【技术实现步骤摘要】
CMOS数据故障清除电路、系统及电脑主机
本申请涉及电子电路
,特别是涉及一种CMOS数据故障清除电路、系统及电脑主机。
技术介绍
CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,互补金属氧化物半导体)是指电脑主板上的一块可读写的RAM芯片,用来保存BIOS(BasicInputOutputSystem,基本输入输出系统)的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由电脑主板的电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失。电脑主板在正常使用过程中,通常会因为用户在BIOS界面内选项参数设置,又或者静电等原因导致CMOS中出现数据丢失故障。针对数据丢失故障的维修手段一般是打开电脑机箱,找到ClearCMOS的插针,对ClearCMOS的两个插针进行短接放电3~5秒,从而消除数据丢失故障。现有技术中对于数据丢失故障的维修需手动拆开电脑机箱,并找寻ClearCMOS,维修方法复杂。
技术实现思路
基于此,有必要针对现有技术中对于数据丢失故障的维修需手动拆开电脑机箱,并找寻 ...
【技术保护点】
1.一种CMOS数据故障清除电路,其特征在于,包括:/n第一场效应管(100),所述第一场效应管(100)的源极接地,所述第一场效应管(100)的栅极用于与前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接;/n第二场效应管(200),所述第二场效应管(200)的栅极与所述第一场效应管(100)的漏极连接,所述第二场效应管(200)的漏极用于与CMOS芯片(21)的数据故障清除端口连接,所述第二场效应管(200)的源极用于与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接,所述第二场效应管(200)的漏极能够输出低电平信号。/n
【技术特征摘要】
1.一种CMOS数据故障清除电路,其特征在于,包括:
第一场效应管(100),所述第一场效应管(100)的源极接地,所述第一场效应管(100)的栅极用于与前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接;
第二场效应管(200),所述第二场效应管(200)的栅极与所述第一场效应管(100)的漏极连接,所述第二场效应管(200)的漏极用于与CMOS芯片(21)的数据故障清除端口连接,所述第二场效应管(200)的源极用于与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接,所述第二场效应管(200)的漏极能够输出低电平信号。
2.根据权利要求1所述的CMOS数据故障清除电路,其特征在于,还包括:
延时电路(300),所述延时电路(300)的一端用于与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接,另一端与所述第一场效应管(100)的栅极连接。
3.根据权利要求2所述的CMOS数据故障清除电路,其特征在于,所述延时电路(300)包括:
电阻(310),一端用于与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接,另一端与所述第一场效应管(100)的栅极连接;
电容(320),一端与所述第一场效应管(100)的栅极连接,另一端接地。
4.根据权利要求1所述的CMOS数据故障清除电路,其特征在于,还包括:
第一电平输出电路(400),所述第一电平输出电路(400)连接于所述第一场效应管(100)的漏极与所述第二场效应管(200)的栅极之间,用于提供第一高电平并输送至所述第二场效应管(200)的栅极。
5.一种CMOS数据故障清除系统,其特征在于,包括:<...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙武源,
申请(专利权)人:广州商科信息科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。