基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基于Si‑Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，包括保护筒和设置在保护筒内的信号处理板，信号处理板上集成有控制器、低能辐射信号调理电路和高能辐射信号调理电路，低能辐射信号调理电路包括依次连接的电荷灵敏前置放大电路、反相积分放大器和同相积分放大器，高能辐射信号调理电路包括依次连接的电流前置放大器、电压跟随器、反相放大器和同相放大器，五芯航空插头穿过保护筒后盖与控制器连接。本实用新型专利技术在一个探头内安装两种不同类型的探测体，利用低能辐射信号调理电路调理Si‑Pin晶体探测的低能段γ射线，利用高能辐射信号调理电路调理塑料闪烁体探测的高能段γ射线，实现不同功能探测体的探测，节约成本、便携实用。

Gamma radiation detector based on Si PIN crystal and plastic scintillator detector

【技术实现步骤摘要】
基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置
本技术属于γ辐射探测
，具体涉及一种基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置。
技术介绍
现有技术中区域γ辐射监测仪一般采用GM管或电离室探测器，γ射线能量范围：60keV～3MeV，缺乏能量响应在60keV以下的γ探测器。目前Si-Pin晶体被应用于光电探测器，塑料闪烁体被用于闪烁体探测器，它们均采用单独使用的方式，且针对低能区域γ剂量率监测仪，目前尚没有专门的测量仪表，因此现如今缺少一种能量响应范围宽且体积小的基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，实现对10keV～3MeVγ射线的测量。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，其设计新颖合理，在一个探头内安装两种不同类型的探测体，利用低能辐射信号调理电路调理Si-Pin晶体探测的低能段γ射线，利用高能辐射信号调理电路调理塑料闪烁体探测的高能段γ射线，实现不同功能探测体的探测，节约成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，其特征在于：包括保护筒(6)、与保护筒(6)配合的保护筒后盖(14)、设置在保护筒(6)内的探测处理组件和设置在保护筒后盖(14)上的五芯航空插头(12)，所述探测处理组件包括探测器和安装在所述探测器底部且对探测器探测信号进行处理的信号处理板(10)，所述探测器包括探测器管(5)以及安装在探测器管(5)内的塑料闪烁体(4)和对所述塑料闪烁体(4)光信号进行光电转换的光电倍增管(7)，所述塑料闪烁体(4)的顶端安装有碳纤维板(2)，碳纤维板(2)的顶端设置有Si-Pin晶体(3)，Si-Pin晶体(3)的顶端设置有铍窗(1)，所述信号处...

【技术特征摘要】
1.基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，其特征在于：包括保护筒(6)、与保护筒(6)配合的保护筒后盖(14)、设置在保护筒(6)内的探测处理组件和设置在保护筒后盖(14)上的五芯航空插头(12)，所述探测处理组件包括探测器和安装在所述探测器底部且对探测器探测信号进行处理的信号处理板(10)，所述探测器包括探测器管(5)以及安装在探测器管(5)内的塑料闪烁体(4)和对所述塑料闪烁体(4)光信号进行光电转换的光电倍增管(7)，所述塑料闪烁体(4)的顶端安装有碳纤维板(2)，碳纤维板(2)的顶端设置有Si-Pin晶体(3)，Si-Pin晶体(3)的顶端设置有铍窗(1)，所述信号处理板(10)上集成有控制器(22)以及均与控制器(22)信号输入端连接的低能辐射信号调理电路和高能辐射信号调理电路，所述低能辐射信号调理电路包括依次连接的电荷灵敏前置放大电路(15)、反相积分放大器(16)和同相积分放大器(17)，所述高能辐射信号调理电路包括依次连接的电流前置放大器(18)、电压跟随器(19)、反相放大器(20)和同相放大器(21)，五芯航空插头(12)穿过保护筒后盖(14)与控制器(22)连接，Si-Pin晶体(3)通过第一导线与电荷灵敏前置放大电路(15)连接，光电倍增管(7)通过第二导线与电流前置放大器(18)连接。


2.按照权利要求1所述的基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，其特征在于：所述电荷灵敏前置放大电路(15)包括电阻R11,所述电阻R11的一端与Si-Pin晶体(3)的信号输出端连接，电阻R11的另一端与电容C1的一端连接,电容C1的另一端分五路，一路与并联的电阻R16和电容C2的一端连接，所述并联的电阻R16和电容C2的另一端连接并联的电阻R19和电容C3，并联的电阻R19和电容C3通过并联的电阻R23和电容C4与电阻R13的一端连接，第二路与结型场效应管D1的栅极连接，第三路与结型场效应管D2的栅极连接，第四路与结型场效应管D3的栅极连接，第五路与结型场效应管D4的栅极连接，结型场效应管D1、结型场效应管D2、结型场效应管D3和结型场效应管D4的源极均通过电阻R24接地，结型场效应管D1、结型场效应管D2、结型场效应管D3和结型场效应管D4的漏极均与NPN三极管D5的基极连接，结型场效应管D1的漏极依次通过电阻R4、电阻R2和电阻R1与12V电源连接，NPN三极管D5的集电极经电阻R3与电阻R4和电阻R2的连接端连接，NPN三极管D5的发射极与PNP三极管D6的发射极连接，PNP三极管D6的基极分两路，一路经并联的电阻R5和电容C5与电阻R4和电阻R2的连接端连接，另一路经电阻R12与NPN三极管D7的基极连接，PNP三极管D6的集电极和NPN三极管D7的集电极连接，NPN三极管D7的基极经并联的电阻R21和电容C6与-12V电源连接，NPN三极管D7的发射极经电阻R22与-12V电源连接，PNP三极管D6的集电极和NPN三极管D7的集电极的连接端与电阻R13的一端连接。


3.按照权利要求2所述的基于Si-Pin晶体和塑料闪烁体探测器的γ辐射探测装置，其特征在于：所述反相积分放大器(16)包括运算放大器U1B，所述运算放大器U1B的反相输入端经电容C7与电阻R13的另一端连接，运算放大器U1B的同相输入端分两路，一路经电阻R9与电阻R2和电阻R1的连接端连接，另一路经电阻R20与-12V电源连接，运算放大器U1B的输出端分两路，一路通过并联的电阻R7和电容C9与运算放大器U1B的反相输入端连接，另一路与电阻R15的一端连接；所述同相积分放大器(17)包括运算放大器U1A，所述运算放大器U1A的同相输入端与电阻R15的另一端连接，运算放大器U1A的反相输入端通过依次连接的电阻R17和电容C1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明旭，李鹏，黄浩坤，
申请(专利权)人：西安中核核仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61