晶片的制造方法、线锯用再利用浆的品质评价方法和线锯用使用完毕浆的品质评价方法技术

本发明专利技术涉及晶片的制造方法、线锯用再利用浆的品质评价方法和线锯用使用完毕浆的品质评价方法。提供能够通过抑制起因于再利用浆的品质的加工品质的劣化来稳定地提高晶片的平坦度的晶片的制造方法，所述再利用浆被提供给利用线锯的切片加工。利用供给了包括磨粒和冷却剂的浆的线锯来对锭进行切片加工。使用完毕浆被回收而在分离和除去小颗粒之后新添加混合磨粒和冷却剂而做成再利用浆。再利用浆在新的锭的切片加工时被供给到线锯。本发明专利技术的特征在于，使再利用浆的依照下述定义的小颗粒体积分数R

Wafer manufacturing method, quality evaluation method of wire saw recycled pulp and quality evaluation method of wire saw used pulp

【技术实现步骤摘要】
晶片的制造方法、线锯用再利用浆的品质评价方法和线锯用使用完毕浆的品质评价方法
本专利技术涉及晶片的制造方法，在所述晶片的制造方法中重复进行利用供给了浆的线锯来对锭进行切片加工而得到多个晶片的工序，所述浆包括磨粒和冷却剂。此外，本专利技术涉及线锯用再利用浆的品质评价方法和线锯用使用完毕浆的品质评价方法。
技术介绍
将由硅或化合物半导体等构成的锭切断来制造成为半导体器件的基板的晶片。近年来，作为锭的切断方法，利用供给了包括磨粒和冷却剂的浆的线锯来对锭进行切片加工而同时得到多个晶片的游离磨粒方式成为了主流。在此，进行了：在切片加工中使用的使用完毕浆被回收而在分离和除去小颗粒之后新添加混合磨粒和冷却剂来做成再利用浆，在新的锭的切片加工时将该再利用浆供给到线锯。在此，小颗粒主要由伴随着切片加工而从锭产生的硅屑构成，此外，还包括由于线被削而产生的线屑或磨耗而小径化后的磨粒。例如，在专利文献1中，记载了：在通过从使用完毕浆回收有效磨粒并除去磨损的磨粒并且添加相当于除去的磨粒的量的新的磨粒来再生浆的方法中，使新的磨粒的平均圆形度为0.855~0.875的范围，使新的磨粒的重量比为约20%，使再生浆所包括的磨粒的平均圆形度为0.870~0.915的范围。此外，在专利文献2中，记载了：准备追加磨粒群，在用于切断处理的磨粒群中添加并混合规定的量的追加磨粒群，对混合的磨粒群进行分级处理，以使磨粒的大小为第1磨粒径以上且第2磨粒径以下。根据该方法，能够减少废弃的磨粒的量，并且，能够施行与新的磨粒群同样的质量的研磨处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-255534号公报；专利文献2：日本特开2011-218516号公报。专利技术要解决的课题浆中所包括的小颗粒不仅不会有助于锭的切削，而且阻碍有助于切削的主要由中径（mediumdiameter）的磨粒进行的切削。因此，在再利用浆中的小颗粒的量较多的情况下，通过使用该再利用浆来进行的切片加工而制造的晶片的平坦度处于劣化的趋势。以往，在使用完毕浆的再生处理中，利用离心分离方式的分级处理来从使用完毕浆分离和除去小颗粒。然而，本专利技术人们认识到，根据回收的使用完毕浆中的小颗粒的量等，存在不能充分除去小颗粒的情况，在该情况下，再利用浆中的小颗粒的量也变多，作为结果，损害了切片加工品质（即晶片的平坦度）。因此，本专利技术人们达到需要适当地评价并管理使用完毕浆或再利用浆中的小颗粒的量的认识。
技术实现思路
鉴于上述课题，本专利技术的目的在于提供能够通过抑制起因于再利用浆的品质的加工品质的劣化来稳定地提高晶片的平坦度的晶片的制造方法，所述再利用浆被提供给利用线锯的切片加工。此外，本专利技术的目的在于提供能够适当地评价使用完毕浆和再利用浆的品质的品质评价方法。用于解决课题的方案为了解决上述课题，本专利技术人推进专心研究，得到了以下的见解。即，使用依照规定的定义的“小颗粒体积分数”这样的参数来评价和管理使用完毕浆和再利用浆的品质是有效的。然后，知晓了：通过可靠地使供给到线锯的再利用浆的小颗粒体积分数为5.0%以下，从而能够稳定地提高通过切片加工而制造的晶片的平坦度。基于上述见解而完成的本专利技术的主旨结构如以下那样。