN三极管基极串联第1电阻后与MCU.RLY功能引脚连接，继电器控制线圈另一端85串联第2电阻R2后与+12V电源电连接。单片机采用芯片型号为STM32F030C8的单片机。储能电容器电压正端采用多个并联的储能电解电容，并联获得所需储能电容器能量，储能电解电容正极为储能电容器电压正端。多个并联的储能电解电容包括第1电解电容E1、第2电解电容E2、第3电解电容E3、第4电解电容E4、第5电解电容E5和第6电解电容E6。第6电阻采用1/2W的100Ω电阻。第2电阻采用1/2W的330Ω电阻。NPN三极管和PNP三极管可采用常规NPN三极管和PNP三极管。继电器的功率参数满足对充电储能电容器充电所需功率。图1所示本技术工作原理：MCU单片机的MCU.CAP脚输出高电平控制第二NPN三极管的开通和关断，用于控制PNP三极管的开通和关断，给储能电容充电，其中V+是控制器的电源输入端，电压为24V，R6是限流电阻，VCAP是多个并联储能电容（E1～E6）的正端；当控制器瞬间工作时，储能电容器电压正端电压为零，PNP三极管Q3打开，24V电源正极瞬间对储能电容充电，由于第6电阻的存在，会对电流限流，从而使储能电容器电压正端VCAP的电压慢慢升到接近控制器的电源输入端V+；充电1秒瞬间后，单片机的MCU.RLY管脚输出高电平，打开第一NPN三极管，继电器常开触点吸合，电源输入端V+对储能电容器电压正端充电，由于此时两者两端压差很小，从而达到更好保护储能电容器和控制器的目的；继电器K吸合后，MCU.CAP脚输出低电平，关断NPN三极管Q3，以降低控制器的静态功耗。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种感应门控制器电容充电保护电路，包括MCU单片机，其特征在于：单片机的MCU.CAP功能引脚串联第3电阻后与第二NPN三极管基极电连接，第二NPN三极管集电极串联第4电阻后与PNP三极管基极电连接，PNP三极管集电极依次串联第1二极管和第6电阻后与储能电容器电压正端电连接，第1二极管阴极与第6电阻电连接，PNP三极管发射极与24V电源正极端电连接，储能电容器电压正端与继电器常开触点电一端连接，继电器常开触点另一端与电源正极端电连接，继电器控制线圈一端与第一NPN三极管集电极电连接，第一NPN三极管发射极与电源地电连接，第一NPN三极管基极串联第1电阻后与MCU.RLY功能引脚连接，继电器控制线圈另一端串联第2电阻后与+12V电源电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种感应门控制器电容充电保护电路，包括MCU单片机，其特征在于：单片机的MCU.CAP功能引脚串联第3电阻后与第二NPN三极管基极电连接，第二NPN三极管集电极串联第4电阻后与PNP三极管基极电连接，PNP三极管集电极依次串联第1二极管和第6电阻后与储能电容器电压正端电连接，第1二极管阴极与第6电阻电连接，PNP三极管发射极与24V电源正极端电连接，储能电容器电压正端与继电器常开触点电一端连接，继电器常开触点另一端与电源正极端电连接，继电器控制线圈一端与第一NPN三极管集电极电连接，第一NPN三极管发射极与电源地电连接，第一NPN三极管基极串联第1电阻后与MCU.RLY功能引脚连接，继电器控制线圈另一端串联第2电阻后与+12V电源电连接。
2.按照权利要求1所述的感应门控制器电容充电保护电...
【专利技术属性】
技术研发人员：金冠军，
申请(专利权)人：浙江联宜电机有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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