过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑制造技术

本申请提供了一种过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑，该过电压吸收电路可应用于单相Heric逆变拓扑中，该过电压吸收电路包括：钳位电容、吸收电阻、第一二极管和第二二极管；其中：钳位电容的一端和吸收电阻的一端，均与单相Heric逆变拓扑中的两横管的发射极相连；钳位电容的另一端和吸收电阻的另一端，均与第一二极管的一端和第二二极管的一端相连；第一二极管的另一端与两横管中的一个横管的集电极相连；第二二极管的另一端与两横管中的另一个横管的集电极相连。相较于现有的过电压吸收电路，本申请示出的电路的吸收效果大于吸收损耗，且不会出现电阻发热严重的现象，避免了因电阻发热严重导致的系统转换效率低的问题。

Over voltage absorption circuit and single-phase heric inverter topology

【技术实现步骤摘要】
过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑
本技术涉及集成电路领域，具体涉及一种过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑。
技术介绍
逆变器是光伏并网系统中的重要组件，逆变器的各项性能直接影响光伏并网系统的运行状况。现有基于Heric逆变拓扑的过电压吸收电路通常采用RC型或者RCD型的电路结构，对Heric逆变拓扑中两横管所产生的过电压进行吸收。现有的RC型过电压吸收电路，请参见图1，Heric逆变拓扑中两横管分别为图中的第三功率管Q3和第四功率管Q4。第三功率管Q3所产生的过电压由电阻R390和电容C1构成吸收电路进行吸收；其中，电阻R390的一端与第三功率管Q3的发射极相连，另一端与电容C1相连，电容C1的另一端与第三功率管Q3的集电极相连。第四功率管Q4所产生的过电压由电阻R392和电容C2构成的吸收电路进行吸收；其中，电阻R392的一端与第四功率管Q4的发射极相连，另一端与电容C2的一端相连，电容C2的另一端与第四功率管Q4的集电极相连。以此种连接方式构成的过电压吸收电路，虽然结构简单，可靠性高，但是吸收效果有限，吸收损耗与吸收效果成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过电压吸收电路，其特征在于，应用于单相Heric逆变拓扑中，所述过电压吸收电路包括：钳位电容、吸收电阻、第一二极管和第二二极管；其中：/n所述钳位电容的一端和所述吸收电阻的一端，均与所述单相Heric逆变拓扑中的两横管的发射极相连；/n所述钳位电容的另一端和所述吸收电阻的另一端，均与所述第一二极管的一端和所述第二二极管的一端相连；/n所述第一二极管的另一端与所述两横管中的一个横管的集电极相连；/n所述第二二极管的另一端与所述两横管中的另一个横管的集电极相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种过电压吸收电路，其特征在于，应用于单相Heric逆变拓扑中，所述过电压吸收电路包括：钳位电容、吸收电阻、第一二极管和第二二极管；其中：
所述钳位电容的一端和所述吸收电阻的一端，均与所述单相Heric逆变拓扑中的两横管的发射极相连；
所述钳位电容的另一端和所述吸收电阻的另一端，均与所述第一二极管的一端和所述第二二极管的一端相连；
所述第一二极管的另一端与所述两横管中的一个横管的集电极相连；
所述第二二极管的另一端与所述两横管中的另一个横管的集电极相连。


2.根据权利要求1所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述第一二极管的阳极与所述钳位电容相连，所述第一二极管的阴极与对应横管的集电极相连；
所述第二二极管的阳极与所述钳位电容相连，所述第二二极管的阴极与对应横管的集电极相连。


3.根据权利要求1所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述第一二极管的阴极与所述钳位电容相连，所述第一二极管的阳极与对应横管的集电极相连；
所述第二二极管的阴极与所述钳位电容相连，所述第二二极管的阳极与对应横管的集电极相连。


4.根据权利要求2所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述过电压吸收电路还包括：第一电阻和第二电阻；
所述第一电阻的一端与所述第一二极管的阳极相连，所述第一电阻的另一端分别与，所述钳位电容和所述吸收电阻均远离横管发射极的一端相连；
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【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，
申请(专利权)人：阳光电源上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31