量子点发光二极管及其制备方法与光源结构技术

本申请涉及量子点发光二极管及其制备方法与光源结构；量子点发光二极管包括阳极、量子点发光层与阴极；所述量子点发光二极管还包括设于所述阳极与所述量子点发光层之间的混合层，所述混合层包括电子提取材料和空穴传输材料。上述量子点发光二极管，直接从改进QLED结构出发，通过在阳极与量子点发光层之间设置包含电子提取材料的混合层的创新设计，以引走量子点发光层中过量的电子，从根本上改进了电子过多导致量子点充电的难题，减小了量子点发光层的量子点的充电程度，从而促进电荷平衡，且增大了量子点发光层的荧光寿命和辐射复合效率，进而提高QLED的性能和寿命。

Quantum dot light emitting diode and its preparation method and light source structure

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法与光源结构
本申请涉及有机发光领域，特别是涉及量子点发光二极管及其制备方法与光源结构。
技术介绍
由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展，其中一个很重要的原因是采用了ZnO纳米颗粒作为电子传输材料。这是因为：(1)ZnO具有优异的电子导电性；(2)ZnO的导带底能级与量子点的导带底能级匹配，非常有利于电子注入；(3)ZnO的价带顶能级比量子点的价带顶能级深，具有优异的空穴阻挡和限制能力。但是，基于ZnO电子传输层的QLED存在比较严重的电荷不平衡问题，即电子数量远多于空穴数量，继而导致量子点充电，增加了俄歇复合几率，降低了辐射复合效率，尤其在高亮度或大电流密度下体现的尤为明显。这些不利因素致使QLED效率滚降迅速、使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层与阴极；其特征在于，所述量子点发光二极管还包括设于所述阳极与所述量子点发光层之间的混合层，所述混合层包括电子提取材料和空穴传输材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层与阴极；其特征在于，所述量子点发光二极管还包括设于所述阳极与所述量子点发光层之间的混合层，所述混合层包括电子提取材料和空穴传输材料。


2.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述电子提取材料包括C60、PC71BM、ITO、IZO和TiO2中的至少一种；或者，
所述电子提取材料的电子迁移率大于1×10-3cm2V-1s-1。


3.根据权利要求1所述量子点发光二极管，其特征在于，所述电子提取材料的导带底能级或LUMO能级不小于所述量子点发光层的量子点材料的导带底能级；所述电子提取材料的HOMO能级或者价带顶能级介于所述空穴传输材料的HOMO能级与所述量子点发光层的量子点材料的价带顶能级之间。


4.根据权利要求1至3中任一项所述量子点发光二极管，其特征在于，所述混合层包括层叠设置的电子提取层和空穴传输层，所述电子提取层由所述电子提取材料组成，所述空穴传输层由所述空穴传输材料组成，且所述电子提取层位于所述空穴传输层与所述量子点发光层之间。


5.根据权利要求4所述量子点发光二极管，其特征在于，所述电子提取层的厚度为1～10nm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：苏亮，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44