【技术实现步骤摘要】
沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
本专利技术涉及太阳能电池衬底镀膜
,尤其涉及一种沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法。
技术介绍
薄膜太阳能电池的研究近年来发展迅速,已成为太阳能电池领域中最活跃的方向,而其中铜铟镓硒尤为引人注目,是太阳能电池材料体系中能够同时兼顾高效率和低成本的、最好的和最现实的体系。在诸多的制备镀膜吸收层的技术中,磁控溅射法制备薄膜太阳电池容易实现大规模生产。磁控溅射法是利用气体放电产生正离子,正离子在电场的作用下,以较高运动速度轰击作为阴极的靶,使靶材中的原子或分子逃逸出来而沉淀到镀工件的表面,形成所需要的薄膜。溅射过程建立在辉光放电的基础上,即溅射离子都来源于气体放电。不同的溅射技术所采用的辉光放电方式有所不同。直流二极溅射利用的是直流辉光放电;三极溅射是利用热阴极支持的辉光放电;射频溅射是利用射频辉光放电;磁控溅射是利用环状磁场控制下的辉光放电。溅射存在如下优势:(1)任何物质均可以溅射,尤其是高熔点、低蒸气压的元素和化合物;(2)溅射膜与基板之间的附着性好;(3)薄膜密度高;(4)膜厚可控制和重复性好等。溅射亦存在如下缺点:(1)成膜速率差;(2)设备需要高压装置,导致设备复杂昂贵。(3)不适用于低硬度材料,如非金属材料。针对磁性溅射法成膜速率差、设备复杂昂贵、不适用于非金属材料等缺点,现有技术开发了共蒸法对金属材料和非金属材料进行镀膜。目前大部分的铜铟镓硒电池都是利用真空蒸镀的方式生产的,一般称为共蒸镀。共蒸镀镀膜是指在真空条件下,采用一定的加热蒸发方式蒸发镀 ...
【技术保护点】
1.一种沉积腔室,其特征在于,包括至少两组金属蒸发源和至少一组非金属蒸发源;/n每组所述金属蒸发源包括至少两种金属蒸发源;/n沿着所述沉积腔室的幅长方向,至少两组所述的金属蒸发源分别设置于所述沉积腔室的两侧,且每组所述金属蒸发源包括至少一排所述金属蒸发源,每组所述金属蒸发源呈直线或水平交错的方式排布;每组所述金属蒸发源的总数量为13个。/n
【技术特征摘要】
1.一种沉积腔室,其特征在于,包括至少两组金属蒸发源和至少一组非金属蒸发源;
每组所述金属蒸发源包括至少两种金属蒸发源;
沿着所述沉积腔室的幅长方向,至少两组所述的金属蒸发源分别设置于所述沉积腔室的两侧,且每组所述金属蒸发源包括至少一排所述金属蒸发源,每组所述金属蒸发源呈直线或水平交错的方式排布;每组所述金属蒸发源的总数量为13个。
2.根据权利要求1所述的沉积腔室,其特征在于,每组所述金属蒸发源包括镓Ga蒸发源、铟In蒸发源和铜Cu蒸发源;或/和所述非金属蒸发源为Se蒸发源;
在相邻两组所述金属蒸发源之间设置至少一组非金属蒸发源,每组所述非金属蒸发源包括至少一排所述非金属蒸发源。
3.根据权利要求1所述的沉积腔室,其特征在于,沿着所述沉积腔室的幅长方向,至少两组所述金属蒸发源分别设置于所述沉积腔室的底部;或/和
每组相邻两个所述金属蒸发源之间具有间隙;或/和
所述非金属蒸发源为1~5排;或/和
每排相邻两个所述非金属蒸发源之间具有间隙,每组所述非金属蒸发源的个数为3~18个。
4.根据权利要求1~3任一项所述的沉积腔室,其特征在于,沿所述沉积腔室的幅长方向,每组所述金属蒸发源的排布顺序依次为:
Cu蒸发源,In蒸发源,Ga蒸发源,Cu蒸发源,Cu蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Ga蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源;或者
Cu蒸发源,Ga蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Ga蒸发源,Cu蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源;或者
Cu蒸发源,In蒸发源,Ga蒸发源,Cu蒸发源,Cu蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Ga蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源,In蒸发源,In蒸发源;或者
Cu蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源,Cu蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Ga蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源;或者
Cu蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源,In蒸发源,Ga蒸发源;或者
Ga蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,Ga蒸发源,Cu蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Ga蒸发源,In蒸发源;或者
Ga蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Ga蒸发源,Cu蒸发源,Cu蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,Cu蒸发源,In蒸发源,I...
【专利技术属性】
技术研发人员:田保峡,闻益,曲士座,
申请(专利权)人:北京铂阳顶荣光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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