本实用新型专利技术公开了一种数据存储保护电路，包括MCU和外部EEPROM存储芯片，还包括指令调节电路和隔离控制电路，指令信号首先送入指令调节电路中进行快速放大，提高指令信号的处理效率，同时采用运放器AR2对放大后的指令信号进行跟随输出，使其输出信号电压与运放器AR1的输入失调电压相抵消，从而消除失调影响，有效保证指令信号输出的有效性，隔离控制电路进一步对指令信号进行RC降噪后，利用运放隔离输出原理使指令信号稳定的输入到MCU中，MCU用于控制外部EEPROM存储芯片工作，本实用新型专利技术通过对指令信号进行调节处理，提高指令信号的抗干扰性和精确度，有效防止外部干扰使控制指令出现信号失调或中断，增强对数据存储保护效果。
A data storage protection circuit
【技术实现步骤摘要】
一种数据存储保护电路
本技术涉及数据存储
，特别是涉及一种数据存储保护电路。
技术介绍
随着电子商务的不断发展，企业用户会把越来越多的业务通过互联网来进行处理，这使得企业可以更好地节约成本、提高效率。其中互联网数据中心作为电子商务的服务平台，为用户提供基础平台服务和各种增值服务。用户通过服务器平台下发控制指令，通过MCU对控制指令的判断从而控制外部EEPROM存储芯片的读写操作，从而对数据存储起到保护作用，此保护方式对MCU程序跑飞时起到很好的保护效果，但是当存在外部干扰使控制指令出现信号失调或中断时，指令信号出现失效，很容易造成数据存储延时或失效现象，影响数据存储保护效果。所以本技术提供一种新的方案来解决此问题。
技术实现思路
针对上述情况，为克服现有技术之缺陷，本技术之目的在于提供一种数据存储保护电路。其解决的技术方案是：一种数据存储保护电路，包括MCU和外部EEPROM存储芯片，还包括指令调节电路和隔离控制电路，所述指令调节电路的输入端连接控制指令信号输出端，所述指令调节电路的输出端连接所述隔离控制电路的输入端，所述隔离控制电路的输出端连接所述MCU的指令输入端，所述MCU用于控制外部EEPROM存储芯片工作。进一步的，所述指令调节电路包括运放器AR1、AR2，运放器AR1的同相输入端通过电阻R1连接控制指令信号输出端，并通过电阻R2连接电容C1的一端和三极管Q1的基极，电容C1的另一端与三极管Q1的集电极通过电阻R4连接运放器AR1的输出端和电阻R3的一端，三极管Q1的发射极连接电阻R5、R6的一端和运放器AR2的同相输入端，电阻R5的另一端接地，运放器AR2的反相输入端通过电容C2连接运放器AR2的输出端、运放器AR1的反相输入端和电阻R3的另一端，电阻R6的另一端通过电容C3连接所述隔离控制电路的输入端。进一步的，所述隔离控制电路包括运放器AR3，运放器AR3的同相输入端通过电阻R7连接电容C3的另一端，并通过电容C4接地，运放器AR3的反相输入端通过电阻R8连接运放器AR3的输出端和所述MCU的指令输入端。进一步的，还包括警示电路，所述警示电路包括三极管Q2，三极管Q2的基极通过电阻R9连接所述MCU的控制输出端，三极管Q2的集电极通过电阻R10连接+5V电源，三极管Q2的发射极通过警示灯DS1接地。通过以上技术方案，本技术的有益效果为：1.本技术通过对指令信号进行调节处理，提高指令信号的抗干扰性和精确度，有效防止外部干扰使控制指令出现信号失调或中断，增强对数据存储保护效果；2.指令信号首先送入指令调节电路中进行快速放大，提高指令信号的处理效率，同时采用运放器AR2对放大后的指令信号进行跟随输出，使其输出信号电压与运放器AR1的输入失调电压相抵消，从而消除失调影响，有效保证指令信号输出的有效性；3.设置警示电路在数据存储出现异常发出预警指示信号，提醒管理人员及时查看，增强故障的直观性。附图说明图1为本技术指令调节电路原理图。图2为本技术隔离控制电路原理图。图3为本技术警示电路原理图。具体实施方式有关本技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考附图1至附图3对实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容，均是以说明书附图为参考。下面将参照附图描述本技术的各示例性的实施例。一种数据存储保护电路，包括MCU和外部EEPROM存储芯片，还包括指令调节电路和隔离控制电路。指令调节电路的输入端连接控制指令信号输出端，指令调节电路的输出端连接隔离控制电路的输入端，隔离控制电路的输出端连接MCU的指令输入端，MCU用于控制外部EEPROM存储芯片工作。