静电保护装置制造方法及图纸

技术编号:24328911 阅读:27 留言:0更新日期:2020-05-29 18:57
本实用新型专利技术实施例提供了一种静电保护装置,包括:非连接引脚,位于封装体上;虚拟焊盘,位于裸片上,所述裸片位于所述封装体中,所述虚拟焊盘与所述非连接引脚电连接;电源焊盘和接地焊盘,所述虚拟焊盘通过静电泄放电路与所述电源焊盘和所述接地焊盘发生电耦合;所述虚拟焊盘位于所述裸片的第一阱上方,所述电源焊盘位于所述裸片的第二阱上方,所述接地焊盘位于所述裸片的衬底上方,所述第一阱位于所述衬底中,所述第二阱位于所述第一阱中。本实用新型专利技术的技术方案可以提高芯片的静电保护能力。

【技术实现步骤摘要】
静电保护装置
本技术涉及半导体
,具体而言,涉及一种静电保护装置。
技术介绍
随着现代半导体的制程越来越先进,半导体器件越来越小,结深度越来越浅,氧化层越来越薄,半导体集成电路的可靠性面临的挑战越来越大,尤其是静电保护变得愈发重要。常规的集成电路产品通常具备静电保护的设计,通常所有焊盘都有对应的静电保护装置,其保护电路如图1所示,这些保护电路能保证所有焊盘在遇到ESD(electrostaticdischarge,静电放电)时,能快速泄放静电,从而保护集成电路产品不受静电放电损害。对采用BGA(BallGridArray,球珊阵列)结构封装的DRAM(DynamicRandom-AccessMemory,即动态随机存储器)等产品来讲,通常存在非连接引脚NCPin。如图2所示,白色圈为普通引脚101,黑色圈为非连接引脚NCPin102。由于这些非连接引脚NCPin(NCPin)完全处于悬空状态,不具有静电泄放通道,所以当这些NCPin遭遇到ESD时,通常会造成DRAM产品的ESD问题,其HBM(HumanBodyModel,人体模型)ESDfailure(故障)的引脚分布如图3所示。其中,带有阴影的为故障引脚301。如何解决悬空状态的非连接引脚NCPin的静电泄放问题是当前亟需解决的技术问题。需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本技术的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本技术实施例的目的在于提供一种静电保护装置,进而至少在一定程度上提高芯片的静电保护能力。本技术的其它特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本技术的实践而习得。根据本技术实施例的第一方面,提供了一种静电保护装置,包括:非连接引脚,位于封装体上;虚拟焊盘,位于裸片上,所述裸片位于所述封装体中,所述虚拟焊盘与所述非连接引脚电连接;电源焊盘和接地焊盘,所述虚拟焊盘通过静电泄放电路与所述电源焊盘和所述接地焊盘发生电耦合;所述虚拟焊盘位于所述裸片的第一阱上方,所述电源焊盘位于所述裸片的第二阱上方,所述接地焊盘位于所述裸片的衬底上方,所述第一阱位于所述衬底中,所述第二阱位于所述第一阱中。在一些实施例中,所述第一阱为深N阱,所述第二阱为P阱,所述衬底为P型衬底。在一些实施例中,所述第一阱包含第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区,所述虚拟焊盘与所述第一N型重掺杂区和所述第一P型重掺杂区均电连接;所述第二阱包含第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区,所述电源焊盘与所述第二N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区均电连接;所述P型衬底包含第三P型重掺杂区,所述接地焊盘与所述第三P型重掺杂区电连接。在一些实施例中,所述第一P型重掺杂区、所述深N阱、所述P阱形成第一PNP晶体管;所述深N阱、所述P阱、所述第二N型重掺杂区形成第一NPN晶体管。在一些实施例中,所述第一N型重掺杂区至所述P阱之间形成第一电阻;所述第二P型重掺杂区至所述深N阱之间形成第二电阻。在一些实施例中,所述P阱与所述深N阱之间形成第一二极管。在一些实施例中,所述第一P型重掺杂区、所述深N阱、所述P型衬底形成第二PNP晶体管;所述P型衬底还包含第三N型重掺杂区,所述深N阱、所述P型衬底、所述第三N型重掺杂区形成第二NPN晶体管。在一些实施例中,所述第一N型重掺杂区至所述P型衬底之间形成第三电阻;所述第三P型重掺杂区至所述深N阱之间形成第四电阻。在一些实施例中,所述P型衬底与所述深N阱之间形成第二二极管。在一些实施例中,所述静电泄放电路包括第一电路、与所述第一电路并联的第一二极管、第二电路以及与所述第二电路并联的第二二极管;所述第一电路包括第一电阻、第二电阻、第一PNP晶体管和第一NPN晶体管,所述第一PNP晶体管的基极与所述第一NPN晶体管的集电极连接并通过所述第一电阻连接到所述虚拟焊盘,所述第一PNP晶体管的发射极与所述虚拟焊盘连接,所述第一PNP晶体管的集电极与所述第一NPN晶体管的基极连接并通过所述第二电阻连接到所述电源焊盘,所述第一NPN晶体管的发射极连接到所述电源焊盘;所述第一二极管的正极与所述电源焊盘连接,所述第一二极管的负极与所述虚拟焊盘连接;所述第二电路包括第三电阻、第四电阻、第二PNP晶体管和第二NPN晶体管,所述第二PNP晶体管的基极与所述第二NPN晶体管的集电极连接并通过所述第三电阻连接到所述虚拟焊盘,所述第二PNP晶体管的发射极与所述虚拟焊盘连接,所述第二PNP晶体管的集电极与所述第二NPN晶体管的基极连接并通过所述第四电阻连接到所述接地焊盘,所述第二NPN晶体管的发射极连接到所述接地焊盘;所述第二二极管的正极与所述接地焊盘连接,所述第二二极管的负极与所述虚拟焊盘连接。本技术实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:在本技术的一些实施例所提供的技术方案中,使用虚拟焊盘通过静电泄放电路与电源焊盘和接地焊盘发生电耦合,为静电放电提供放电通路,从而实现了在不同的放电模式下实现静电的泄放,提高了芯片的静电保护能力。应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本技术的实施例,并与说明书一起用于解释本技术的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。在附图中:图1示意性示出了相关技术中的一种静电保护装置的结构图;图2示意性示出了相关技术中的BGA封装引脚分布的示意图;图3示意性示出了相关技术中的存在故障的引脚的示意图;图4示意性示出了本技术实施例中虚拟焊盘与非连接引脚的连接示意图;图5示意性示出了本技术实施例的一种带有静电保护装置的示意图;图6示意性示出了本技术实施例的另一种带有静电保护装置的示意图;图7示意性示出了本技术实施例的又一种带有静电保护装置的示意图;图8示意性示出了本技术实施例的又一种带有静电保护装置的示意图;图9示意性示出了本技术实施例中的静电泄放电路的电路图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例性实施方式。然而,示例性实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本技术将更加全面和完整,并将示例性实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的模块翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电保护装置,其特征在于,包括:/n非连接引脚,位于封装体上;/n虚拟焊盘,位于裸片上,所述裸片位于所述封装体中,所述虚拟焊盘与所述非连接引脚电连接;/n电源焊盘和接地焊盘,所述虚拟焊盘通过静电泄放电路与所述电源焊盘和所述接地焊盘发生电耦合;/n所述虚拟焊盘位于所述裸片的第一阱上方,所述电源焊盘位于所述裸片的第二阱上方,所述接地焊盘位于所述裸片的衬底上方,所述第一阱位于所述衬底中,所述第二阱位于所述第一阱中。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电保护装置,其特征在于,包括:
非连接引脚,位于封装体上;
虚拟焊盘,位于裸片上,所述裸片位于所述封装体中,所述虚拟焊盘与所述非连接引脚电连接;
电源焊盘和接地焊盘,所述虚拟焊盘通过静电泄放电路与所述电源焊盘和所述接地焊盘发生电耦合;
所述虚拟焊盘位于所述裸片的第一阱上方,所述电源焊盘位于所述裸片的第二阱上方,所述接地焊盘位于所述裸片的衬底上方,所述第一阱位于所述衬底中,所述第二阱位于所述第一阱中。


