负型光阻混合物及光阻图案形成方法技术

本发明专利技术提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，负型光阻混合物包括香豆素衍生线性聚合物，光阻图案形成方法包括整层涂布负型光阻混合物形成一负型光阻层，使用掩模构件对负型光阻层的遮光部分进行遮光，对负型光阻层未被掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，曝光部分包括负型光阻层和包裹负型光阻层的体型凝胶，使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。

Negative photoresist mixture and the formation of photoresist pattern

【技术实现步骤摘要】
负型光阻混合物及光阻图案形成方法
本专利技术涉及曝光显影
，尤其涉及一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法。
技术介绍
在显示器件的制程中，通过光阻的曝光显影形成基板上的负型光阻图案，现有负型光阻在曝光显影时，当显影液发生浓度偏高或因基板传输异常造成显影时间偏长时，曝光部分的负型光阻会逐渐被显影液溶解，导致负型光阻过显，进而影响到图形尺寸精确度和产品良率，现有光阻图案形成方法存在曝光部分的负型光阻部分溶解的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，用于解决光阻图案形成方法存在曝光部分的负型光阻部分溶解的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种负型光阻混合物，其包括负型光阻材料和与所述负型光阻材料混合的香豆素衍生线性聚合物，在光照时，所述香豆素衍生线性聚合物形成体型凝胶。在本专利技术提供的负型光阻混合物中，所述香豆素衍生线性聚合物为邻羟基肉桂酸的香豆素母环聚合而成。在本专利技术提供的负型光阻混合物中，所述香豆素衍生线性聚合物为邻羟基肉桂酸乙酯的香豆素母环聚合而成。在本专利技术提供的负型光阻混合物中，所述香豆素衍生线性聚合物的重量平均分子量小于所述负型光阻材料的重量平均分子量。一种光阻图案形成方法，其特征在于，包括：整层涂布混合有香豆素衍生线性聚合物的负型光阻材料，以形成一负型光阻层；使用掩模构件对所述负型光阻层的遮光部分进行遮光；对所述负型光阻层未被所述掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，所述曝光部分包括所述负型光阻层和包裹所述负型光阻层的体型凝胶；使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。本专利技术实施例提供一种光阻图案形成方法，其包括：提供香豆素衍生线性聚合物和负型光阻材料，在一承载构件内先倒入负型光阻材料，将香豆素衍生线性聚合物慢慢倒入所述承载构件内，搅拌使所述负型光阻材料和所述香豆素衍生线性聚合物充分混合，得到混合有香豆素衍生线性聚合物的负型光阻材料。在本专利技术提供的负型光阻混合物中，所述光阻图案形成方法的步骤还包括：用350纳米至380纳米范围的紫外光对所述曝光部分进行曝光。在本专利技术提供的负型光阻混合物中，所述光阻图案形成方法的步骤还包括：用365纳米的紫外光对所述曝光部分进行曝光。在本专利技术提供的负型光阻混合物中，所述光阻图案形成方法的步骤还包括：用240纳米至270纳米范围的紫外光照射所述曝光部分，使所述体型凝胶解离成可溶型线性聚合物，分散在负型光阻混合物中。在本专利技术提供的负型光阻混合物中，所述光阻图案形成方法的步骤还包括：用254纳米的紫外光照射所述曝光部分，使所述体型凝胶解离成可溶型线性聚合物。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，所述负型光阻混合物包括负型光阻材料和与所述负型光阻材料混合的香豆素衍生线性聚合物，在光照时，所述香豆素衍生线性聚合物形成体型凝胶，所述光阻图案形成方法包括整层涂布负型光阻混合物形成一负型光阻层，使用掩模构件对负型光阻层的遮光部分进行遮光，对负型光阻层未被掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，曝光部分包括负型光阻层和包裹负型光阻层的体型凝胶，使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案；在负型光阻内混合香豆素衍生线性聚合物，在365纳米的紫外光照射下，形成体型凝胶保护曝光部分的负型光阻不被显影液溶解，在显影结束后，在254纳米的紫外光照射下，体型凝胶解离成可溶型线性聚合物，不影响负型光阻的后续制程，缓解了现有光阻图案形成方法存在曝光部分的负型光阻部分溶解的技术问题。