一种掺杂型电子传输层的有机光电探测器及其制备方法技术

技术编号:24174502 阅读:173 留言:0更新日期:2020-05-16 04:06
本发明专利技术涉及一种掺杂型电子传输层的有机光电探测器,从下至上依次设置为衬底、透明导电阴极ITO、电子传输层、光活性层、空穴传输层和金属阳极,所述电子传输层由ZnO纳米颗粒溶液和掺杂PCBM混合而成,厚度为40~50nm。本发明专利技术通过优化和修饰电子传输层,减少传输层中的缺陷,将电子传输层厚度提升至便于工业化生产的量级。

An organic photodetector with doped electron transport layer and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂型电子传输层的有机光电探测器及其制备方法
本专利技术涉及光电探测器件
,尤其涉及一种掺杂型电子传输层的有机光电探测器及其制备方法。
技术介绍
有机光电探测器是利用具有光电效应的材料制成的能够实现光电转换的传感器。传统的光探测器是用无机半导体材料制成,其制作工艺复杂,成本高,且不适于做大面积器件。由于有机材料具有高效的光敏感,质轻,价廉,加工性能优异等特点,更易制备小体积,低功耗,低成本的探测器件,能够弥补了无机光探测器中普遍存在的设备昂贵、工艺复杂等缺陷。种类繁多的有机半导体材料也为有机光探测器件的发展和创新提供了很大的可选择性,根据需要合成出具有相应光电特性的新材料。因此有机光探测器将具有更大的研究空间和商业价值,比如在天文学,环境监测,分光和医学检测仪器等。目前ZnO薄膜的制备工艺主要分为利用前驱体反应生成ZnO的溶胶凝胶法和将合成的ZnO纳米颗粒分散到溶液中直接制备成薄膜的纳米颗粒法。溶胶凝胶法ZnO粒径小,薄膜较为致密,不易形成阻碍载流子传输的缺陷,但是膜厚一般只能做到80nm以内,不利于实现大面积生产,而且配置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掺杂型电子传输层的有机光电探测器,从下至上依次设置为衬底(1)、透明导电阴极ITO(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)和金属阳极(6),其特征在于,所述电子传输层(3)由ZnO纳米颗粒溶液和掺杂PCBM混合而成,厚度为40~50nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种掺杂型电子传输层的有机光电探测器,从下至上依次设置为衬底(1)、透明导电阴极ITO(2)、电子传输层(3)、光活性层(4)、空穴传输层(5)和金属阳极(6),其特征在于,所述电子传输层(3)由ZnO纳米颗粒溶液和掺杂PCBM混合而成,厚度为40~50nm。


2.根据权利要求1所述的掺杂型电子传输层的有机光电探测器,其特征在于,所述光活性层(4)由电子给体材料P3HT和电子受体材料IEICO-4F混合而成,厚度为200~300nm。


3.根据权利要求1所述的掺杂型电子传输层的有机光电探测器,其特征在于,所述空穴传输层(5)材料MoO3,厚度为15nm。


4.根据权利要求1所述的掺杂型电子传输层的有机光电探测器,其特征在于,所述金属阳极(6)材料为Ag、Al和Au中的一种或多种,薄层厚度为100nm。


5.根据权利要求1所述的掺杂型电子传输层的有机光电探测器,其特征在于,所述衬底(1)为透明聚合物材料,所述透明聚合物材料包括聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸中的一种或多种。


6.一种掺杂型电子传输层的有机光电探测器制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:对由衬底(1)及透明导电阴极ITO(2)所组成的...

【专利技术属性】
技术研发人员:于军胜王超陈善勇李璐
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:四川;51

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