【技术实现步骤摘要】
新型盐化合物、化学增幅抗蚀剂组合物、及图案形成方法
本专利技术涉及新型盐化合物、化学增幅抗蚀剂组合物、及图案形成方法。
技术介绍
伴随LSI的高集成化与高速化，图案规则的微细化也急速发展。特别是闪存市场的扩大与记忆容量的增加会推动微细化。作为最先进的微细化技术，在ArF光刻的图案的两侧侧壁形成膜，利用从1个图案以一半线宽形成2个图案的双重图案化(SADP)的20nm节点程度的器件已经量产。作为次世代的10nm节点的微细加工技术，有重复2次SADP的SAQP为候选技术，但重复多次利用化学气相成长(CVD)的侧壁膜形成及利用干蚀刻的加工的该处理被指摘是非常昂贵的。波长13.5nm的极紫外线(EUV)光刻，能以1次曝光形成10nm程度的尺寸的图案，面向实用化的开发正加速中。ArF光刻从130nm节点的器件制作开始部分使用，从90nm节点的器件成为主要的光刻技术。作为下一45nm节点的光刻技术，起初使用F2激光的157nm光刻被认为有前景，但因各种问题而被指摘开发延宕，在投影透镜与晶圆之间插入水、乙二醇、甘油等折射率比空气更...
【技术保护点】
1.一种盐化合物，其由下式(A)表示；/n
【技术特征摘要】
20181115 JP 2018-2147181.一种盐化合物，其由下式(A)表示；
式中，R1为也可以含有杂原子的碳数1～20的1价烃基；R2为也可以含有杂原子的碳数1～20的2价烃基；R3为氢原子或碳数1～12的1价烃基；此外，R1与R3也可以彼此键结并和它们所键结的碳原子及氮原子一起形成环；Rf1、Rf2、Rf3及Rf4分别独立地为氢原子、氟原子或三氟甲基；L1为单键、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-或-O-；M+为1价有机阳离子；m为0或1；n为0或1。
2.根据权利要求1所述的盐化合物，其中，m及n为1，Rf1及Rf2为氟原子，Rf3及Rf4为氢原子。
3.根据权利要求1所述的盐化合物，其中，m及n为1，Rf1及Rf2为氟原子，Rf3为三氟甲基，Rf4为氢原子。
4.根据权利要求1至3项中任一项所述的盐化合物，其中，R1为含有内酯结构的基团。
5.根据权利要求1至3项中任一项所述的盐化合物，其中，M+为下式(A1)所示的锍阳离子、下式(A2)所示的碘鎓阳离子或下式(A3)所示的铵阳离子；
式中，R11～R19分别独立地为也可以含有杂原子的碳数1～20的1价烃基。
6.一种光致产酸剂，其由根据权利要求1至5项中任一项所述的盐化合物构成。
7.一种化学增幅抗蚀剂组合物，含有根据权利要求6所述的光致产酸剂。
8.根据权利要求7所述的化学增幅抗蚀剂组合物，还含有基础树脂，所述基础树脂包含具有下式(a)所示的重复单元及下式(b)所示的重复单元的聚合物；
式中，RA分别独立地为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基；ZA为单键、亚苯基、亚萘基或(主链)-C(＝O)-O-Z'-，Z'为也可以含有羟基、醚键、酯键或内酯环的碳数1～10的烷二基、或亚苯基或亚萘基；XA为酸不稳定基团；YA为氢原子、或含有选自羟基、氰基、羰基、羧基、醚键、酯键、磺酸酯键、碳酸酯键、内酯环、磺内酯环及羧酸酐中的至少1种以上的结构的极性基团。
9.根据权利要求7或8所述的化学增幅抗蚀剂组合物，还含有有机溶剂。
10.根据权利要求7或8所述的化学增幅抗蚀剂组合物，还含有淬灭剂。
11.根据权利要求10所述的化学增幅抗蚀剂组合物，其中，所述淬灭剂包含下式(1a)或(1b)所示的化合物；
式中，Rq1为氢原子、或也可以含有杂原子的碳数1～40的1价烃基，但与磺基的α位的碳原子键结的氢原子被氟原子或氟烷基取代的情形除外；Rq2为氢原子、或也可以含有杂原子的碳数1～40的1价烃基；Mq+为鎓阳离子。
12.根据权利要求10所述的化学增幅抗蚀剂组合物，其中，所述淬灭剂包含胺化合物。
13.根据权利要求7或8所述的化学增幅抗蚀剂组合物，还含有除根据权利要求6所述的光致产酸剂以外的其他光致产酸剂。
14.根据权利要求13所述的化学增幅抗蚀剂组合物，其中，所述其他光...
【专利技术属性】
技术研发人员：小野绘实子，提箸正义，福岛将大，计良祐纪，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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