断电记忆系统及取暖桌技术方案

本实用新型专利技术涉及家电用品技术领域，尤其是一种断电记忆系统及取暖桌。断电记忆系统包括电源模块、火线接入端、零线接入端和控制模块，控制模块包括记忆电路、输出电路以及处理器，微处理器分别与零线接入端和电源模块电连接，输出电路分别与火线接入端和微处理器电连接，输出电路的输出端均接有电暖器；记忆电路包括与电源模块连接的电阻R26以及旁接于微处理器的储能电容C17，储能电容C17一端与电阻R26连接，储能电容C17另一端接地，储能电容C17的旁侧跨接有负载电阻R12；电暖桌包括电暖桌本体和上述的断电记忆系统。本实用新型专利技术结合结构简单且成本低的记忆电路以及可定时存储温度设置的微处理器，避免断电后重置系统的情况，提高用户使用体验感。

Power off memory system and heating table

【技术实现步骤摘要】
断电记忆系统及取暖桌
本技术涉及家电用品
，尤其是一种断电记忆系统及取暖桌。
技术介绍
电暖桌是集桌子和取暖器为一体的新型取暖器具，通过取暖装置散发热量，为坐在电暖桌旁的使用者的腿部供暖。随着技术的发展，现有市面上的电暖桌功能多样，但是并没有断电记忆功能，用户外出或其他情况下断电后，再启东时将切换为默认初始温度，需要用户重新设定合适的温度，大幅度降低了用户的体验感。
技术实现思路
本技术的目的是克服电取暖桌不具备断电记忆功能，断电重启后需要根据个人需要重置温度数值的缺陷。为实现上述目的，本技术公开一种断电记忆系统，包括：用于降压转换的电源模块；火线接入端和零线接入端；控制模块，控制模块包括记忆电路、若干组输出电路以及可定时存储实时数据的微处理器，其中，微处理器分别与零线接入端和电源模块的输出端电连接，输出电路分别与火线接入端和微处理器电连接，输出电路的输出端分别接有对应的电暖器；记忆电路与微处理器电连接，记忆电路包括与电源模块输出端连接的电阻R26以及旁接于微处理器的储能电容C17，储能电容C17的一端与电阻R26连接，储能电容C17的另一端接地，储能电容C17的旁侧还跨接有负载电阻R12。作为优选，输出电路包括分压电阻和双向可控硅，双向可控硅的控制极通过分压电阻与微处理器的其一控制引脚电连接，双向可控硅的余下引脚分别与火线接入端和输出电路的输出端电连接。进一步的，零线接入端和微处理器的连接通路之间设有过零检测电路，过零检测电路包括依次串接的电阻R14、电阻R15、电阻R16以及单端与微处理器连接的电阻R11，电阻R11与微处理器的连接通路上旁接有接地的电阻R17和电容C12，电阻R11的另一端旁接有反向接地的稳压二极管ZD1。进一步的，其中一组输出电路还包括有电磁阀和晶体三极管Q2，晶体三极管Q2的基极与微处理器电连接，晶体三极管Q2的发射极接地，晶体三极管Q2的集电极依次与电磁阀的电磁件和电源模块的输出端电连接，电磁阀的受控件两端分别与双向可控硅的非控制极和输出电路的输出端电连接。作为优选，控制模块还包括用于实现遥控功能的通讯电路，所述通讯电路包括接线端子CN3、二极管D7、二极管D7′、电阻R18和电容C15；二极管D7和二极管D7′同向串接，二极管D7′的阳极接地，二极管D7的阴极与电源模块的输出端连接，电阻R18和电容C15跨接在二极管D7和二极管D7′旁侧，从而形成整流滤波结构；接线端子CN3的信号输出口与微处理器直接连接，接线端子CN3的信号输入口依次与所述整流滤波结构和微处理器串接。作为优选，控制模块包括用于调节电暖桌高度的升降电路，升降电路包括分压电阻R12、分压电阻R13和接线端子CN1，分压电阻R12和分压电阻R13的一端分别与接线端子CN1的下降端口和上升端口连接，分压电阻R12和分压电阻R13的另一端分别与微处理器的下降控制引脚和上升控制引脚电连接。作为优选，微处理器接有用于警报提醒的蜂鸣器。本技术还公开一种取暖桌，取暖桌包括电暖桌本体以及上述的断电记忆系统。作为优选，断电记忆系统设置在电暖桌本体内，电暖桌本体包括面板、底座以及连接在面板和底座四侧的支撑座，支撑座的内侧设有分别与对应的输出电路输出端电连接的电暖器。作为优选，面板的表侧固定有电加热设备，电加热设备任一输出电路的输出端电连接。本技术的有益效果：结合结构简单且成本低的记忆电路以及可定时存储温度设置的微处理器，可保证整个系统在断电重启后能自动沿用断电前的设置，避免重新设置系统参数的情况，提高用户使用体验感。附图说明图1：本技术断电记忆系统的逻辑示意图。图2：本技术断电记忆系统的原理示意图。图3：本技术电源模块的原理示意图。图4：本技术记忆电路的原理示意图。图5：本技术通讯电路的原理示意图。图6：本技术过零检测电路的原理示意图。图7：本技术输出电路的原理示意图。图8：微处理器保存温度设置的步骤示意图。图9：本技术取暖桌的结构示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清晰，下面将结合实施例和附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。本技术公开一种断电记忆系统。请参照图1-8所示，为本技术断电记忆系统一较佳实施例，断电记忆系统包括电源模块1(电源芯片为PN8016型芯片)、火线接入端、零线接入端和控制模块，其中电源模块1用于将交流输入转换为合适控制模块使用的低压直流输出，火线接入端和零线接入端用于连接交流输入和对应的供暖器件，控制模块用于调节实现用户所需的调节效果。具体地，控制模块由记忆电路2、若干组输出电路3以及可定时存储实时数据的微处理器4(SN8F570214型单片机)组成，微处理器4从电源模块1的输出端取电，并与零线接入端电连接；输出电路3分别与火线接入端和微处理器4电连接，输出电路3的输出端分别接有对应的电暖器84，电暖器84由火线接入端和零线接入端之间的交流输入供能，电暖器84与交流输入的导通与否由微处理器4控制。记忆电路2与微处理器4电连接，记忆电路2的作用在于确保断电后，与其连接的微处理器4引脚在一段时间内可以维持高电平信号，确保可以存储用户上一次使用的参数设定。记忆电路2包括与电源模块1输出端连接的电阻R26以及旁接于微处理器4的储能电容C17，储能电容C17一端与电阻R26连接，储能电容C17另一端接地，储能电容C17的旁侧还跨接有负载电阻R12。在一种可选的技术方案中，输出电路3包括分压电阻和双向可控硅31，双向可控硅31的控制极通过分压电阻与微处理器4的其一控制引脚电连接，双向可控硅31的余下引脚分别与火线接入端和输出电路3的输出端电连接。微处理器4通过双向可控硅31的控制极导通双向可控硅31，将交流输入引向电暖器84。零线接入端和微处理器4的连接通路之间设有过零检测电路5，用于检测电压零点，防止各输出电路3工作变得紊乱，过零检测电路5包括依次串接的电阻R14、电阻R15、电阻R16以及单端与微处理器4连接的电阻R11，电阻R11与微处理器4的连接通路上旁接有接地的电阻R17和电容C12，电阻R11的另一端旁接有反向接地的稳压二极管ZD1。在实际应用中，断电记忆系统还可以增设可选的用电器。具体地，其中一组输出电路3还包括有电磁阀32和晶体三极管Q2，晶体三极管Q2的基极与微处理器4电连接，晶体三极管Q2的发射极接地，晶体三极管Q2的集电极依次与电磁阀32的电磁件和电源模块1的输出端电连接，电磁阀32的受控件两端分别与双向可控硅31的非控制极和输出电路3的输出端电连接。微处理器4导通晶体三极管Q2后，电磁阀32的电磁件导通并吸引受控件闭合，在导通双向可控硅31的情况下该输出电路3即可导通交流输入至对应的用电器。在一种可选的技术方案中，控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种断电记忆系统，其特征在于，包括：/n用于降压转换的电源模块；/n火线接入端和零线接入端；/n控制模块，所述控制模块包括记忆电路、若干组输出电路以及可定时存储实时数据的微处理器，其中，所述微处理器分别与零线接入端和电源模块的输出端电连接，所述输出电路分别与火线接入端和微处理器电连接，所述输出电路的输出端分别接有对应的电暖器；/n所述记忆电路与微处理器电连接，所述记忆电路包括与电源模块输出端连接的电阻R26以及旁接于微处理器的储能电容C17，所述储能电容C17的一端与电阻R26连接，储能电容C17的另一端接地，储能电容C17的旁侧还跨接有负载电阻R12。/n