（1）一种晶片的制造方法，重复进行利用供给了浆的线锯来对锭进行切片加工而得到多个晶片的工序，所述浆包括磨粒和冷却剂，所述制造方法的特征在于，具有：第1工序，将在所述切片加工中使用的使用完毕浆回收到第1槽中；第2工序，将所述使用完毕浆从所述第1槽供给到再生处理单元中，在该再生处理单元中从所述使用完毕浆分离和除去小颗粒而得到再生浆；第3工序，将所述再生浆从所述再生处理单元供给到第2槽中，在所述第2槽中将磨粒和冷却剂添加和混合到所述再生浆中来调制再利用浆；第4工序，将所述再利用浆从所述第2槽供给到第3槽中；以及第5工序，将所述再利用浆从所述第3槽供给到所述线锯，进行新的锭的切片加工，使供给到所述线锯的所述再利用浆的、依照下述定义的小颗粒体积分数RA为5.0%以下，小颗粒体积分数RA：将所述再利用浆中的颗粒的体积粒度分布中的平均粒径设为RA1，将具有作为RA1/2的基准粒径RA2以下的粒径的颗粒定义为小颗粒，为所述再利用浆中的颗粒之中所述小颗粒所占有的体积比率。（2）根据上述（1）所述的晶片的制造方法，其中，在提供给所述切片加工的使用完毕浆的、依照下述定义的小颗粒体积分数RB超过10.0%的情况下，在不回收到所述第1槽中的情况下废弃所述使用完毕浆，小颗粒体积分数RB：将所述使用完毕浆中的颗粒的体积粒度分布中的平均粒径设为RB1，将具有作为RB1/2的基准粒径RB2以下的粒径的颗粒定义为小颗粒，为所述使用完毕浆中的颗粒之中所述小颗粒所占有的体积比率。（3）根据上述（1）或（2）所述的晶片的制造方法，其中，在所述第3工序中，以所述再利用浆的比重为规定的目标值的方式设定添加的磨粒和冷却剂的量。（4）根据上述（3）所述的晶片的制造方法，其中，测定从所述第3槽采取的所述再利用浆的小颗粒体积分数RA，在测定出的RA为5.0%以下的情况下，将所述再利用浆从所述第3槽直接供给到所述线锯，进行新的锭的切片加工，在测定出的RA超过5.0%的情况下，再次在所述第2槽中将磨粒和冷却剂添加和混合到所述再生浆中来调制追加的再利用浆，将该追加的再利用浆供给到所述第3槽中，由此，使所述第3槽内的所述再利用浆的小颗粒体积分数为5.0%以下，之后，将所述再利用浆供给到所述线锯，进行新的锭的切片加工。（5）根据上述（4）所述的晶片的制造方法，其中，在所述再次调制中，以在所述第2槽内的所述追加的再利用浆中的、添加磨粒和添加冷却剂的质量比率分别为35%以上55%以下的方式设定添加的磨粒和冷却剂的量。（6）一种线锯用再利用浆的品质评价方法，所述品质评价方法是从在利用线锯的锭的切片加工中使用的、包括磨粒和冷却剂的使用完毕浆分离和除去小颗粒之后添加和混合新的磨粒和冷却剂而调制出的再利用浆的品质评价方法，所述品质评价方法的特征在于，基于依照下述定义的小颗粒体积分数RA来评价所述再利用浆的品质，小颗粒体积分数RA：将所述再利用浆中的颗粒的体积粒度分布中的平均粒径设为RA1，将具有作为RA1/2的基准粒径RA2以下的粒径的颗粒定义为小颗粒，为所述再利用浆中的颗粒之中所述小颗粒所占有的体积比率。（7）根据上述（6）所述的线锯用再利用浆的品质评价方法，其中，如果所述小颗粒体积分数RA为5.0%以下，则将所述再利用浆评价为能够再利用于新的锭的切片加工，如果所述小颗粒体积分数RA超过5.0%，则将所述再利用浆评价为不能再利用于新的锭的切片加工。（8）一种线锯用使用完毕浆的品质评价方法，所述品质评价方法是在利用线锯的锭的切片加工中使用的、包括磨粒和冷却剂的使用完毕浆的品质评价方法，所述品质评价方法的特征在于，基于依照下述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的制造方法，重复进行利用供给了浆的线锯来对锭进行切片加工而得到多个晶片的工序，所述浆包括磨粒和冷却剂，所述制造方法的特征在于，具有：/n第1工序，将在所述切片加工中使用的使用完毕浆回收到第1槽中；/n第2工序，将所述使用完毕浆从所述第1槽供给到再生处理单元中，在该再生处理单元中从所述使用完毕浆分离和除去小颗粒而得到再生浆；/n第3工序，将所述再生浆从所述再生处理单元供给到第2槽中，在所述第2槽中将磨粒和冷却剂添加和混合到所述再生浆中来调制再利用浆；/n第4工序，将所述再利用浆从所述第2槽供给到第3槽中；以及/n第5工序，将所述再利用浆从所述第3槽供给到所述线锯，进行新的锭的切片加工，/n使供给到所述线锯的所述再利用浆的、依照下述定义的小颗粒体积分数R

