一种功率型电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率型电路，包括驱动芯片，所述驱动芯片的引脚VCC连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极；所述电容C2的负极接地；所述电阻R1的另一端连接有电容C1的正极，所述电容C1的负极接地；所述驱动芯片的引脚ZCD连接有电阻R2的一端，所述R2的另一端与所述二极管D2的正极相连并连接有变压器T初级线圈的一端，所述变压器T初级线圈的另一端接地。本实用新型专利技术在电路中增加一颗安规电容，可以有效降低30MHz‑100MHz的干扰强度。

A power type circuit

【技术实现步骤摘要】
一种功率型电路
本技术涉及电路
，具体来说，涉及一种功率型电路。
技术介绍
现有的功率型电路往往容易受到电磁干扰，为解决电磁干扰问题，经长时间测试验证，在电路中增加一颗安规电容，可以有效降低30MHz-100MHz的干扰强度。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的上述技术问题，本技术提出一种功率型电路，能够解决上述问题。为实现上述技术目的，本技术的技术方案是这样实现的：一种功率型电路，包括驱动芯片，所述驱动芯片的引脚VCC连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极；所述电容C2的负极接地；所述电阻R1的另一端连接有电容C1的正极，所述电容C1的负极接地；所述驱动芯片的引脚ZCD连接有电阻R2的一端，所述R2的另一端与所述二极管D2的正极相连并连接有变压器T初级线圈的一端，所述变压器T初级线圈的另一端接地；所述变压器T的次级线圈一端连接所述电容C1的正极，另一端连接有二极管D3的正极和MOS管的漏极，所述二极管D3的负极连接有电容C3的正极和电阻RF1的一端，所述电阻RF1的另一端连接有电阻RF2的一端，所述电阻RF2的另一端和所述电容C3的负极均接地；所述驱动芯片的引脚DOP连接所述MOS管的栅极，所述MOS管的源极连接有电阻RS的一端，所述电阻RS的另一端连接有电容CS1，所述电容CS1的另一端接地，所述电阻RS的另一端也接地；所述驱动芯片的引脚CS连接所述电阻RS的一端，所述驱动芯片的引脚VFB连接所述电阻RF1的一端。本技术的有益效果：本技术在电路中增加一颗安规电容，可以有效降低30MHz-100MHz的干扰强度。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是功率型电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，根据本技术实施例所述的一种功率型电路，包括驱动芯片，所述驱动芯片的引脚VCC连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极；所述电容C2的负极接地；所述电阻R1的另一端连接有电容C1的正极，所述电容C1的负极接地；所述驱动芯片的引脚ZCD连接有电阻R2的一端，所述R2的另一端与所述二极管D2的正极相连并连接有变压器T初级线圈的一端，所述变压器T初级线圈的另一端接地；所述变压器T的次级线圈一端连接所述电容C1的正极，另一端连接有二极管D3的正极和MOS管的漏极，所述二极管D3的负极连接有电容C3的正极和电阻RF1的一端，所述电阻RF1的另一端连接有电阻RF2的一端，所述电阻RF2的另一端和所述电容C3的负极均接地；所述驱动芯片的引脚DOP连接所述MOS管的栅极，所述MOS管的源极连接有电阻RS的一端，所述电阻RS的另一端连接有电容CS1，所述电容CS1的另一端接地，所述电阻RS的另一端也接地；所述驱动芯片的引脚CS连接所述电阻RS的一端，所述驱动芯片的引脚VFB连接所述电阻RF1的一端。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率型电路，包括驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片的引脚VCC连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极；所述电容C2的负极接地；所述电阻R1的另一端连接有电容C1的正极，所述电容C1的负极接地；所述驱动芯片的引脚ZCD连接有电阻R2的一端，所述R2的另一端与所述二极管D2的正极相连并连接有变压器T初级线圈的一端，所述变压器T初级线圈的另一端接地；所述变压器T的次级线圈一端连接所述电容C1的正极，另一端连接有二极管D3的正极和MOS管的漏极，所述二极管D3的负极连接有电容C3的正极和电阻RF1的一端，所述电阻RF1的另一端连接有电阻RF2的一端，所述电阻RF2的另一端和所述电容C3的负极均接地；所述驱动芯片的引脚DOP连接所述MOS管的栅极，所述MOS管的源极连接有电阻RS的一端，所述电阻RS的另一端连接有电容CS1，所述电容CS1的另一端接地，所述电阻RS的另一端也接地；所述驱动芯片的引脚CS连接所述电阻RS的一端，所述驱动芯片的引脚VFB连接所述电阻RF1的一端。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率型电路，包括驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片的引脚VCC连接有电阻R1的一端、电容C2的正极、二极管D2的负极；所述电容C2的负极接地；所述电阻R1的另一端连接有电容C1的正极，所述电容C1的负极接地；所述驱动芯片的引脚ZCD连接有电阻R2的一端，所述R2的另一端与所述二极管D2的正极相连并连接有变压器T初级线圈的一端，所述变压器T初级线圈的另一端接地；所述变压器T的次级线圈一端连接所述电容C1的正极，另一端连接有二极管D3的正极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚佳庆，鄂凌松，
申请(专利权)人：北京金晟达生物电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11