【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有接地或以其它方式加偏压的通道停止接点的图像传感器相关申请案本申请案主张2017年10月11日申请的标题为“用于背照式图像传感器接地回路的新型方法(NovelApproachtoGroundReturnforBack-IlluminatedImagerSensors)”的第62/571,111号美国临时专利申请案；2017年12月1日申请的标题为“针对背照式图像传感器的通过顶部接点到LOCOS的可调整调制传递函数(MTF)(AdjustableModulation-Transfer-Function(MTF)ThroughTopContactstoLOCOSforBack-IlluminatedImagerSensors)”的第62/593,559号美国临时专利申请案；及2017年12月1日申请的标题为“使用背照式图像传感器的从DUV到近IR的具有可调整调制传递函数(MTF)的多光谱检验系统(Multi-SpectralInspectionSystemFromDUVToNearIRWithAdjustableModulation-Transfer-...
【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器，其包括：/n第一像素；/n第二像素；/n通道停止层，其位于所述第一像素与所述第二像素之间以隔离所述第一像素与所述第二像素，所述通道停止层包括：/n硅局部氧化LOCOS结构，及/n掺杂硅区域，其在所述LOCOS结构下方；及/n第一导电接点，其延伸通过所述LOCOS结构且与所述掺杂硅区域形成欧姆接触。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171011 US 62/571,111;20171201 US 62/593,599;20171.一种背照式图像传感器，其包括：
第一像素；
第二像素；
通道停止层，其位于所述第一像素与所述第二像素之间以隔离所述第一像素与所述第二像素，所述通道停止层包括：
硅局部氧化LOCOS结构，及
掺杂硅区域，其在所述LOCOS结构下方；及
第一导电接点，其延伸通过所述LOCOS结构且与所述掺杂硅区域形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述导电接点连接到接地。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括电耦合到所述导电接点的电力供应器，其中所述电力供应器可配置以加负偏压于所述导电接点。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括电耦合到所述导电接点的电力供应器，其中所述电力供应器可配置以加负偏压于及加正偏压于所述导电接点。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：
所述掺杂硅区域是p++植入区域；且
所述第一及第二像素包括具有n型通道的多个栅极。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：
第一像素列，其包含所述第一像素；及
第二像素列，其包含所述第二像素；
其中所述通道停止层位于所述第一列与所述第二列之间以隔离所述第一列与所述第二列。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其进一步包括一系列导电接点，每一导电接点延伸通过所述LOCOS结构且与所述掺杂硅区域形成相应欧姆接触；
其中所述一系列导电接点包含所述第一导电接点。
8.根据权利要求6所述的图像传感器，其中：
所述第一列及所述第二列中的所述像素包括相应多个栅极；
每一多个栅极的相应栅极待接收多个时钟信号的相应时钟信号；且
所述多个时钟信号中的每一时钟信号具有不同相位。
9.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述导电接点是第一接点，所述图像传感器进一步包括：
金属段，其位于所述通道停止层上方，其中所述第一接点在所述金属段与所述掺杂硅区域之间；
导电多晶硅段，其与所述金属段重叠；及
第二导电接点，其在所述金属段与所述多晶硅段之间。
10.根据权利要求6所述的图像传感器，其进一步包括导电多晶硅线，所述导电多晶硅线沿所述通道停止层延伸且与所述第一导电接点接触。
11.根据权利要求10所述的图像传感器，其进一步包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖志诚，振华·霍华德·陈，S·比耶拉克，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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