【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷基板、层状体和SAW器件
本公开涉及一种陶瓷基板、层状体和SAW器件。本申请要求享有基于在2017年10月12日提交的日本专利申请第2017-198778号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术介绍
SAW器件(声表面波器件)被安装在如移动电话的通信设备中，以便除去电信号中包含的噪音。SAW器件具有在压电基片上形成电极的结构。为了在运行过程中散热，将压电基片设置在由具有良好散热性能的材料形成的基底基板上。例如，由单晶蓝宝石形成的基板可以用作基底基板。然而，如果将这种由单晶蓝宝石形成的基板用作基底基板，则SAW器件的生产成本增加。为解决这个问题，已经提出了一种具有如下结构的SAW器件，即，其中将由多晶尖晶石形成的陶瓷基板用作基底基板，并且压电基片和陶瓷基板通过范德华力彼此结合(例如，参照专利文献1)。引用列表专利文献专利文献1：日本未经审查的专利申请公开第2011-66818号
技术实现思路
根据本公开的陶瓷基板是由多晶陶瓷形成并且具有支撑主表面的陶瓷基板。...
【技术保护点】
1.一种陶瓷基板，由多晶陶瓷形成，并且具有支撑主表面，其特征在于，/n在所述支撑主表面中，所述多晶陶瓷的晶粒尺寸的平均值为0.5μm以上且小于15μm，并且/n所述晶粒尺寸的标准偏差小于1.5倍所述平均值。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171012 JP 2017-1987781.一种陶瓷基板，由多晶陶瓷形成，并且具有支撑主表面，其特征在于，
在所述支撑主表面中，所述多晶陶瓷的晶粒尺寸的平均值为0.5μm以上且小于15μm，并且
所述晶粒尺寸的标准偏差小于1.5倍所述平均值。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于，在所述支撑主表面中的残余应力为-300MPa以上且300MPa以下。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板由选自由尖晶石、氧化铝、氧化镁、二氧化硅、莫来石、堇青石、氧化钙、二氧化钛、氮化硅、氮化铝和碳化硅组成的组中的至少一种材料形成。
4.根据权利要求1或2所述的陶瓷基板，其特征在于，所述多晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：下司庆一郎，长谷川干人，中山茂，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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