一种CdS-Bi制造技术

本发明专利技术提供了一种CdS‑Bi

A CdS Bi

【技术实现步骤摘要】
一种CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结在光催化降解乙烯中的应用
本专利技术涉及无机纳米光催化材料
，尤其涉及一种CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结在光催化降解乙烯中的应用。
技术介绍
在社会发展和工业化进程的推进中，化石燃料的使用给人类生活带来了巨大的经济财富。然而，化石燃料的燃烧过程以及自然界中植物在生长过程中会释放乙烯气体，导致大气中乙烯气体的含量不断升高。空气中微量的乙烯经过一系列演变，最终会形成光化学烟雾，导致严重的大气污染。同时，水果蔬菜在贮存过程中释放出的极其微量乙烯可以催熟水果蔬菜，甚至导致其变质腐烂。因此，发展能够高效降解大气中以及水果蔬菜在贮存过程中的微量乙烯气体的技术具有极其重大的科研、经济和现实意义。大气中的乙烯气体具有浓度低、难吸附和十分稳定的特点，导致其极难被降解。目前，消除大气中微量乙烯气体的主要方法有物理吸附法、强氧化剂氧化法、热催化氧化法和光催化氧化法。物理吸附法是采用活性炭和分子筛等对乙烯进行吸附，但是吸附量有限，而且在温度升高的情况下容易脱附。强氧化法采用强氧化剂氧化降解乙烯，但是容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CdS-Bi

【技术特征摘要】
1.一种CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结在光催化降解乙烯中的应用，其特征在于，所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结对乙烯具有催化活性。


2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结中CdS与Bi2WO6的质量比为(0.1:100)～(50:50)。


3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结中CdS与Bi2WO6的质量比为(1:100)～(20:100)。


4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结所降解的乙烯浓度为1ppb～10000ppm。


5.根据权利要求1～4任一项所述的应用，其特征在于，所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结的制备方法包括以下步骤：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈绪兴，姚慧娟，黄忠兵，高云，苏扬航，韩亚翔，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42