如图1所示，服务器输出的指令信号首先送入指令调节电路中进行调节，指令调节电路包括运放器AR1、AR2，运放器AR1的同相输入端通过电阻R1连接控制指令信号输出端，并通过电阻R2连接电容C1的一端和三极管Q1的基极，电容C1的另一端与三极管Q1的集电极通过电阻R4连接运放器AR1的输出端和电阻R3的一端，三极管Q1的发射极连接电阻R5、R6的一端和运放器AR2的同相输入端，电阻R5的另一端接地，运放器AR2的反相输入端通过电容C2连接运放器AR2的输出端、运放器AR1的反相输入端和电阻R3的另一端，电阻R6的另一端通过电容C3连接隔离控制电路的输入端。指令信号首先送入运放器AR1中进行放大处理，通过经电阻R2分流后作为三极管Q1基极的导通电压，经运放器AR1放大后的指令信号送入三极管Q1的集电极使其导通，从而使指令信号得到快速放大，提高指令信号的处理效率，其中电容C1在三极管Q1放大过程中起到稳定作用。三极管Q1的放大信号经电阻R5、R6进行分流后，一部分信号送入运放器AR2中，运放器AR2利用电压跟随器原理对信号进行跟随输出，电容C2起到信号补偿的作用，改善运放器AR2输出信号的稳定度，防止指令信号出现输出中断。运放器AR2的输出信号送入运放器AR1的反相输入端，使其输出信号电压与运放器AR1的输入失调电压相抵消，从而消除失调影响，有效保证指令信号输出的有效性。三极管Q1的输出信号经电容C3耦合后送入隔离控制电路中进行处理。如图2所示，隔离控制电路包括运放器AR3，运放器AR3的同相输入端通过电阻R7连接电容C3的另一端，并通过电容C4接地，运放器AR3的反相输入端通过电阻R8连接运放器AR3的输出端和MCU的指令输入端。其中，电阻R7与电容C3形成RC滤波器对指令调节电路的输出信号进行降噪，然后送入运放器AR3中进行隔离输出，保证MCU可以稳定地接收处理后的指令信号。本技术在具体使用时，指令信号首先送入指令调节电路中进行快速放大，提高指令信号的处理效率，同时采用运放器AR2对放大后的指令信号进行跟随输出，使其输出信号电压与运放器AR1的输入失调电压相抵消，从而消除失调影响，有效保证指令信号输出的有效性。隔离控制电路进一步对指令信号进行RC降噪后，利用运放隔离输出原理使指令信号稳定的输入到MCU中。当存在外部干扰时，指令调节电路和隔离控制电路可以有效地消除干扰影响，有效避免信号失调或中断现象，使指令信号可以精确稳定的传输到MCU中，MCU通过对指令信号的判断控制外部EEPROM存储芯片的读写操作，从而对数据存储起到很好保护作用。为了增强故障的直观性，本技术还设置有警示电路，如图3所示，警示电路包括三极管Q2，三极管Q2的基极通过电阻R9连接MCU的控制输出端，三极管Q2的集电极通过电阻R10连接+5V电源，三极管Q2的发射极通过警示灯DS1接地。当数据存储出现异常时，MCU的控制输出端输出高电平信号使三极管Q2基极得电导通，继而警示灯DS1回路导通发出预警指示信号，提醒管理人员及时查看。综上所述，本技术通过对指令信号进行调节处理，提高指令信号的抗干扰性和精确度，有效防止外部干扰使控制指令出本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种数据存储保护电路，包括MCU和外部EEPROM存储芯片，其特征在于：还包括指令调节电路和隔离控制电路，所述指令调节电路的输入端连接控制指令信号输出端，所述指令调节电路的输出端连接所述隔离控制电路的输入端，所述隔离控制电路的输出端连接所述MCU的指令输入端，所述MCU用于控制外部EEPROM存储芯片工作。/n
【技术特征摘要】
1.一种数据存储保护电路，包括MCU和外部EEPROM存储芯片，其特征在于：还包括指令调节电路和隔离控制电路，所述指令调节电路的输入端连接控制指令信号输出端，所述指令调节电路的输出端连接所述隔离控制电路的输入端，所述隔离控制电路的输出端连接所述MCU的指令输入端，所述MCU用于控制外部EEPROM存储芯片工作。
2.根据权利要求1所述的数据存储保护电路，其特征在于：所述指令调节电路包括运放器AR1、AR2，运放器AR1的同相输入端通过电阻R1连接控制指令信号输出端，并通过电阻R2连接电容C1的一端和三极管Q1的基极，电容C1的另一端与三极管Q1的集电极通过电阻R4连接运放器AR1的输出端和电阻R3的一端，三极管Q1的发射极连接电阻R5、R6的一端和运放器AR2的同相输入端，电阻R5的另一...
【专利技术属性】
技术研发人员：段义山，赵维烨，石文利，周爽，
申请(专利权)人：中科易存软件江苏有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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