下光源曝光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于光学技术领域，更具体的说特别涉及一种下光源曝光装置，包括净化台，所述净化台内设有操作台，所述操作台下方设有曝光机，所述操作台的台面上设有用于安放掩模版的通孔，所述曝光机的曝光头正对着该通孔。本实用新型专利技术可以实现在连续生产时掩模版不需要移动，只需更换基片即可，大幅提高生产效率。

Lower light source exposure device

【技术实现步骤摘要】
下光源曝光装置
本技术属于光学
，更具体的说特别涉及一种下光源曝光装置。
技术介绍
光刻机在现代工业生产过程中应用非常广泛，用以将图文信号转移到需要的材料上，从7nm的半导体芯片制造到10um左右的枪瞄分划板，TFT显示屏，LED芯片制造等各种高低端领域都要应用到不同等级的光刻机，其品牌、样式繁多。然而传统的曝光机都是立式的，即紫外光光源从上往下照射，曝光时，掩模版在上面，基片在下面，也有一部分是从前往后及水平方向上的照射。其接触方式主要有三种：(1)软接触：把基片通过托盘吸附住(类似于匀胶机的基片放置方式)，掩模版盖在基片上面；(2)硬接触：将基片通过一个气压(氮气)，往上顶，使之与掩模版接触；(3)真空接触：在掩模版和基片中间抽气，使之更加好的贴合(想一想把被子抽真空放置的方式)。其中，软接触，基片需放置于承片台上，再通过机械的方式运动到掩模版底下，再上升与掩模版进行接触，曝光完成后又需类似的分离方式，这相对于光刻精度要求较低且不需要套刻的光学领域产品，其制造过程较为繁琐。硬接触及真空接错相对于传统的软接触其过程更为复杂，因此如有一种简捷又能满足生产需求的新曝光方式，对于部分不需要套刻的光刻产品，可大幅提高生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种下光源曝光装置，本技术可以实现在连续生产时掩模版不需要移动，只需更换基片即可，大幅提高生产效率。为实现上述目的，本专利技术所采取的技术方案是：一种下光源曝光装置，包括净化台1，其特征在于：所述净化台1内设有操作台3，所述操作台3下方设有曝光机6，所述操作台3的台面上设有用于安放掩模版8的通孔，所述曝光机6的曝光头7正对着该通孔。进一步地，所述净化台1背板上均匀设有若干净化风出风孔2，用于向净化台1内吹入水平向的净化风。进一步地，所述通孔为沉孔，所述掩模版8安装在沉孔内。进一步地，所述操作台3的台面上设有第一沉孔12，所述第一沉孔12内安放有掩模版承载板4，所述掩模版承载板4上开设有与掩模版8相匹配的第二沉孔13。进一步地，所述第二沉孔13为多边形，或圆形，或椭圆形。进一步地，所述曝光机6固定安装在固定支架5上，放置在操作台3的下方。本专利技术的有益效果为：本技术下光源曝光装置是专门针对分划板、码盘及大部分应用于光学领域带有精细图案的光刻类产品，可以实现在连续生产时掩模版不需要移动，只需更换基片即可，大幅提高生产效率。而且结果简易，不影响产品精度及要求，还能大幅减少掩模版的清洗次数，提高掩模版的寿命。本技术在曝光过程中掩模版与基片为软接触，大幅降低曝光过程中对掩模版的损伤，同时每次取走已曝光的产品后，还可初略的检查掩模版表面的洁净情况。从实迹情况统计来看，曝光生产效率可提高1倍以上，母版的寿命可延长3倍以上。附图说明图1是实施例中净化台的示意图。图2是实施例中曝光机的示意图。图3是实施例中操作台及掩模版承载板的示意图。图4是实施例中下光源曝光装置使用时的示意图。图5是实施例中利用本使用新型下光源曝光装置对基片进行曝光加工的工艺流程图。图中：净化台1，净化风出风孔2，操作台3，掩模版承载板4，固定支架5，曝光机6，曝光头7，掩模版8，基片9，遮光膜10，光刻胶层11，第一沉孔12，第二沉孔13。具体实施方式为了更好地理解本专利技术，下面结合实施例和附图对本专利技术的技术方案做进一步的说明。如图1-4所示，一种下光源曝光装置，包括净化台1，所述净化台1背板上均匀设有若干净化风出风孔2，用于向净化台1内吹入水平向的净化风。所述净化台1内设有操作台3，所述操作台3下方设有曝光机6，所述曝光机6固定安装在固定支架5上，放置在操作台3的下方。曝光机6的光源为汞灯光源，由光路部分及控制器组成，紫外光由下往上出光。曝光头7离操作台3台面的高度差大约为10厘米，即使曝光头7的玻璃上有灰尘，紫外光也可以通过其光的衍射特性，不会投影到基片9上。所述操作台3的台面上设有第一沉孔12，所述第一沉孔12内安放有掩模版承载板4。所述掩模版承载板4上开设有与掩模版8相匹配的第二沉孔13，用于安放掩模版8；所述第二沉孔13的形状如多边形、圆形、椭圆形等与掩模版8相匹配的形状。所述曝光机6的曝光头7正对着该第二沉孔13。利用本使用新型的下光源曝光装置对基片9进行曝光加工的工艺流程如图5所示。其中曝光过程为，如图4所示，(1)根据本批次的产品旋转对应的掩模版8，根据掩模版8选择带对应形状的第二沉孔13的掩模版承载板4；(2)将掩模版承载板4安装在操作台3上的第一沉孔12内，再将掩模版8放置在掩模版承载板4的第二沉孔13内；(3)再在掩模版承载板4上依次放置遮光膜10和带光刻胶层11的基片9，打开曝光机6开始曝光。以上说明仅为本专利技术的应用实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，因此依本专利技术申请专利范围所作的等效变化，仍属本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种下光源曝光装置，包括净化台(1)，其特征在于：所述净化台(1)内设有操作台(3)，所述操作台(3)下方设有曝光机(6)，所述操作台(3)的台面上设有用于安放掩模版(8)的通孔，所述曝光机(6)的曝光头(7)正对着该通孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种下光源曝光装置，包括净化台(1)，其特征在于：所述净化台(1)内设有操作台(3)，所述操作台(3)下方设有曝光机(6)，所述操作台(3)的台面上设有用于安放掩模版(8)的通孔，所述曝光机(6)的曝光头(7)正对着该通孔。


2.根据权利要求1所述的下光源曝光装置，其特征在于：所述净化台(1)背板上均匀设有若干净化风出风孔(2)，用于向净化台(1)内吹入水平向的净化风。


3.根据权利要求1所述的下光源曝光装置，其特征在于：所述通孔为沉孔，所述掩模版(8)安装在沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈翻，范利康，秦键，沙昭，
申请(专利权)人：武汉正源高理光学有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42