用于晶圆检查的高级充电控制器的方法和设备技术

提供了一种用于光束的高级充电控制的系统和方法。该系统包括：激光源，包括用于发射束的激光二极管；以及束均匀器，用于均匀所发射的束。系统和方法还包括：束成形器，被配置为使用变形棱镜组对发射的束进行整形；以及驱动器，被配置为将成形的束引导到晶圆上的指定位置，其中激光源、束成形器和驱动器同轴对准。

Methods and equipment of advanced charge controller for wafer inspection

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶圆检查的高级充电控制器的方法和设备相关申请的交叉参考本申请要求于2017年9月29日提交的美国申请62/566,212的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开总体上涉及带电粒子束领域，更具体地，涉及带电粒子检测的方法和设备。
技术介绍
在集成电路(IC)的制造工艺中，对未完工或完工的电路部件进行检查，以确保其按设计制造且无缺陷。利用光学显微镜的检查系统通常具有达到几百纳米的分辨率，并且分辨率受到光的波长的限制。随着IC部件的物理尺寸不断减小到100纳米甚至10纳米以下，需要比光学显微镜具有更高分辨率的检查系统。带电粒子(例如，电子)束显微镜(诸如扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM))能够使分辨率小于纳米，用作用于检查检查特征尺寸小于100纳米的IC部件的实用工具。利用SEM，单个初级电子束的电子或多个初级电子束的电子可聚焦在被检查晶圆的预定扫描位置处。初级电子与晶圆相互作用，并且可以被反向散射或者会使得晶圆发射次级电子。包括反向散射电子和次级电子的电子束的强度可基于晶圆的内部和/或外部结构的特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于光束的高级充电控制的系统，所述系统包括：/n激光源，用于发射束；/n束均匀器，用于对发射的所述束进行均匀；/n束成形器，被配置为使用变形棱镜组来对发射的所述束进行成形；以及/n驱动器，被配置为将成形的所述束引导到晶圆上的指定位置，/n其中所述激光源、所述束成形器和所述驱动器同轴对准。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 US 62/566,2121.一种用于光束的高级充电控制的系统，所述系统包括：
激光源，用于发射束；
束均匀器，用于对发射的所述束进行均匀；
束成形器，被配置为使用变形棱镜组来对发射的所述束进行成形；以及
驱动器，被配置为将成形的所述束引导到晶圆上的指定位置，
其中所述激光源、所述束成形器和所述驱动器同轴对准。


2.根据权利要求1所述的系统，其中所述激光源是激光二极管。


3.根据权利要求1所述的系统，其中所述激光源是准直激光器。


4.根据权利要求1所述的系统，其中所述变形棱镜组包括两个或更多个棱镜的组。


5.根据权利要求4所述的系统，其中所述两个或更多个棱镜具有相同的几何结构。


6.根据权利要求1所述的系统，其中所述变形棱镜组对所述束进行成形，其中对所述束进行成形包括修改所述束的大小和纵横比。


7.根据权利要求1所述的系统，其中所述变形棱镜组产生与输入束同轴对准的输出束。


8.根据权利要求1所述的系统，其中所述驱动器包括用于引导...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，陈庆久，王義向，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL