一种压控振荡器及温漂补偿方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种压控振荡器和温漂补偿方法，压控振荡器包括：温漂偏压产生电路、电感线圈、电容阵列和负阻管；电容阵列包括：并联的开关电容阵列和可变电容阵列；电感线圈连接负阻管和电容阵列；温漂偏压产生电路与电感线圈、开关电容阵列和可变电容阵列中的至少两个连接；温漂偏压产生电路用于为负阻管、开关电容阵列和可变电容阵列中的至少两个的偏压节点提供偏置电压，通过偏置电压调节电容值，调节输出频率，补偿温度对输出频率的影响；电感线圈的偏压节点在电感线圈之间的公共端；开关电容阵列的偏压节点在开关电容阵列的每级开关电容单元的晶体管的栅极的公共端，可变电容阵列的偏压节点在可变电容阵列的隔离电阻的公共端。

A voltage controlled oscillator and temperature drift compensation method

【技术实现步骤摘要】
一种压控振荡器及温漂补偿方法
本专利技术实施例涉及电子应用领域中的谐振电路
，尤其涉及一种压控振荡器及温漂补偿方法。
技术介绍
压控振荡器是指输出信号的频率和幅度与输入信号的电压有对应关系的振荡器，振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入电压的控制就可以构成一个压控振荡器。由于压控振荡器输出信号的频率和幅度会随着温度的变化而变化，这严重损害了系统的性能，采用温度补偿方法可以对压控振荡器输出信号的频率和幅度进行补偿。但是传统的温度补偿方案通常采用模拟闭环的方式，由于闭环稳定性不好控制，这会极大的降低整个电路的可靠性，而且闭环电路的结构设计相对杂度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种压控振荡器及温漂补偿方法，能够在保证温度补偿的功能下，简化压控振荡器的电路结构，提高温漂校准的精度。本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本专利技术实施例提供了一种压控振荡器，温漂偏压产生电路、电感线圈、电容阵列和负阻管；所述电容阵列包括：并联的开关电容阵列和可变电容阵列；...

【技术保护点】
1.一种压控振荡器，其特征在于，包括：/n温漂偏压产生电路、电感线圈、电容阵列和负阻管；所述电容阵列包括：并联的开关电容阵列和可变电容阵列；/n所述电感线圈分别连接所述负阻管和所述电容阵列；/n所述温漂偏压产生电路分别与所述电感线圈、所述开关电容阵列和所述可变电容阵列中的至少两个连接；/n所述温漂偏压产生电路用于为所述负阻管、所述开关电容阵列和所述可变电容阵列中的至少两个的偏压节点提供偏置电压，通过所述偏置电压调节电容值，进而调节输出频率，以补偿温度造成的对输出频率的影响；/n其中，所述电感线圈的偏压节点设置在电感线圈之间的公共端；所述开关电容阵列的偏压节点设置在开关电容阵列的每级开关电容单元...

【技术特征摘要】
1.一种压控振荡器，其特征在于，包括：
温漂偏压产生电路、电感线圈、电容阵列和负阻管；所述电容阵列包括：并联的开关电容阵列和可变电容阵列；
所述电感线圈分别连接所述负阻管和所述电容阵列；
所述温漂偏压产生电路分别与所述电感线圈、所述开关电容阵列和所述可变电容阵列中的至少两个连接；
所述温漂偏压产生电路用于为所述负阻管、所述开关电容阵列和所述可变电容阵列中的至少两个的偏压节点提供偏置电压，通过所述偏置电压调节电容值，进而调节输出频率，以补偿温度造成的对输出频率的影响；
其中，所述电感线圈的偏压节点设置在电感线圈之间的公共端；所述开关电容阵列的偏压节点设置在开关电容阵列的每级开关电容单元的晶体管的栅极的公共端，所述可变电容阵列的偏压节点设置在可变电容阵列的隔离电阻的公共端。


2.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，
所述电感线圈包括：初级电感线圈和次级电感线圈；
所述初级电感线圈连接并联的所述开关电容阵列和所述可变电容阵列，形成第一回路和第二回路；
所述初级电感线圈、所述次级电感线圈连接所述负阻管，形成第三回路。


3.根据权利要求2所述的压控振荡器，其特征在于，
所述初级电感线圈包括：第一电感线圈和第二电感线圈；所述第一电感线圈、所述第二电感线圈与所述开关电容阵列串联，所述第一电感线圈、所述第二电感线圈与所述可变电容阵列串联；
所述负阻管包括：第一负阻管和第二负阻管；
所述次级电感线圈包括：第三电感线圈和第四电感线圈；所述第三电感线圈的第一端连接所述第一负阻管的栅极，所述第四电感线圈连接所述第二负阻管的栅极，所述第三电感线圈的第二端与所述第四电感线圈的第二端串联；所述第一电感线圈的第一端与所述第一负阻管的漏极连接，所述第二电感线圈的第一端与所述第二负阻管的漏极连接；所述第一电感线圈的第二端与所述第二电感线圈的第二端连接；所述第一负阻管的源极和所述第二负阻管的源极接地；
其中，所述电感线圈的偏压节点设置在所述第三电感线圈的第二端与所述第四电感线圈的第二端之间。


4.根据权利要求1至3任一项所述的压控振荡器，其特征在于，
所述温漂偏压产生电路包括至少两个温漂偏压产生器和第一控制逻辑器，所述至少两个温漂偏压产生器与所述电感线圈、所述开关电容阵列和所述可变电容阵列中的至少两个中的至少两个一一对应；
所述至少两个温漂偏压产生器中的每个温漂偏压产生器包括：至少一个电源，与所述至少一个电源一一对应连接的至少一个开关，以及与所述至少一个开关均连接的输出支路和接地支路，所述输出支路输出偏置电压；所述至少一个开关与所述第一控制逻辑器连接，通过所述第一控制逻辑器控制所述至少一个开关的开合；
其中，所述至少一个电源为具有温度系数的电源。


5.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，
所述开关电容阵列包括多级开关电容单元；
所述多级开关电容单元中的每级开关电容单元包括：第二控制逻辑器、第一NMOS管、第二NMOS管、NMOS开关管、第一金属电容和第二金属电容；
所述第一NMOS管的栅极、所述第一NMOS管的漏极、所述第二NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极连接形成公共端；
所述第一金属电容、所述第二金属电容分别与所述NMOS开关管的漏极和源极一一对应连接；所述第一NMOS管的源极连接在第一金属电容和所述NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：张任伟，荣苏江，
申请(专利权)人：广州全盛威信息技术有限公司，北京奕斯伟信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44