载体环以及晶圆沉积设备制造技术

该实用新型专利技术涉及一种载体环以及晶圆沉积设备，其中所述载体环，用于承载晶圆，包括：环形沟槽，设置在所述载体环的上表面，将所述载体环的圆心环绕在内，且所述上表面用于与晶圆接触，承载晶圆。以上载体环以及晶圆沉积设备在所述载体环的上表面设置有环形沟槽，这样，在对载体环的上表面放置的晶圆进行膜层沉积等操作时，若晶圆与载体环上表面之间有间隙，也不会在间隙内沉积膜层，而会直接沉积到环形沟槽中，这样，避免了沉积在载体环上表面的膜层顶起晶圆，造成晶圆放置不稳的现象的发生，也减少了因此造成的晶圆的缺陷，提高了晶圆生产的良率。

Carrier ring and wafer deposition equipment

【技术实现步骤摘要】
载体环以及晶圆沉积设备
本技术涉及晶圆生产制造加工领域，具体涉及一种载体环以及晶圆沉积设备。
技术介绍
在晶圆沉积设备(例如LAMextreme设备)中，晶圆会在沉积腔室内被载体环(Carrierring)托起、搬运，以传送出所述沉积腔室或改变该载体环上放置着的晶圆的位置。然而，在制程中，由于晶圆与载体环之间并非严丝合缝，也会存在间隙，因此，请参阅图1，为现有技术中的载体环的结构示意图。晶圆102与载体环101的上表面103之间的间隙内也会有膜层104沉积，导致晶圆102放置到所述载体环101的上表面103时，会被间隙之中生长的膜层104顶起，造成晶圆102摆放不稳。在使用载体环101托起、搬运所述晶圆102时，很有可能造成晶圆102的震动，导致晶圆102产生缺陷，影响晶圆102生产的良率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种载体环以及晶圆沉积设备，能够提高晶圆生产的良率。为解决上述技术问题，以下提供了一种载体环，用于承载晶圆，包括：环形沟槽，设置在所述载体环的上表面，将所述载体环的圆心环绕在内，且所述上表面用于与晶圆接触，承载晶圆。可选的，所述环形沟槽的外圈直径大于所述晶圆的直径。可选的，所述环形沟槽的内圈直径小于或等于所述晶圆的直径。可选的，所述环形沟槽的圆心与所述载体环的圆心重合。可选的，所述环形沟槽的深度范围为1至3mm。可选的，所述环形沟槽的宽度范围为1至3mm。为解决上述技术问题，以下还提供了一种晶圆沉积设备，用于晶圆表面的膜层沉积，包括沉积腔室以及所述的载体环，且所述载体环设置在所述沉积腔室内。可选的，还包括：承载盘，设置在所述载体环的内圈所围成的区域中，且所述承载盘表面设置有与所述承载盘所在平面垂直的伸降销，用于托起放置在所述载体环表面的晶圆。以上载体环以及晶圆沉积设备在所述载体环的上表面设置有环形沟槽，这样，在对载体环的上表面放置的晶圆进行膜层沉积等操作时，若晶圆与载体环上表面之间有间隙，也不会在间隙内沉积膜层，而会直接沉积到环形沟槽中，这样，避免了沉积在载体环上表面的膜层顶起晶圆，造成晶圆放置不稳的现象的发生，也减少了因此造成的晶圆的缺陷，提高了晶圆生产的良率。附图说明图1为现有技术中的载体环的结构示意图。图2为本技术的一种具体实施方式中的载体环的剖面示意图。图3为本技术的一种具体实施方式中的载体环的俯视示意图。图4为本技术的一种具体实施方式中的晶圆沉积设备的剖面示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术提出的一种载体环以及晶圆沉积设备作进一步详细说明。请参阅图2、3，其中图2为本技术的一种具体实施方式中的载体环的剖面示意图，图3为本技术的一种具体实施方式中的载体环的俯视示意图。在该具体实施方式中，提供了一种载体环101，用于承载晶圆102，包括：环形沟槽201，设置在所述载体环101的上表面103，将所述载体环101的圆心环绕在内，且所述上表面103用于与晶圆102接触，承载晶圆102。该具体实施方式中的载体环101的上表面103设置有环形沟槽201，这样，在对载体环101的上表面103放置的晶圆102进行膜层104沉积等操作时，即使晶圆102与载体环101上表面103之间有间隙，也不会在间隙内沉积膜层104，而会直接沉积到环形沟槽201中。这避免了沉积在间隙内的膜层104顶起晶圆102，造成晶圆102放置不稳，以至于在传动的过程中发生晃动的现象的发生，减少了晶圆102因晃动而产生的缺陷的可能，提高了晶圆102生产的良率。