【技术特征摘要】
20181116 JP 2018-2158221.一种晶片的制造方法，重复进行利用供给了浆的线锯来对锭进行切片加工而得到多个晶片的工序，所述浆包括磨粒和冷却剂，所述制造方法的特征在于，具有：
第1工序，将在所述切片加工中使用的使用完毕浆回收到第1槽中；
第2工序，将所述使用完毕浆从所述第1槽供给到再生处理单元中，在该再生处理单元中从所述使用完毕浆分离和除去小颗粒而得到再生浆；
第3工序，将所述再生浆从所述再生处理单元供给到第2槽中，在所述第2槽中将磨粒和冷却剂添加和混合到所述再生浆中来调制再利用浆；
第4工序，将所述再利用浆从所述第2槽供给到第3槽中；以及
第5工序，将所述再利用浆从所述第3槽供给到所述线锯，进行新的锭的切片加工，
使供给到所述线锯的所述再利用浆的、依照下述定义的小颗粒体积分数RA为5.0%以下，
小颗粒体积分数RA：将所述再利用浆中的颗粒的体积粒度分布中的平均粒径设为RA1，将具有作为RA1/2的基准粒径RA2以下的粒径的颗粒定义为小颗粒，为所述再利用浆中的颗粒之中所述小颗粒所占有的体积比率。


2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，在提供给所述切片加工的使用完毕浆的、依照下述定义的小颗粒体积分数RB超过10.0%的情况下，在不回收到所述第1槽中的情况下废弃所述使用完毕浆，
小颗粒体积分数RB：将所述使用完毕浆中的颗粒的体积粒度分布中的平均粒径设为RB1，将具有作为RB1/2的基准粒径RB2以下的粒径的颗粒定义为小颗粒，为所述使用完毕浆中的颗粒之中所述小颗粒所占有的体积比率。


3.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，在所述第3工序中，以所述再利用浆的比重为规定的目标值的方式设定添加的磨粒和冷却剂的量。


4.根据权利要求3所述的晶片的制造方法，其中，
测定从所述第3槽采取的所述再利用浆的小颗粒体积分数RA，
在测定出的RA为5.0%以下的情况下，将所述再利用浆从所述第3槽直接供给到所述线锯，进行新的锭的切片加工，
在测定出的RA超过5.0%的情况下，再次在所述第2槽中将磨粒和冷却剂添加和混合到所述再生...

【专利技术属性】
技术研发人员：利根俊辅，铃木一彦，南畑祐司，舟山诚，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP