负型光阻混合物及光阻图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，负型光阻混合物包括香豆素衍生线性聚合物，光阻图案形成方法包括整层涂布负型光阻混合物形成一负型光阻层，使用掩模构件对负型光阻层的遮光部分进行遮光，对负型光阻层未被掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，曝光部分包括负型光阻层和包裹负型光阻层的体型凝胶，使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。

Negative photoresist mixture and the formation of photoresist pattern

【技术实现步骤摘要】
负型光阻混合物及光阻图案形成方法
本专利技术涉及曝光显影
，尤其涉及一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法。
技术介绍
在显示器件的制程中，通过光阻的曝光显影形成基板上的负型光阻图案，现有负型光阻在曝光显影时，当显影液发生浓度偏高或因基板传输异常造成显影时间偏长时，曝光部分的负型光阻会逐渐被显影液溶解，导致负型光阻过显，进而影响到图形尺寸精确度和产品良率，现有光阻图案形成方法存在曝光部分的负型光阻部分溶解的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，用于解决光阻图案形成方法存在曝光部分的负型光阻部分溶解的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种负型光阻混合物，其包括负型光阻材料和与所述负型光阻材料混合的香豆素衍生线性聚合物，在光照时，所述香豆素衍生线性聚合物形成体型凝胶。在本专利技术提供的负型光阻混合物中，所述香豆素衍生线性聚合物为邻羟基肉桂酸的香豆素母环聚合而成。在本专利技术提供的负型光阻混合物中，所述香豆素衍生线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负型光阻混合物，其特征在于，包括负型光阻材料和与所述负型光阻材料混合的香豆素衍生线性聚合物，在光照时，所述香豆素衍生线性聚合物形成体型凝胶。/n

【技术特征摘要】
1.一种负型光阻混合物，其特征在于，包括负型光阻材料和与所述负型光阻材料混合的香豆素衍生线性聚合物，在光照时，所述香豆素衍生线性聚合物形成体型凝胶。


2.根据权利要求1所述的负型光阻混合物，其特征在于，所述香豆素衍生线性聚合物为邻羟基肉桂酸的香豆素母环聚合而成。


3.根据权利要求1所述的负型光阻混合物，其特征在于，所述香豆素衍生线性聚合物为邻羟基肉桂酸乙酯的香豆素母环聚合而成。


4.根据权利要求1所述的负型光阻混合物，其特征在于，所述香豆素衍生线性聚合物的重量平均分子量小于所述负型光阻材料的重量平均分子量。


5.一种光阻图案形成方法，其特征在于，包括：
整层涂布混合有香豆素衍生线性聚合物的负型光阻材料，以形成一负型光阻层；
使用掩模构件对所述负型光阻层的遮光部分进行遮光；
对所述负型光阻层未被所述掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，所述曝光部分包括所述负型光阻层和包裹所述负型光阻层的体型凝胶；
使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。


6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高攀，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44