电子设备和组件制造技术

技术编号:24226005 阅读:26 留言:0更新日期:2020-05-21 00:47
本公开的实施例涉及电子设备和组件。一种电子芯片,其包括集成光学波导,该集成光学波导具有末端部分,该末端部分平行于电子芯片的面延伸。设置在电子芯片中的局部凹槽与集成光学波导的末端部分相邻延伸。细长光学电缆包括光学波导,并且具有端部,该端部至少部分地接合在局部凹槽中。细长光学电缆的端部被配置为经由局部凹槽的区域中的横向耦合来支撑光学波导与集成光学波导的光学耦合。提供一种外部封装件以容纳电子芯片。

Electronic equipment and components

【技术实现步骤摘要】
电子设备和组件
本技术涉及包括光学波导的电子设备和组件领域。
技术介绍
在此所讨论的技术涉及与光学波导有关的技术。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种电子设备和组件,以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。根据一个方面,提供了一种电子设备,包括:电子集成电路芯片,包括半导体晶片和前互连层,其中所述半导体晶片中的至少一个集成光学波导具有末端部分,所述末端部分沿纵向方向平行于所述半导体晶片的面延伸,并且其中所述前互连层包括局部凹槽,所述局部凹槽与所述至少一个集成光学波导的所述末端部分相邻并且沿所述纵向方向延伸,以及细长光学电缆,包括至少一个光学波导并且具有端部,所述端部至少部分地接合在所述局部凹槽中,并且在一位置中平行于所述纵向方向延伸,使得所述光学电缆的所述至少一个光学波导经由所述局部凹槽的区域中的横向耦合被光学耦合到所述半导体晶片中的所述至少一个集成光学波导。根据一个实施例,粘合剂层被插置在所述半导体晶片和所述细长光学电缆的所述端部之间。根据一个实施例,还包括保持元件,所述保持元件被安装在所述电子集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备,其特征在于,包括:/n电子集成电路芯片,包括半导体晶片和前互连层,其中所述半导体晶片中的至少一个集成光学波导具有末端部分,所述末端部分沿纵向方向平行于所述半导体晶片的面延伸,并且其中所述前互连层包括局部凹槽,所述局部凹槽与所述至少一个集成光学波导的所述末端部分相邻并且沿所述纵向方向延伸,以及/n细长光学电缆,包括至少一个光学波导并且具有端部,所述端部至少部分地接合在所述局部凹槽中,并且在一位置中平行于所述纵向方向延伸,使得所述光学电缆的所述至少一个光学波导经由所述局部凹槽的区域中的横向耦合被光学耦合到所述半导体晶片中的所述至少一个集成光学波导。/n

【技术特征摘要】
20180725 FR 18568831.一种电子设备,其特征在于,包括:
电子集成电路芯片,包括半导体晶片和前互连层,其中所述半导体晶片中的至少一个集成光学波导具有末端部分,所述末端部分沿纵向方向平行于所述半导体晶片的面延伸,并且其中所述前互连层包括局部凹槽,所述局部凹槽与所述至少一个集成光学波导的所述末端部分相邻并且沿所述纵向方向延伸,以及
细长光学电缆,包括至少一个光学波导并且具有端部,所述端部至少部分地接合在所述局部凹槽中,并且在一位置中平行于所述纵向方向延伸,使得所述光学电缆的所述至少一个光学波导经由所述局部凹槽的区域中的横向耦合被光学耦合到所述半导体晶片中的所述至少一个集成光学波导。


2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,粘合剂层被插置在所述半导体晶片和所述细长光学电缆的所述端部之间。


3.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,还包括保持元件,所述保持元件被安装在所述电子集成电路芯片和所述细长光学电缆的所述端部上方。


4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,所述保持元件包括另一局部凹槽,所述光学电缆的所述端部至少部分地接合在所述另一局部凹槽中。


5.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,粘合剂层被插置在所述保持元件和所述细长光学电缆的所述端部之间。


6.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述半导体晶片包括外围边缘,所述外围边缘垂直于所述纵向方向延伸。


7.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,还包括基板,所述基板面向所述电子集成电路芯片并且与所述局部凹槽相对地在所述细长光学电缆的所述端部上方延伸。


8.根据权利要求7所述的设备,其特征在于,所述基板具有另一局部凹槽,所述细长光学电缆的所述端部至少部分地接合在所述另一局部凹槽中。


9.根据权利要求7所述的设备,其特征在于,粘合剂层被插置在所述基板和所述细长光学电缆的所述端部之间。


10.根据权利要求7所述的设备,其特征在于,所述基板包括电连接网络,并且所述设备还包括电连接元件,所述电连接元件被插置在所述电子集成电路芯片的所述前互连层与所述基板之间。


11.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述细长光学电缆的所述光学波导包括集成纵向芯,以及端子模块中的集成芯,所述集成芯的一端轴向...

【专利技术属性】
技术研发人员:R·科菲F·珀明加特JM·里维雷
申请(专利权)人:意法半导体格勒诺布尔二公司
类型:新型
国别省市:法国;FR

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