薄膜热导率的测量装置及测量方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种薄膜热导率的测量装置及测量方法，采用硅基板作为测量装置的基座，多个薄膜微桥平行架设于刻蚀槽上以组成测量微结构装置，以复现微型电子器件的实际工作过程，以此测量得到微型电子器件工作过程中薄膜材料的热导率。本发明专利技术的薄膜热导率的测量装置及测量方法，可在复现微型电子器件的实际工作过程的情况下，对薄膜材料的热导率进行精准测量，以将测量结果作为对薄膜材料进行实际应用的准确参考，解决了传统测量装置对薄膜材料的热导率进行测量时存在的测量不准确的问题。

Measuring device and method of thermal conductivity of thin film

【技术实现步骤摘要】
薄膜热导率的测量装置及测量方法
本专利技术涉及集成电路设计的
，尤其涉及一种薄膜热导率的测量装置及测量方法。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit，IC)或互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)等微型电子器件在工作过程中自身会发热，为提高微型电子器件的导热效率，通常会采用热导率较高的薄膜材料对微型电子器件进行封装，为获取适于微型电子器件使用的薄膜材料，对薄膜材料的热导率进行精确测量显得尤其重要。传统的对薄膜材料的热导率进行测量的装置均难以复现微型电子器件的实际工作过程，因此采用传统的测量方法所得到的热导率存在较大偏差，测量得到的热导率无法作为对薄膜材料进行实际应用的准确参考。因而，现有的测量装置对薄膜材料的热导率进行测量时存在测量不准确的问题。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种薄膜热导率的测量装置及测量方法，旨在解决现有技术中的测量装置对薄膜材料的热导率进行测量时所存在的测量不准确的问题。本专利技术是通过以下技术方案来实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜热导率的测量装置，其特征在于，包括：硅基板、薄膜材料、加热器、温度传感器及导电支臂；/n所述硅基板的中央形成有刻蚀槽；/n所述薄膜材料包括多个平行架设于所述刻蚀槽上的薄膜微桥，所述薄膜微桥的两端固定于所述刻蚀槽的侧壁的顶面上；/n所述加热器设置于所述薄膜微桥上，所述加热器用于产生热量并将热量经所述薄膜微桥传导至所述侧壁；/n所述导电支臂架设于所述刻蚀槽上且与所述加热器接触以将电流传导至所述加热器，所述加热器的两端均设有一个所述导电支臂；/n所述侧壁的顶面上及所述加热器上均设置所述温度传感器，所述温度传感器用于采集所述侧壁及所述加热器的温度以实现对所述薄膜材料热导率的测量。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜热导率的测量装置，其特征在于，包括：硅基板、薄膜材料、加热器、温度传感器及导电支臂；
所述硅基板的中央形成有刻蚀槽；
所述薄膜材料包括多个平行架设于所述刻蚀槽上的薄膜微桥，所述薄膜微桥的两端固定于所述刻蚀槽的侧壁的顶面上；
所述加热器设置于所述薄膜微桥上，所述加热器用于产生热量并将热量经所述薄膜微桥传导至所述侧壁；
所述导电支臂架设于所述刻蚀槽上且与所述加热器接触以将电流传导至所述加热器，所述加热器的两端均设有一个所述导电支臂；
所述侧壁的顶面上及所述加热器上均设置所述温度传感器，所述温度传感器用于采集所述侧壁及所述加热器的温度以实现对所述薄膜材料热导率的测量。


2.如权利要求1所述的薄膜热导率的测量装置，其特征在于，所述薄膜材料的两端均设有一个所述温度传感器，两个所述温度传感器均与所述薄膜微桥相垂直。


3.如权利要求1所述的薄膜热导率的测量装置，其特征在于，所述加热器垂直设置于所述薄膜微桥上。


4.如权利要求2或3所述的薄膜热导率的测量装置，其特征在于，所述加热器沿所述薄膜微桥的中轴线进行设置。


5.如权利要求1所述的薄膜热导率的测量装置，其特征在于，所述加热器为多晶硅微加热器。


6.如权利要求1、2、3或5任一项所述的薄膜热导率的测量装置，其特征在于，所述薄膜材料的基材为氧化硅。


7.如权利要求6所述的薄膜热导率的测量装置，其特征在于，所述薄膜材料还包括附着于所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：许威，王晓毅，赵晓锦，杨亚涛，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东;44