一种具有电磁屏蔽功能的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有电磁屏蔽功能的封装结构，其包括柔性基板层（10）、芯片（30）、金属围墙（50）、塑封料包覆层（60）和电磁屏蔽层（80），所述芯片（30）倒装于柔性基板层（10）的上表面的一部分上金属焊垫（131）上，所述金属围墙（50）设置于芯片（30）四周的另一部分上金属焊垫（131）上；所述电磁屏蔽层（80）呈帽状扣在柔性基板层（10）的上方，其帽冠容纳芯片（30），其帽沿与金属围墙（50）连接，所述电磁屏蔽层（80）、金属围墙（50）和柔性基板层（10）内的复数层金属电路层联合，使芯片（30）处于一金属的密闭空间内，所述塑封料包覆层（60）填充该密闭空间。本实用新型专利技术能够有效改善接地和屏蔽效果，有效提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种具有电磁屏蔽功能的封装结构
本技术涉及一种具有电磁屏蔽功能的封装结构，属于半导体封装

技术介绍
随着科学技术和电子工业的高速发展，各种数字化和高频化的电子元器件在工作时向空间辐射了大量不同频率和波长的电磁波。电磁辐射和电磁波不仅干扰电子元器件性能的实现，同时会对人类和其他生物造成严重的危害。随着5G技术的发展，在通讯及消费类电子方面对电磁屏蔽器件的需求持续增长，同时也对电磁屏蔽要求越来越高。因此电磁屏蔽已经成为电子元器件的必要制程，而低成本的电磁屏蔽方案才能在消费类电子产品中推广开来。目前的电磁屏蔽方案通常在产品上表面及四面侧壁采用五面排布电磁屏蔽材料，需要在完成单颗产品切割后，在单颗产品的表面进行电磁屏蔽层的作业，该作业流程比较长，而且电磁屏蔽层材料的利用率相对较低，成本较高；侧面需要做整面的电磁屏蔽层，其与底面的结合处的结合力易出现结合力弱的现象，影响产品的性能及可靠性；同时结合力弱的现象会引起产品良率损失。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述封装结构的不足，提供一种通过整体作业提升电磁屏蔽层结合力及可靠性，符合器件封装的集成化的具有电磁屏蔽功能的封装结构。本技术的目的是这样实现的：本技术一种具有电磁屏蔽功能的封装结构，其包括柔性基板层、芯片、金属围墙、塑封料包覆层和电磁屏蔽层，所述柔性基板层包括介电层和柔性基板内电路，所述柔性基板内电路的最上层金属的表面露出介电层的上表面，形成上金属焊垫；所述柔性基板内电路的最下层金属的表面露出介电层的下表面，形成下金属焊垫；所述芯片倒装于柔性基板层的上表面的一部分上金属焊垫上，所述金属围墙设置于芯片四周的另一部分上金属焊垫上；所述电磁屏蔽层呈帽状扣在柔性基板层的上方，包括帽冠和帽沿，其帽冠容纳芯片，其帽沿与金属围墙连接，所述电磁屏蔽层、金属围墙和柔性基板层内的复数层金属电路层联合，使芯片处于一金属的密闭空间内，所述塑封料包覆层填充该密闭空间。可选地，所述芯片包括但不限于单颗。可选地，所述柔性基板内电路由数层金属电路设计形成，并形成电信通路。可选地，所述芯片的正面设置金属凸点，并通过所述金属凸点倒装于柔性基板层的上表面与其部分上金属焊垫连接。可选地，所述柔性基板层的下金属焊垫设置外引脚金属凸点。可选地，所述外引脚金属凸点为焊球、焊块或微金属凸块。可选地，所述金属围墙分布在芯片的四周，呈□形。可选地，所述塑封料包覆层填充芯片和柔性基板的互连区域，形成底部填充。有益效果1、本技术采用整体产品一次形成电磁屏蔽层，有效利用侧面的金属围墙，使电磁屏蔽层与金属围墙形成良好的结合，同时利用柔性基板的结构，有效地保证了接地性能和电磁屏蔽效果；2、充分利用了超高密度基板的柔性特点，提升了封装的可靠性，有利于产品良率的提升。附图说明图1为本技术的具有电磁屏蔽功能的封装结构的剖面示意图；图2为图1的金属围墙的示意图；其中：柔性基板层10介电层11柔性基板内电路13上金属焊垫131下金属焊垫133外引脚金属凸点18芯片30金属凸点31金属围墙50塑封料包覆层60电磁屏蔽层80。具体实施方式本技术一种具有电磁屏蔽功能的封装结构，如图1所示，其包括柔性基板层10、芯片30、金属围墙50、塑封料包覆层60和电磁屏蔽层80。柔性基板层10包括介电层11和柔性基板内电路13，其中柔性基板内电路13由数层介电层和数层金属电路设计形成，并形成电信通路，介电层11的介电材料填充于相邻金属电路层的间隙，以起到绝缘保护作用。