一种制作MEMS驱动器的方法技术

本发明专利技术提供了一种制作MEMS驱动器的方法，所述制作MEMS驱动器的方法包括：提供一晶圆基片，具有第一氧化物层以及分别沉积于所述第一氧化物层相对表面的第一硅层和第二硅层；在所述第二硅层的表面沉积形成第二氧化物层后，对所述第一硅层进行元素掺杂形成与所述第一氧化物层间隔的掺杂区域；在所述第一硅层的表面沉积第三氧化物层，刻蚀所述第三氧化物层以形成位于边缘的第一氧化结构，所述第一氧化结构围设成第一空腔。本发明专利技术提供的制作MEMS驱动器的方法，通过控制经典的晶圆片制造方法加工一个现有的硅晶圆就能够制作出MEMS驱动器的方法，消除粘接过程和微装配过程，简化整个MEMS执行器过程。

A method of making MEMS driver

【技术实现步骤摘要】
一种制作MEMS驱动器的方法
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种制作MEMS驱动器的方法。
技术介绍
现有的制作MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微机电系统)驱动器的方法包括以下三种：1、通过将平面内运动装置和平面外运动装置附着在一起；2、通过将平面内运动装置和微装配的激活；3、通过将第一片晶片制造和第二片晶片制造的键合；通过粘接过程和微装配过程，提高整个MEMS执行器过程的复杂度；键合过程会引入额外的晶圆片，而键合过程的控制一直是一个挑战；并且微装配过程是一个额外的特殊过程，需要量身定制，以适应MEMS的设计。因此，亟需一种通过控制经典的晶圆片制造方法加工一个现有的硅晶圆就能够制作出MEMS驱动器的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种制作MEMS驱动器的方法，以需要一个现有的晶圆片就可以完成整个制作过程的制作MEMS驱动器的方法。本专利技术的技术方案如下：一种制作MEMS驱动器的方法，所述制作MEMS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作MEMS驱动器的方法，其特征在于，所述制作MEMS驱动器的方法包括：/n提供一晶圆基片，具有第一氧化物层以及分别沉积于所述第一氧化物层相对表面的第一硅层和第二硅层；/n在所述第二硅层的表面沉积形成第二氧化物层后，对所述第一硅层进行元素掺杂形成与所述第一氧化物层间隔的掺杂区域；/n在所述第一硅层的表面沉积第三氧化物层，刻蚀所述第三氧化物层以形成位于边缘的第一氧化结构，所述第一氧化结构围设成第一空腔；/n通过所述第一空腔刻蚀所述第一硅层至暴露所述第一氧化物层，使得所述第一硅层形成相互间隔的第一外硅层和第一内硅层，所述第一外硅层与所述第一氧化结构正对设置；/n湿法刻蚀所述第一内硅层以减薄...

【技术特征摘要】
1.一种制作MEMS驱动器的方法，其特征在于，所述制作MEMS驱动器的方法包括：
提供一晶圆基片，具有第一氧化物层以及分别沉积于所述第一氧化物层相对表面的第一硅层和第二硅层；
在所述第二硅层的表面沉积形成第二氧化物层后，对所述第一硅层进行元素掺杂形成与所述第一氧化物层间隔的掺杂区域；
在所述第一硅层的表面沉积第三氧化物层，刻蚀所述第三氧化物层以形成位于边缘的第一氧化结构，所述第一氧化结构围设成第一空腔；
通过所述第一空腔刻蚀所述第一硅层至暴露所述第一氧化物层，使得所述第一硅层形成相互间隔的第一外硅层和第一内硅层，所述第一外硅层与所述第一氧化结构正对设置；
湿法刻蚀所述第一内硅层以减薄所述掺杂区域；
图案化所述第二氧化物层以形成相互间隔的第二外氧化结构和第二内氧化结构，所述第二外氧化结构和所述第二内氧化结构间隔形成第二空腔，所述第二内氧化结构设有第三空腔，所述第二外氧化结构与所述第一外硅层正对设置；
在所述第二氧化物层的表面以及所述第二空腔、第三空腔内沉积导电层，并刻蚀所述导电层形成金属结构，所述金属结构覆盖且填充所述第二空腔并与所述第二外氧化结构形成具有第一厚度的第一结构；
通过所述第三空腔刻蚀所述第二硅层直至暴露所述第一氧化物层；
释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层。


2.根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：所述第二内氧化结构包括与所述第一内硅层正对设置的第一区域以及与所述第一内硅层偏离设置的第二区域，在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”的步骤之后，所述第二硅层与所述第二区域对应的区域形成具有第二厚度的第二结构，所述第二厚度与所述第一厚度不相等。


3.根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”的步骤之后，所述第二硅层与所述第一区域对应的区域、所述第一氧化物层以及所述第一内硅层共同形成具有第三厚度的第三结构，所述第三厚度与所述第一厚度不相等。


4.根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：在所述“释放第一氧化结构以及裸露在外的第二内氧化结构和第一氧化物层”的步骤之后，所述第二硅层与所述金属结构对应的区域、所述第一氧化物层以及所述第一外硅层共同形成具有第四厚度的第四结构，所述第四厚度与所述第一厚度不相等。


5.根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：所述掺杂区域包括位于所述第一硅层内并与所述第一氧化物层间隔的刻蚀停止区域，所述掺杂元素的浓度自所述第一硅层远离所述第一氧化物层的表面向所述刻蚀停止区域逐渐增大；所述减薄所述掺杂区域为湿法刻蚀所述第一内硅层至暴露所述刻蚀停止区域。


6.根据权利要求1所述的制作MEMS驱动器的方法，其特征在于：所述金属结构同时覆盖所述第二外氧化结构表面以及所述第二内氧化结构靠近所述第二空腔的端面并填充所述第二空腔。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶泽，吴伟昌，李杨，黎家健，
申请(专利权)人：瑞声声学科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44