本发明专利技术提供一种磁带以及包括该磁带的磁记录回放装置，所述磁带在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，其中，磁性层包含氧化物研磨剂，根据对磁性层的表面照射聚焦离子束来获取的二次离子像求出的氧化物研磨剂的平均粒径大于0.08μm且为0.14μm以下，且在磁性层的面内方向上测量的折射率Nxy与在磁性层的厚度方向上测量的折射率Nz的差分的绝对值ΔN为0.25以上且0.40以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁带及磁记录回放装置
本专利技术涉及一种磁带及磁记录回放装置。
技术介绍
磁记录介质中有带状和盘状，在数据存储用途中主要使用带状的磁记录介质即磁带。通常，通过使磁带的表面(磁性层表面)与磁头接触并滑动来进行对磁带的信息记录和/或回放。作为磁带，广泛使用在非磁性支撑体上设置有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层的结构的磁带(例如参考专利文献1)。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-243162号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题将记录于磁带的信息回放时，回放信号振幅的部分降低(称为“脉冲遗漏(missingpulse)”。)发生的频度越高，错误率越增加，导致磁带的可靠性降低。因此，为了提供一种能够以高可靠性使用的磁带，期望降低脉冲遗漏的发生频度。然而，近年来，用于数据存储用途的磁带有时在温度及湿度被管理的数据中心等低温低湿环境下(例如温度10～15℃且相对湿度10～20％程度的环境下)使用。因此，期望降低在低温低湿环境下的上述脉冲遗漏的发生频度。因此，本专利技术的目的在于提供一种在低温低湿环境下的脉冲遗漏的发生频度降低的磁带。用于解决技术课题的手段本专利技术的一方式涉及一种磁带，其在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，其中，上述磁性层包含氧化物研磨剂，根据对上述磁性层的表面照射聚焦离子束(FIB；FocusedIonBeam)来获取的二次离子像求出的上述氧化物研磨剂的平均粒径(以下，也记载为“FIB研磨剂直径”。)大于0.08μm且为0.14μm以下，并且在上述磁性层的面内方向上测量的折射率Nxy与在上述磁性层的厚度方向上测量的折射率Nz的差分的绝对值ΔN(以下，也记载为“(磁性层的)ΔN”。)为0.25以上且0.40以下。在一方式中，上述氧化物研磨剂可以为氧化铝粉末。在一方式中，上述折射率Nxy与上述折射率Nz的差分(Nxy-Nz)可以为0.25以上且0.40以下。在一方式中，上述强磁性粉末可以为强磁性六方晶铁氧体粉末。在一方式中，上述磁带能够在上述非磁性支撑体与上述磁性层之间具有包含非磁性粉末及粘结剂的非磁性层。在一方式中，上述磁带能够在上述非磁性支撑体的与具有上述磁性层的表面侧相反的表面侧具有包含非磁性粉末及粘结剂的背涂层。本专利技术的另一方式涉及一种包括上述磁带及磁头的磁记录回放装置。专利技术效果根据本专利技术的一方式，能够提供一种能够降低在低温低湿环境下的脉冲遗漏的发生频度的磁带。并且，根据本专利技术的一方式，能够提供一种包括上述磁带的磁记录回放装置。具体实施方式[磁带]本专利技术的一方式涉及一种磁带，其在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，其中，上述磁性层包含氧化物研磨剂，根据对上述磁性层的表面照射聚焦离子束来获取的二次离子像求出的上述氧化物研磨剂的平均粒径(FIB研磨剂直径)大于0.08μm且为0.14μm以下，且在上述磁性层的面内方向上测量的折射率Nxy与在上述磁性层的厚度方向上测量的折射率Nz的差分的绝对值ΔN为0.25以上且0.40以下。在本专利技术及本说明书中，“磁性层(的)表面”与磁带的磁性层侧表面的含义相同。并且，在本专利技术及本说明书中，“强磁性粉末”是指多个强磁性粒子的集合。“集合”并不限定于构成集合的粒子直接接触的方式，还包含粘结剂、添加剂等夹杂于粒子彼此之间的方式。以上几点关于本专利技术及本说明书中的非磁性粉末等各种粉末也相同。在本专利技术及本说明书中，“氧化物研磨剂”表示莫氏硬度大于8的非磁性氧化物粉末。在本专利技术及本说明书中，FIB研磨剂直径设为通过以下方法求出的值。(1)二次离子像的获取通过聚焦离子束装置，获取求出FIB研磨剂直径的对象磁带的磁性层表面的25μm见方(25μm×25μm)区域的二次离子像。