球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用技术

球状Ag@T‑ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用，涉及一种球状复合粉体的制备方法及其应用。本发明专利技术要解决球状纳米银作为增强相因无法产生量子遂穿效应导致很难满足现代微电容器和传感器对介电性能的需求的技术问题。本发明专利技术以硝酸银、聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇为原料制备球状Ag然后加入四针状氧化锌，反应后洗涤、离心、烘干得到球状Ag@T‑ZnOw粉体。采用铺膜和压片制备介电聚合物复合薄膜。本发明专利技术球状Ag@T‑ZnOw粉体可发生量子遂穿效应，具有优良的电学性能，加入聚合物基体后，可以制备传感器，微电容器等器件，具有广阔的应用前景。

globular Ag@T-ZnOw Preparation method of powder and preparation method and application of high dielectric polymer composite film

【技术实现步骤摘要】
球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用
本专利技术涉及一种球状复合粉体的制备方法及其应用；具体涉及球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用；球状Ag@T-ZnOw粉体用于制作微电容器和传感器器件等。
技术介绍
随着电子信息技术和纳米科技的飞速发展，嵌入式电容器已广泛应用于各种微电子系统。其中，电子元件的日趋微型化和质轻化对器件的集成度、安全性和寿命提出了更高的要求。以聚合物为基体制备具有高介电常数和低接电损耗的复合材料成为现代电介质材料的发展趋势。介电材料以静电形式储存能量，在信息，电子和电力行业中都有非常重要的应用。传统的无机压电陶瓷材料因其制备工艺复杂，易脆，介电损耗较大，与目前电路集成加工技术的相容性差等缺点限制了它的应用。球状纳米银比表面积大，密度低，导电性良好，能极大改善材料的介电性能，然而因球状纳米银产率低和形貌单一，采用球状纳米银作为增强相无法发生尖端触碰，无法构成导电网络，从而无法产生量子遂穿效应；很难满足现代微电容器和传感器对介电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法，其特征在于所述制备方法是按下述步骤进行的：/n步骤一、将硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮混合，然后加入乙二醇，边搅拌边升温至140℃-170℃，保温30min-2h，自然冷却至60℃-80℃；/n步骤二、然后加入四针状氧化锌，在60℃-80℃下，保温搅拌2h-4h，冷却至室温；/n步骤三、然后经过体积浓度为95％的乙醇溶液洗涤，离心处理至少3次后烘干，得到Ag@T-ZnOw粉体。/n

【技术特征摘要】
1.球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法，其特征在于所述制备方法是按下述步骤进行的：
步骤一、将硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮混合，然后加入乙二醇，边搅拌边升温至140℃-170℃，保温30min-2h，自然冷却至60℃-80℃；
步骤二、然后加入四针状氧化锌，在60℃-80℃下，保温搅拌2h-4h，冷却至室温；
步骤三、然后经过体积浓度为95％的乙醇溶液洗涤，离心处理至少3次后烘干，得到Ag@T-ZnOw粉体。


2.根据权利要求1所述的球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法，其特征在于将0.25g-0.4g硝酸银和0.8g-1.2g聚乙烯吡咯烷酮混合，然后加入90mL-120mL乙二醇。


3.根据权利要求2所述的球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法，其特征在于步骤二中加入1.5g-2g四针状氧化锌。


4.根据权利要求1、2或3所述的球状Ag@T-ZnOw粉体的制备方法，其特征在于步骤三中离心速率为2000rpm-3000rpm；烘干温度为80℃～90℃。


5.如权利要求1、2、3或4方法制得的球状Ag@T-ZnOw粉体制备高介电聚合物复合薄膜的方法，其特征在于所述制备高介电聚合物复合薄膜的方法
步骤1、将球状...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁凌，罗金玉，关丽珠，张笑瑞，刘立柱，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：黑龙;23