一种近白光发光晶体材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及白光发光晶体材料技术领域，尤其涉及一种近白光发光晶体材料及其制备方法和应用。本发明专利技术提供的近白光发光晶体材料的化学式为：[Mn

【技术实现步骤摘要】
一种近白光发光晶体材料及其制备方法和应用
本专利技术涉及白光发光晶体材料
，尤其涉及一种白光发光晶体材料及其制备方法和应用。
技术介绍
目前，电子信息产业迅速发展，照明和显示技术作为电子信息产业的重要组成部分也发生了巨大的变革。实现绿色照明是人们一直追求的目标。由于白光LED灯具有节能和环保等多个优点，其在显示和照明领域的应用日益受到广泛的关注。传统的白光发光晶体材料主要是通过激发多组分荧光粉实现照射白光的目的，但其存在色平衡差、光衰减不一致、成本高和装置复杂的问题。因此，如何解决上述技术问题一直是一个科学难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种近白光发光晶体材料及其制备方法和应用，所述近白光发光晶体材料在320nm的激发光照射下能够表现出近白光和宽谱带的发射现象。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：本专利技术提供了一种近白光发光晶体材料，所述近白光发光晶体材料的化学式为：[Mn1.5(Pyeb)3·DMF]n；其中，所述Pyeb为4-(2-(4-吡啶基)乙烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种近白光发光晶体材料，其特征在于，所述近白光发光晶体材料的化学式为：[Mn

【技术特征摘要】
1.一种近白光发光晶体材料，其特征在于，所述近白光发光晶体材料的化学式为：[Mn1.5(Pyeb)3·DMF]n；
其中，所述Pyeb为4-(2-(4-吡啶基)乙烯基)苯甲酸；所述DMF为N,N-二甲基甲酰胺；所述n为∞；
所述近白光发光晶体材料为具有P21/c空间群结构的晶体材料；所述晶体材料属于单斜晶系；
所述近白光发光晶体材料的色坐标为(0.257，0.270)。


2.如权利要求1所述的近白光发光晶体材料，其特征在于，所述近白光发光晶体材料的晶胞参数为：c＝15.979(8)，α＝90°，β＝104.257°，γ＝90°，Z＝4，


3.权利要求1或2所述的近白光发光晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将4-(2-(4-吡啶基)乙烯基)苯甲酸、锰源和有机溶剂混合，进行溶剂热反应，得到所述近白光发光晶体材料。


4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述锰源为二价锰盐；
所述4-(2-(4-吡啶基)乙烯基)苯甲酸和锰源中的锰离子的摩尔比为1：(1～4)。


5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述有机...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣，高云，庞久强，陈绪兴，窦元鑫，王超，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42