在一种具体实施方式中，所述环形沟槽201的外圈直径大于所述晶圆102的直径，这使得将晶圆102放置到所述载体环101上表面103时，所述环形沟槽201有很大的几率不会被晶圆102完全覆盖住，不会影响所述环形沟槽201暴露在外。在一种具体实施方式中，所述环形沟槽201的内圈直径小于或等于所述晶圆102的直径，使得在膜层104沉积的过程中，载体环101上被所述环形沟槽201的内圈围住的区域可以完全被晶圆102盖住。这样，可以减小晶圆102覆盖的区域有膜层104沉积的可能。在一种具体实施方式中，所述环形沟槽201的圆心与所述载体环101的圆心重合。这样，在晶圆102的圆心放置到所述载体环101上表面103时，所述环形沟槽201外露、不被晶圆102盖住的几率都是一样的。这样，在对载体环101的上表面103放置的晶圆102进行膜层104沉积时，载体环101与晶圆102之间的缝隙沉积膜层104的几率更低，降低了载体环101上表面103局部膜层104顶起晶圆102的可能性，提高了晶圆102生产的良率。在一种具体实施方式中，所述环形沟槽201的深度范围为1至3mm。实际上，可以根据需要设置所述环形沟槽201的深度。如果沉积的膜层104较厚，则需要匹配较深的环形沟槽201，如果沉积的膜层104较薄，则可以匹配较浅的环形沟槽201。在一种具体实施方式中，所述环形沟槽201的宽度范围为1至3mm。实际上，可以根据需要设置所述环形沟槽201的宽度。所述环形沟槽201的宽度越大，在晶圆102放置到所述载体环101上时，环形沟槽201被完全遮蔽的几率越小。只要所述环形沟槽201部被完全遮蔽，则进行膜层104沉积时，膜层104就不会沉积到晶圆102与载体环101的间隙之间，顶起晶圆102，造成晶圆102通过载体环101传输时发生摇晃、造成晶圆102毁损。请参阅图4，为本技术的一种具体实施方式中的晶圆沉积设备的剖面示意图。在该具体实施方式中，还提供了一种晶圆沉积设备，用于晶圆102表面的膜层104沉积，包括沉积腔室401以及所述的载体环101，且所述载体环101设置在所述沉积腔室401内。在该具体实施方式中，所述晶圆沉积设备在所述载体环101的上表面103设置有环形沟槽201，这样，在对载体环101的上表面103放置的晶圆102进行膜层104沉积时，即使晶圆102与载体环101上表面103之间有间隙，也不会在间隙内沉积膜层104，而会直接沉积到环形沟槽201中。这避免了沉积在间隙内的膜层104顶起晶圆102，造成晶圆102放置不稳，以至于在传动的过程中发生晃动的现象的发生，减少了晶圆102因晃动而产生的缺陷的可能，提高了晶圆102生产的良率。在一种具体实施方式中，所述环形沟槽201的外圈直径大于所述晶圆102的直径，这使得将晶圆102放置到所述载体环101上表面103时，所述环形沟槽201有很大的几率不会被晶圆102完全覆盖住，不会影响所述环形沟槽201暴露在外。在一种具体实施方式中，所述环形沟槽201的内圈直径小于或等于所述晶圆102的直径，使得在膜层104沉积的过程中，载体环101上被所述环形沟槽201的内圈围住的区域可以完全被晶圆102盖住。这样，可以减小晶圆102覆盖的区域有膜层104沉积的可能。在一种具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种载体环，用于承载晶圆，其特征在于，包括：/n环形沟槽，设置在所述载体环的上表面，将所述载体环的圆心环绕在内，且所述上表面用于与晶圆接触，承载晶圆。/n

【技术特征摘要】
1.一种载体环，用于承载晶圆，其特征在于，包括：
环形沟槽，设置在所述载体环的上表面，将所述载体环的圆心环绕在内，且所述上表面用于与晶圆接触，承载晶圆。


2.根据权利要求1所述的载体环，其特征在于，所述环形沟槽的外圈直径大于所述晶圆的直径。


3.根据权利要求1所述的载体环，其特征在于，所述环形沟槽的内圈直径小于或等于所述晶圆的直径。


4.根据权利要求1所述的载体环，其特征在于，所述环形沟槽的圆心与所述载体环的圆心重合。


5.根据权利要求1所述的载体环，...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾中宇，曾圣翔，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32