【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅红外辐射陶瓷材料及其制备方法
本专利技术涉及一种碳化硅红外辐射陶瓷材料及其制备方法，具体涉及一种具有高红外发射率的碳化硅陶瓷材料及其制备方法，属于红外辐射陶瓷领域。
技术介绍
红外辐射陶瓷材料是指在红外波段具有高发射率或特征发射率的无机材料，是一种重要的功能材料。红外辐射陶瓷材料具有优良的红外辐射性能、化学稳定性及高温稳定性等特点，可广泛应用于红外光源、红外加热器、热光伏辐射器、航天器热控制涂层、星载微波定标源、核聚变定标源、LED散热基板等领域。例如：在高温炉中，绝大部分传热是由于辐射引起的，将高发射率涂料涂覆在金属或耐火基体表面，可有效提高炉的热辐射效率，显著降低热损失，使炉内回火分布更加均匀，红外辐射涂层材料可以对基体起到保护作用，减少维护，提高炉体的使用寿命，美国CRC公司研制的红外辐射材料应用于工业炉可节能10～30％，同时能够对炉衬基体有一定的保护作用，可延长其使用寿命1～4倍；在高超声速飞行器领域，其突出特点是飞行过程中对飞行器表面的传热，这种热能可以通过增加表面的辐射和传导传热来降低，高发射...
【技术保护点】
1.一种碳化硅红外辐射陶瓷材料，其特征在于，所述碳化硅红外辐射陶瓷材料的原料组成包括：
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅红外辐射陶瓷材料，其特征在于，所述碳化硅红外辐射陶瓷材料的原料组成包括：β-SiC和MgO-Al2O3-SiO2助剂；优选包括：76.5～95wt%β-SiC、0～8.5wt%AlN、5～15wt%MgO-Al2O3-SiO2助剂，各组分含量之和为100wt%。
2.根据权利要求1所述的碳化硅红外辐射陶瓷材料，其特征在于，所述MgO-Al2O3-SiO2助剂的原料组分包括：10～30wt%MgO、15～40wt%Al2O3、20～60wt%SiO2，各组分含量之和为100wt%。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅红外辐射陶瓷材料，其特征在于，所述碳化硅红外辐射陶瓷材料在2.5～16μm的常温下的红外发射率为0.75～0.84；所述碳化硅红外辐射陶瓷材料的密度为2.01～2.50g/cm3，弯曲强度为68～210MPa。
4.一种如权利要求1-3中任一项所述的碳化硅红外辐射陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括：
（1）选用β-SiC粉体和AlN粉体作为原料粉体混合后，再在1700～2000℃固溶反应，得到固溶粉体；
（2）将所得固溶粉体和MgO-Al2O3-SiO2助剂混合，得到混合粉体；
（3）将所得混合粉体压制成型后，再经真空脱粘和烧结，得到所述碳化硅红外辐射陶瓷材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，祝明，黄政仁，朱云洲，姚秀敏，陈忠明，刘学建，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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