【技术实现步骤摘要】
一种易机械加工高纯钨板材制备方法
本专利技术涉及一种易机械加工高纯钨板材制备方法,属于高纯难熔金属加工领域。
技术介绍
目前,半导体制造已成为当今世界上技术含量高规模最大的战略性新型产业。难熔金属钨由于电子迁移抗力大、高温稳定性优良以及电子发射系数极高等特点,广泛用作半导体大规模集成电路制造过程中,如作为溅射镀膜材料用于制作门电路电极、布线金属和屏蔽金属材料等。微电子技术中大规模集成电路集成度的提高对材料的纯度提出了更高要求;若钨靶纯度差,将造成大规模集成电路的作业可靠性降低,甚至产生泄电现象。提高钨的纯度可降低甚至消除有害杂质的影响,提高终端产品的使用性能。通过化学气相沉积(CVD)方法制备的超高纯钨具有优异的电学和热学性能,同时,可以将杂质元素对材料性能的影响降低到很小的程度,完全满足电子工业中的纯度要求。但是,通过CVD制备的钨在室温下容易发生脆性断裂。这种局限性使其成为室温机械加工和组装的挑战。许多研究人员致力于提高钨的延展性。钨与铼合金化时具有固溶软化作用,进而改善多晶钨的延展性。但是,与昂贵而稀有的铼合金 ...
【技术保护点】
1.一种易机械加工高纯钨板材制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:/n(1)化学气相沉积制备钨板坯:在密闭反应室中,以氢气和六氟化钨为原料,在紫铜基体表面沉积获得厚度为10~40 mm的钨板;/n(2)轧制:将步骤(1)获得的钨板坯加热至1500~1550℃,经过多道次降温轧制,获得厚度为2.0~10.0 mm的钨板;/n(3)退火:将步骤(2)获得的钨板在1200~1300℃下进行去应力退火,退火时间为30~60min。/n
【技术特征摘要】
1.一种易机械加工高纯钨板材制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
(1)化学气相沉积制备钨板坯:在密闭反应室中,以氢气和六氟化钨为原料,在紫铜基体表面沉积获得厚度为10~40mm的钨板;
(2)轧制:将步骤(1)获得的钨板坯加热至1500~1550℃,经过多道次降温轧制,获得厚度为2.0~10.0mm的钨板;
(3)退火:将步骤(2)获得的钨板在1200~1300℃下进行去应力退火,退火时间为30~60min。
2.根据权利要求1所述的易机械加工高纯钨板材制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中氢气和六氟化钨的纯度均大于99.99wt.%。
3.根据权利要求1所述的易机械加工高纯钨板材制备方法,其特征在于:所述步骤(1)沉积温度为500~600℃。...
【专利技术属性】
技术研发人员:檀校,聂志华,谭成文,胡劲,王玉天,于晓东,王开军,赵修臣,
申请(专利权)人:昆明理工大学,
类型:发明
国别省市:云南;53
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