兆赫兹无铅压电雾化元件制造技术

技术编号:24245887 阅读:30 留言:0更新日期:2020-05-22 20:53
本发明专利技术提供一种兆赫兹无铅压电雾化元件,工作频率介于1~5MHz范围,所述压电雾化元件采用不含铅元素的压电陶瓷材料制成,其中铅含量低于100 ppm,健康环保,可避免含铅压电产品带来的环境污染及健康危害问题。

Megahertz lead-free piezoelectric atomizer

【技术实现步骤摘要】
兆赫兹无铅压电雾化元件
本专利技术属于液体雾化及无铅压电
,具体涉及一种工作频率在兆赫兹范围的无铅压电雾化元件。
技术介绍
超声波雾化器采用压电陶瓷作为核心元件,通过外加电压驱动压电陶瓷产生高频振动,致使水中微小气泡核迅速生长和崩塌,使水分子团脱离相互作用,达到雾气颗粒直径范畴,产生雾化效果。现有超声波雾化器均使用锆钛酸铅(PZT)基压电陶瓷制作雾化元件;锆钛酸铅材料中(Pb)元素约占总质量的70%,此类材料在生产、使用及废弃处理时会给生态环境造成严重损害。在超声波雾化器工作时,含铅雾化元件与待雾化液体可直接接触,其中的铅可进入到雾粒中,进而被吸入肺部。铅是一种对人体危害极大的有毒重金属,铅及其化合物进入机体后将对神经、造血、消化、肾脏、心血管和内分泌等多个系统造成危害,特别是对于妇女和儿童,铅中毒会致畸、危害婴儿发育,破坏儿童神经系统,造成儿童脑组织损伤甚至导致终生残疾。许多国家都已出台相关政策以限制电子产品中铅的使用,如欧盟的RoHS指令要求电子元器件中铅含量不得超过1000ppm。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种兆赫兹无铅压电雾化元件,其特征在于:所述压电雾化元件的工作频率为1~5MHz,优选为1.7MHz或2.4MHz或3MHz,工作频率下的谐振阻抗为0.2~500Ω,优选为3~100Ω;其结构包括:/n无铅压电陶瓷片,所述无铅压电陶瓷圆环外径为5~30mm,厚度为0.3~3mm;/n上电极,位于无铅压电陶瓷片正面,所述上电极形状为圆形或圆环形;/n下电极,位于无铅压电陶瓷片背面,所述下电极形状为圆形;/n翻边电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种兆赫兹无铅压电雾化元件,其特征在于:所述压电雾化元件的工作频率为1~5MHz,优选为1.7MHz或2.4MHz或3MHz,工作频率下的谐振阻抗为0.2~500Ω,优选为3~100Ω;其结构包括:
无铅压电陶瓷片,所述无铅压电陶瓷圆环外径为5~30mm,厚度为0.3~3mm;
上电极,位于无铅压电陶瓷片正面,所述上电极形状为圆形或圆环形;
下电极,位于无铅压电陶瓷片背面,所述下电极形状为圆形;
翻边电极。


2.根据权利要求1所述的无铅压电陶瓷片,其特征在于:所述无...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚文吴超峰
申请(专利权)人:桐乡清锋科技有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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