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有光阻图案形成方法中的技术方案，下面将对实施例或现有光阻图案形成方法描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的光阻图案形成方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的负型光阻曝光的第一种截面示意图；图3为本专利技术实施例提供的负型光阻曝光的第二种截面示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。针对现有光阻图案形成方法存在曝光部分的负型光阻部分溶解的技术问题，本专利技术实施例可以解决这个问题。如图1、图2所示，本专利技术实施例提供的负型光阻混合物包括负型光阻材料和与所述负型光阻材料混合的香豆素衍生线性聚合物，在光照时，所述香豆素衍生线性聚合物形成体型凝胶，所述体型凝胶保护所述曝光部分的负型光阻不被显影液溶解。在一种实施例中，所述香豆素衍生线性聚合物为邻羟基肉桂酸的香豆素母环聚合而成。在一种实施例中，所述香豆素衍生线性聚合物为邻羟基肉桂酸乙酯的香豆素母环聚合而成。在一种实施例中，所述香豆素衍生线性聚合物的重量平均分子量小于所述负型光阻材料的重量平均分子量。基于上述负型光阻混合物，本专利技术还提供一种光阻图案形成方法，如图1所示，光阻图案形成方法包括：S1:整层涂布混合有香豆素衍生线性聚合物的负型光阻材料形成一负型光阻层；S2:使用掩模构件对所述负型光阻层的遮光部分进行遮光；S3:对所述负型光阻层未被所述掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，所述曝光部分包括所述负型光阻层和包裹所述负型光阻层的体型凝胶；S4:使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。在本实施例中，用254纳米的紫外光M2照射，体型凝胶50解离成可溶型线性聚合物，所述可溶型线性聚合物分散在所述负型光阻30中，所述可溶型线性聚合物不会影响负型光阻30的组成，也不会影响后续制程。在一种实施例中，所述图案形成方法的步骤还包括：用350纳米至380纳米范围的紫外光对所述曝光部分进行曝光。在一种实施例中，所述图案形成方法的步骤还包括：用365纳米的紫外光对所述曝光部分进行曝光。在一种实施例中，所述图案形成方法的步骤还包括：用240纳米至270纳米范围的紫外光照射所述曝光部分，使所述体型凝胶解离成可溶型线性聚合物。在一种实施例中，所述图案形成方法的步骤还包括：用254纳米的紫外光照射所述曝光部分，使所述体型凝胶解离成可溶型线性聚合物。在负型光阻内混合香豆素衍生线性聚合物，在365纳米的紫外光照射下，形成体型凝胶保护曝光部分的负型光阻不被显影液溶解，在显影结束后，在254纳米的紫外光照射下，体型凝胶解离成可溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负型光阻混合物，其特征在于，包括负型光阻材料和与所述负型光阻材料混合的香豆素衍生线性聚合物，在光照时，所述香豆素衍生线性聚合物形成体型凝胶。/n

【技术特征摘要】
1.一种负型光阻混合物，其特征在于，包括负型光阻材料和与所述负型光阻材料混合的香豆素衍生线性聚合物，在光照时，所述香豆素衍生线性聚合物形成体型凝胶。


2.根据权利要求1所述的负型光阻混合物，其特征在于，所述香豆素衍生线性聚合物为邻羟基肉桂酸的香豆素母环聚合而成。


3.根据权利要求1所述的负型光阻混合物，其特征在于，所述香豆素衍生线性聚合物为邻羟基肉桂酸乙酯的香豆素母环聚合而成。


4.根据权利要求1所述的负型光阻混合物，其特征在于，所述香豆素衍生线性聚合物的重量平均分子量小于所述负型光阻材料的重量平均分子量。


5.一种光阻图案形成方法，其特征在于，包括：
整层涂布混合有香豆素衍生线性聚合物的负型光阻材料，以形成一负型光阻层；
使用掩模构件对所述负型光阻层的遮光部分进行遮光；
对所述负型光阻层未被所述掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，所述曝光部分包括所述负型光阻层和包裹所述负型光阻层的体型凝胶；
使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。


6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高攀，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44