一种像素电路、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种像素电路、显示面板及显示装置，通过调节在像素电路中增加的第一补偿电容和第二补偿电容的大小比例，可以调节第三节点的电压和第四节点的电压，使第三节点的电压大于第一节点的电压，以及使第四节点的电压小于第一节点的电压，这样一来，第三节点向第一节点反向充电，而第一节点向第四节点漏电，这样可以实现第一节点的充电过程与漏电过程互补，从而使第一节点电位达到平衡，可以降低第一节点漏电，提高像素电路中存储电容信号电压保持率，从而实现显示无闪烁感以及低帧频驱动，进而提高显示产品的显示品质。

A pixel circuit, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
一种像素电路、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种像素电路、显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)相比，OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前，在手机、平板电脑、数码相机等显示领域，OLED显示器已经开始取代传统的LCD显示器。与LCD利用稳定的电压控制亮度不同，OLED属于电流驱动，需要稳定的电流来控制其发光。其中有源矩阵有机电致发光二极管(AMOLED)显示器像素电路的基本功能是：在帧周期开始时进行显示信号刷新，在帧周期中利用存储电容Cst保持稳定的信号电压并施加于驱动器件控制端，例如驱动TFT(DTFT)的栅、源之间，使驱动器件在帧周期内稳定地输出像素OLED驱动电流。然而，像素电路在两次信号刷新之间的帧周期中，存储电容Cst信号电压保持率(VoltageHoldingRatio，VHR)决定了像素OLED驱动电流的稳定性和有效平均值，从而决定了像素显示发光的稳定性和有效亮度，而像素电路中由开关TFT(SwitchTFT，STFT)构成相关回路的漏电对存储电容Cst中信号电压保持率有直接影响，从而产生视觉闪烁感(Flicker)。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种像素电路、显示面板及显示装置，用以解决现有像素电路中由开关TFT构成相关回路的漏电对存储电容Cst中信号电压保持率有直接影响，而产生视觉闪烁感(Flicker)的问题。因此，本专利技术实施例提供了一种像素电路，包括：第一复位开关管，第一数据写入开关管，存储电容，第一补偿电容，第二补偿电容，驱动晶体管和第一发光控制开关管；所述第一复位开关管包括串联的第一子开关管和第二子开关管，所述第一数据写入开关管包括串联的第三子开关管和第四子开关管；其中，所述第一子开关管和所述第二子开关管的栅极均与第一扫描信号线电连接，所述第一子开关管的第一极与第一节点电连接，所述第二子开关管的第一极与复位信号线电连接，所述第一子开关管的第二极和所述第二子开关管的第二极均与第四节点电连接；所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述驱动晶体管的第一极与所述第一发光控制开关管的第一极电连接；所述第三子开关管和所述第四子开关管的栅极均与第二扫描信号线电连接，所述第三子开关管的第一极与所述第一节点电连接，所述第四子开关管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第三子开关管的第二极和所述第四子开关管的第二极均与第三节点电连接；所述第一发光控制开关管的栅极与发光控制信号线电连接，所述第一发光控制开关管的第二极与第一电源线电连接；所述存储电容分别与所述第一电源线和所述第一节点电连接；所述第一补偿电容的第一端与所述第一电源线电连接，所述第一补偿电容的第二端与所述第三节点电连接；所述第二补偿电容的第一端与所述复位信号线电连接，所述第二补偿电容的第二端与所述第四节点电连接；所述第一补偿电容和所述第二补偿电容用于在发光阶段：使所述第三节点的电压大于所述第一节点的电压，以及使所述第四节点的电压小于所述第一节点的电压。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，所述第一补偿电容和所述第二补偿电容具体用于在发光阶段：使所述第三节点的电压Vn3’与所述第一节点的电压Vn1’之差等于所述第一节点的电压Vn1’与所述第四节点的电压Vn4’之差。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，在所述发光阶段：Vn3’＝(Vdt+Vth)+C1/(C1+C3+Cn3-other)*ΔVSn，Vn4’＝Vinit+C2/(C2+C4+Cn4-other)*ΔVSn-1，Vn1’＝(Vdt+Vth)+Cn1-sn/(Cst+2*Cgd+Cn1-other)*ΔVSn+(Cn1-n5+Cgd)/(Cst+2*Cgd+Cn1-other)*ΔVn5，其中，Vdt为数据电压，Vth为所述驱动晶体管的阈值电压，C1为所述第三节点与所述第二扫描信号线之间的寄生电容，C2为所述第四节点与所述第一扫描信号线之间的寄生电容，C3为所述第一补偿电容的电容值，C4为所述第二补偿电容的电容值，Cn3-other为所述第三节点与其它信号线之间的寄生电容，Cn4-other为所述第四节点与其它信号线之间的寄生电容，Cn1-other为所述第一节点与其它信号线之间的寄生电容，Vinit为所述复位信号线上的复位电压，ΔVSn为所述第二扫描信号线上的电压差，ΔVSn-1为所述第一扫描信号线上的电压差，Cst为所述像素电路中所述存储电容的电容值，Cn1-sn为所述驱动晶体管的栅极与所述第二扫描信号线之间的寄生电容，Cgd为所述驱动晶体管的沟道电容，Cn1-n5为所述第一节点和所述驱动晶体管的第二极之间的电容，ΔVn5为所述驱动晶体管的第二极在发光阶段和发光阶段的之前的电压差。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，所述Vn1’为固定值，所述第一补偿电容的电容值C3和所述第二补偿电容的电容值C4根据Vn3’>Vn1’>Vn4’确定。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，包括有源层、第一栅极金属层、第二栅极金属层和源漏金属层，所述第一补偿电容的第一端为位于所述源漏金属层的所述第一电源线，所述第一补偿电容的第二端位于所述有源层的导体化区、所述第一栅极金属层、所述第二栅极金属层其中之一膜层；所述第二补偿电容的第一端为位于所述第二栅极金属层的所述复位信号线，所述第二补偿电容的第二端位于所述有源层的导体化区、所述第一栅极金属层、所述源漏金属层其中之一膜层。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，当所述第一补偿电容的第二端和所述第二补偿电容的第二端均位于所述第一栅极金属层或第二栅极金属层时，所述第一补偿电容的第二端通过过孔电连接至所述第三节点，所述第二补偿电容的第二端通过过孔电连接至所述第四节点。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，还包括：第二数据写入开关管，第二复位开关管，第二发光控制开关管和发光器件；其中，所述第二数据写入开关管的栅极与所述第二扫描信号线电连接，所述第二数据写入开关管的第一极与数据信号线电连接，所述第二数据写入开关管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；所述第二复位开关管的栅极与所述第一扫描信号线电连接，所述第二复位开关管的第一极与所述复位信号线电连接，所述第二复位开关管的第二极与所述发光器件的阳极电连接；所述发光器件的阴极与第二电源线电连接；所述第二发光控制开关管的栅极与所述发光控制信号线电连接，所述第二发光控制开关管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第二发光控制开关管的第二极与所述发光器件的阳极电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路，其特征在于，包括：第一复位开关管，第一数据写入开关管，存储电容，第一补偿电容，第二补偿电容，驱动晶体管和第一发光控制开关管；所述第一复位开关管包括串联的第一子开关管和第二子开关管，所述第一数据写入开关管包括串联的第三子开关管和第四子开关管；其中，/n所述第一子开关管和所述第二子开关管的栅极均与第一扫描信号线电连接，所述第一子开关管的第一极与第一节点电连接，所述第二子开关管的第一极与复位信号线电连接，所述第一子开关管的第二极和所述第二子开关管的第二极均与第四节点电连接；/n所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述驱动晶体管的第一极与所述第一发光控制开关管的第一极电连接；/n所述第三子开关管和所述第四子开关管的栅极均与第二扫描信号线电连接，所述第三子开关管的第一极与所述第一节点电连接，所述第四子开关管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第三子开关管的第二极和所述第四子开关管的第二极均与第三节点电连接；/n所述第一发光控制开关管的栅极与发光控制信号线电连接，所述第一发光控制开关管的第二极与第一电源线电连接；/n所述存储电容分别与所述第一电源线和所述第一节点电连接；/n所述第一补偿电容的第一端与所述第一电源线电连接，所述第一补偿电容的第二端与所述第三节点电连接；/n所述第二补偿电容的第一端与所述复位信号线电连接，所述第二补偿电容的第二端与所述第四节点电连接；/n所述第一补偿电容和所述第二补偿电容用于在发光阶段：使所述第三节点的电压大于所述第一节点的电压，以及使所述第四节点的电压小于所述第一节点的电压。/n...