柔性基板层10厚度薄，最薄可以至25微米，其柔软，可以随意折叠弯曲。柔性基板层10集成度高、电性能优异，和同类电路板相比，机械性能和电性能更具有优势。柔性基板内电路13的最上层金属的表面露出介电层11的上表面，形成上金属焊垫131；柔性基板内电路13的最下层金属的表面露出介电层11的下表面，形成下金属焊垫133。芯片30的正面设置铜凸块加锡帽结构或锡球结构的金属凸点31。芯片30通过金属凸点31倒装于柔性基板层10的上表面与其部分上金属焊垫131连接，实现芯片30与柔性基板层10的电信连接。芯片30可以是单颗或者两颗或者两颗以上。芯片30四周的另一部分上金属焊垫131上设置金属围墙50，其高度为50~1000微米，宽度为30~1000微米，分布在芯片30的四周，呈□形，距离芯片30的边缘30~1000微米，可采用金、银、铜、镍、锡、铝等金属或以上金属的合金，如图2所示，为金属围墙俯视示意图。柔性基板层10的下金属焊垫133设置外引脚金属凸点18，外引脚金属凸点18可以是焊球、焊块或微金属凸块。电磁屏蔽层80呈帽状扣在芯片30的上方，其帽沿与金属围墙50连接，其厚度为100~300微米。电磁屏蔽层80的材料可以采用金、银、铜、锡、铝、铬等一种或者多种金属材料合成。电磁屏蔽层80、金属围墙50和柔性基板层10内的复数层金属电路层联合，使芯片30处于一金属的密闭空间内，达到屏蔽电磁的作用；再通过柔性基板层10下方设置的外引脚金属凸点18实现接地。塑封料填充该密闭空间，形成塑封料包覆层60。以上所述的具体实施方式，对本技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步地详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施方式而已，并不用于限定本技术的保护范围，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有电磁屏蔽功能的封装结构，其特征在于，其包括柔性基板层（10）、芯片（30）、金属围墙（50）、塑封料包覆层（60）和电磁屏蔽层（80），/n所述柔性基板层（10）包括介电层（11）和柔性基板内电路（13），所述柔性基板内电路（13）的最上层金属的表面露出介电层（11）的上表面，形成上金属焊垫（131）；所述柔性基板内电路（13）的最下层金属的表面露出介电层（11）的下表面，形成下金属焊垫（133）；/n所述芯片（30）倒装于柔性基板层（10）的上表面的一部分上金属焊垫（131）上，所述金属围墙（50）设置于芯片（30）四周的另一部分上金属焊垫（131）上；/n所述电磁屏蔽层（80）呈帽状扣在柔性基板层（10）的上方，包括帽冠和帽沿，其帽冠容纳芯片（30），其帽沿与金属围墙（50）连接，所述电磁屏蔽层（80）、金属围墙（50）和柔性基板层（10）内的复数层金属电路层联合，使芯片（30）处于一金属的密闭空间内，所述塑封料包覆层（60）填充该密闭空间。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有电磁屏蔽功能的封装结构，其特征在于，其包括柔性基板层（10）、芯片（30）、金属围墙（50）、塑封料包覆层（60）和电磁屏蔽层（80），
所述柔性基板层（10）包括介电层（11）和柔性基板内电路（13），所述柔性基板内电路（13）的最上层金属的表面露出介电层（11）的上表面，形成上金属焊垫（131）；所述柔性基板内电路（13）的最下层金属的表面露出介电层（11）的下表面，形成下金属焊垫（133）；
所述芯片（30）倒装于柔性基板层（10）的上表面的一部分上金属焊垫（131）上，所述金属围墙（50）设置于芯片（30）四周的另一部分上金属焊垫（131）上；
所述电磁屏蔽层（80）呈帽状扣在柔性基板层（10）的上方，包括帽冠和帽沿，其帽冠容纳芯片（30），其帽沿与金属围墙（50）连接，所述电磁屏蔽层（80）、金属围墙（50）和柔性基板层（10）内的复数层金属电路层联合，使芯片（30）处于一金属的密闭空间内，所述塑封料包覆层（60）填充该密闭空间。


2.根据权利要求1所述的封...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳国恒，成炎炎，张黎，陈栋，赖志明，张国栋，陈锦辉，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32