气体加热方法和气体加热设备技术

一种气体加热方法，其特征在于，在气体流动通路或加热室中设置板状陶瓷加热器或其中组合了多个陶瓷加热器的加热装置，用陶瓷加热器或加热装置加热供至流动通路或加热室的气体。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及加热气体的方法以及用于各种化学反应器的气体加热设备——例如，用于以下装置的气体加热设备对通过半导体器件和液晶制造过程而被排出的含NOX或NH3的废气进行处理的装置、对医院中的杀菌和消毒过程产生的有害或有毒废气进行处理的装置以及其它这类装置。
技术介绍
半导体器件制造过程包括晶片处理阶段，在所述晶片处理阶段中半导体晶片被处理以生成集成电路。在晶片处理阶段中实施各种处理，诸如薄膜沉积操作、氧化操作、掺杂操作以及蚀刻操作，以便在晶片正面上形成例如介电薄膜、电极布线和半导体薄膜。在实施各种过程中，包括物理气相沉积、化学气相沉积以及外延生长的技术被使用，并且因为诸如氧气、氢气以及一氧化氮气体等气体被用在所述过程中，所以不同的废气和副产气体被产生成为后处理废气。特别地，通过利用一氧化氮气体使热氧化膜成长在晶片上的操作，产生了包括氧化氮(NOX)的废气。同样地，在氮化镓外延操作中，产生了包括氨(NH3)的废气。由于将这些废气不经处理地排放到外部会导致环境污染，因此它们的浓度必须被降到许可水平之内。例如，一种处理包括氧化氮或NH3的废气的已知方法是湿吸收或涤气器方法，该方法使废气经本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：桥仓学，仲田博彦，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：