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括：第一复位开关管，第一数据写入开关管，存储电容，第一补偿电容，第二补偿电容，驱动晶体管和第一发光控制开关管；所述第一复位开关管包括串联的第一子开关管和第二子开关管，所述第一数据写入开关管包括串联的第三子开关管和第四子开关管；其中，
所述第一子开关管和所述第二子开关管的栅极均与第一扫描信号线电连接，所述第一子开关管的第一极与第一节点电连接，所述第二子开关管的第一极与复位信号线电连接，所述第一子开关管的第二极和所述第二子开关管的第二极均与第四节点电连接；
所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点电连接，所述驱动晶体管的第一极与所述第一发光控制开关管的第一极电连接；
所述第三子开关管和所述第四子开关管的栅极均与第二扫描信号线电连接，所述第三子开关管的第一极与所述第一节点电连接，所述第四子开关管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第三子开关管的第二极和所述第四子开关管的第二极均与第三节点电连接；
所述第一发光控制开关管的栅极与发光控制信号线电连接，所述第一发光控制开关管的第二极与第一电源线电连接；
所述存储电容分别与所述第一电源线和所述第一节点电连接；
所述第一补偿电容的第一端与所述第一电源线电连接，所述第一补偿电容的第二端与所述第三节点电连接；
所述第二补偿电容的第一端与所述复位信号线电连接，所述第二补偿电容的第二端与所述第四节点电连接；
所述第一补偿电容和所述第二补偿电容用于在发光阶段：使所述第三节点的电压大于所述第一节点的电压，以及使所述第四节点的电压小于所述第一节点的电压。


2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一补偿电容和所述第二补偿电容具体用于在发光阶段：使所述第三节点的电压Vn3’与所述第一节点的电压Vn1’之差等于所述第一节点的电压Vn1’与所述第四节点的电压Vn4’之差。


3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，在所述发光阶段：
Vn3’＝(Vdt+Vth)+C1/(C1+C3+Cn3-other)*ΔVSn，
Vn4’＝Vinit+C2/(C2+C4+Cn4-other)*ΔVSn-1，
Vn1’＝(Vdt+Vth)+Cn1-sn/(Cst+2*Cgd+Cn1-other)*ΔVSn+(Cn1-n5+Cgd)/(Cst+2*Cgd+Cn1-other)*ΔVn5，
其中，Vdt为数据电压，Vth为所述驱动晶体管的阈值电压，C1为所述第三节点与所述第二扫描信号线之间的寄生电容，C2为所述第四节点与所述第一扫描信号线之间的寄生电容，C3为所述第一补偿电容的电容值，C4为所述第二补偿电容的电容值，Cn3-other为所述第三节点与其它信号线之间的寄生电容，Cn4-other为所述第四节点与其它信号线之间的寄...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽，郑灿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11