【技术特征摘要】
1.一种断电记忆系统，其特征在于，包括：
用于降压转换的电源模块；
火线接入端和零线接入端；
控制模块，所述控制模块包括记忆电路、若干组输出电路以及可定时存储实时数据的微处理器，其中，所述微处理器分别与零线接入端和电源模块的输出端电连接，所述输出电路分别与火线接入端和微处理器电连接，所述输出电路的输出端分别接有对应的电暖器；
所述记忆电路与微处理器电连接，所述记忆电路包括与电源模块输出端连接的电阻R26以及旁接于微处理器的储能电容C17，所述储能电容C17的一端与电阻R26连接，储能电容C17的另一端接地，储能电容C17的旁侧还跨接有负载电阻R12。


2.根据权利要求1所述的断电记忆系统，其特征在于，所述输出电路包括分压电阻和双向可控硅，所述双向可控硅的控制极通过分压电阻与微处理器的其一控制引脚电连接，所述双向可控硅的余下引脚分别与火线接入端和输出电路的输出端电连接。


3.根据权利要求2所述的断电记忆系统，其特征在于，所述零线接入端和微处理器的连接通路之间设有过零检测电路，所述过零检测电路包括依次串接的电阻R14、电阻R15、电阻R16以及单端与微处理器连接的电阻R11，所述电阻R11与微处理器的连接通路上旁接有接地的电阻R17和电容C12，电阻R11的另一端旁接有反向接地的稳压二极管ZD1。


4.根据权利要求2所述的断电记忆系统，其特征在于，其中一组所述的输出电路还包括电磁阀和晶体三极管Q2，所述晶体三极管Q2的基极与微处理器电连接，所述晶体三极管Q2的发射极接地，所述晶体三极管Q2的集电极依次与电磁阀的电磁件和电源模块的输出端电连接，所述电磁阀的受控件两端分别与双向可控硅的非控制极和输出电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈霞，
申请(专利权)人：陈霞，
类型：新型
国别省市：贵州;52