一种超高分辨率含金属嵌段共聚物及其制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种超高分辨率含金属嵌段共聚物及其制备方法与应用，嵌段共聚物包含嵌段A及嵌段B，嵌段A及嵌段B均由单体聚合得到，并且嵌段A和/或嵌段B中部分重复单元含金属元素；制备时，可采用先合成嵌段聚合物随后将金属后修饰的方法，也可使用含有金属的单体直接合成嵌段共聚物；该嵌段共聚物可作为光刻材料来应用。与现有技术相比，本发明专利技术在用于半导体光刻的DSA材料中掺入金属元素，得到的嵌段共聚物材料不需模板也能导向自组装得到长程有序的超高分辨率纳米图形，并且能够增加嵌段聚合物的抗刻蚀性能，进而由此提供了一种得到极高分辨率的崭新的光刻手段。

An ultra-high resolution block copolymer containing metal and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种超高分辨率含金属嵌段共聚物及其制备方法与应用
本专利技术属于光刻材料
，涉及一种超高分辨率含金属嵌段共聚物及其制备方法与应用。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit，IC)是信息化时代最关键的技术之一，从日常生活到工业生产，所有涉及到电子运算的器件均离不开芯片，而随着芯片的集成度不断提高，电子器件的功能也变得越来越强大，移动电话也得以一路走入3G、4G乃至5G的时代。在集成电路的制造工艺中，光刻(photopilthography)是举足轻重的关键技术。芯片的功能能够得到不断的提高，离不开光刻技术材料与工艺的发展。目前工业界前沿主要采用193nm和EUV光刻，并通过与浸没式曝光技术和双(多)重曝光技术等结合，将半导体生产节点从32nm、20nm、16nm、14nm、10nm乃至7nm以下一路推进，目前世界上最先进的半导体制造技术是TSMC的5nm节点，首次使用了13.5nm波长的EUV光刻技术，其分辨率可以达到13nm线宽。然而，传统光刻技术已经接近其能达到的物理极限，光刻技术工艺研发成本高昂，工艺流程复杂，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超高分辨率含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段共聚物包含嵌段A及嵌段B，所述的嵌段A及嵌段B均由单体聚合得到，并且所述的嵌段A和/或嵌段B中部分重复单元含金属元素。/n

【技术特征摘要】
1.一种超高分辨率含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段共聚物包含嵌段A及嵌段B，所述的嵌段A及嵌段B均由单体聚合得到，并且所述的嵌段A和/或嵌段B中部分重复单元含金属元素。


2.根据权利要求1所述的一种超高分辨率含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段A由A1组单体或A2组单体聚合得到，所述的A1组单体包括烯基和R3取代的C6-C10芳基化合物，所述的A2组单体包括烯基和R3取代的含1-4个杂原子的C6-C10杂芳基化合物，所述的杂原子选自N、O、S或P，所述的R3选自下组之一：无、卤素、取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基。


3.根据权利要求2所述的一种超高分辨率含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的A2组单体选自下组之一：





4.根据权利要求1所述的一种超高分辨率含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的嵌段B由如下单体聚合得到：



其中，R1选自下组之一：H、卤素、取代或未取代的C1-C6的烷基、取代或未取代的C1-C6的烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基；
R2选自下组之一：取代或未取代的C1-C40烷基、取代或未取代的C3-C30环烷基。


5.根据权利要求1所述的一种超高分辨率含金属嵌段共聚物，其特征在于，所述的金属元素选自Fe、Co、Ni、Ti、V、Nb、...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓海，李雪苗，杨振宇，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31