作为聚焦离子束装置，能够使用HitachiHigh-TechnologiesCorporation.制造的MI4050。作为获取二次离子像时的聚焦离子束装置的光束照射条件，设定如下：加速电压30kV、电流值133pA(皮安)、光束尺寸30nm及亮度50％。对磁性层表面不进行拍摄前的涂布处理。通过二次离子检测器检测二次离子(SI；secondaryion)信号，并拍摄二次离子像。二次离子像的拍摄条件通过以下方法确定。通过对磁性层表面的未拍摄区域三个部位实施ACB(AutoContrastBrightness：自动对比亮度)(即实施3次ACB)来稳定图像的色调，从而确定对比基准值及亮度基准值。将从通过此ACB确定的对比基准值降低1％的对比值及上述亮度基准值作为拍摄条件。选择磁性层表面的未拍摄区域，并在上述中确定的拍摄条件下拍摄二次离子像。从所拍摄的图像消除表示尺寸等的部分(微米线条、十字标记等)，获取2000像素×2000像素的像素数的二次离子像。关于拍摄条件的具体例，能够参考后述的实施例。(2)FIB研磨剂直径的计算将上述(1)中获取的二次离子像读入图像处理软件，并按照以下步骤进行二值化处理。作为图像分析软件，例如能够使用免费软件ImageJ。将在上述(1)中获取的二次离子像的色调变更为8bit。关于用于二值化处理的阈值，将下限值设为250灰度、上限值设为255灰度，通过这两个阈值执行二值化处理。二值化处理后，通过图像分析软件进行噪声成分去除处理。噪声成分去除处理例如能够通过以下方法进行。在图像分析软件ImageJ中，选择噪声剪切处理降噪(Despeckle)，在分析颗粒(AnalyzeParticle)中设定Size(尺寸)4.0-Infinity(无限)，从而进行噪声成分的去除。在如此获得的二值化处理图像中，将发白的各部分判断为氧化物研磨剂，通过图像分析软件求出发白部分的个数，且求出发白的各部分的面积。根据在此所求出的发白的各部分的面积，求出各部分的当量圆直径。具体而言，根据所求出的面积A，通过(A/π)^(1/2)×2＝L计算当量圆直径L。在求出FIB研磨剂直径的对象磁带的磁性层表面的不同部位(25μm见方)实施4次以上工序，并根据所获得的结果，通过FIB研磨剂直径＝∑(Li)/∑i计算FIB研磨剂直径。∑i是在通过实施4次来获得的二值化处理图像中观察到的发白部分的总数。∑(Li)是针对在通过实施4次来获得的二值化处理图像中观察到的发白的各部分求出的当量圆直径L的总计。关于发白部分，也可能存在仅该部分的一部分包含在二值化处理图像的情况。此时，不包含该部分而求出∑i及∑(Li)。并且，在本专利技术及本说明书中，在磁性层的面内方向上测量的折射率Nxy与在磁性层的厚度方向上测量的折射率Nz的差分的绝对值ΔN设为通过以下方法求出的值。关于在磁性层的各方向上的折射率，通过分光椭圆偏光法并使用两层模型来求出。为了通过分光椭圆偏光法并使用两层模型来求出磁性层的折射率，使用与磁性层相邻的部分的折射率的值。以下，以求出磁性层的折射率N本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种磁带，其在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，其中，/n所述磁性层包含氧化物研磨剂，/n根据对所述磁性层的表面照射聚焦离子束而获取的二次离子像求出的所述氧化物研磨剂的平均粒径大于0.08μm且为0.14μm以下，并且/n在所述磁性层的面内方向上测量的折射率Nxy与在所述磁性层的厚度方向上测量的折射率Nz的差分的绝对值ΔN为0.25以上且0.40以下。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 JP 2017-191660;20180828 JP 2018-1595151.一种磁带，其在非磁性支撑体上具有包含强磁性粉末及粘结剂的磁性层，其中，
所述磁性层包含氧化物研磨剂，
根据对所述磁性层的表面照射聚焦离子束而获取的二次离子像求出的所述氧化物研磨剂的平均粒径大于0.08μm且为0.14μm以下，并且
在所述磁性层的面内方向上测量的折射率Nxy与在所述磁性层的厚度方向上测量的折射率Nz的差分的绝对值ΔN为0.25以上且0.40以下。
2.根据权利要求1所述的磁带，其中，
所述氧化物研磨剂为氧化铝粉末。
【专利技术属性】
技术研发人员：细田英正，黑川拓都，笠田成人，岩本崇裕，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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