2.根据权利要求1所述的静电保护装置,其特征在于,所述第一阱为深N阱,所述第二阱为P阱,所述衬底为P型衬底。


3.根据权利要求2所述的静电保护装置,其特征在于,所述第一阱包含第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区,所述虚拟焊盘与所述第一N型重掺杂区和所述第一P型重掺杂区均电连接;
所述第二阱包含第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区,所述电源焊盘与所述第二N型重掺杂区和所述第二P型重掺杂区均电连接;
所述P型衬底包含第三P型重掺杂区,所述接地焊盘与所述第三P型重掺杂区电连接。


4.根据权利要求3所述的静电保护装置,其特征在于,所述第一P型重掺杂区、所述深N阱、所述P阱形成第一PNP晶体管;
所述深N阱、所述P阱、所述第二N型重掺杂区形成第一NPN晶体管。


5.根据权利要求3所述的静电保护装置,其特征在于,所述第一N型重掺杂区至所述P阱之间形成第一电阻;
所述第二P型重掺杂区至所述深N阱之间形成第二电阻。


6.根据权利要求3所述的静电保护装置,其特征在于,所述P阱与所述深N阱之间形成第一二极管。


7.根据权利要求3所述的静电保护装置,其特征在于,所述第一P型...

【专利技术属性】
技术研发人员:许杞安
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1