钴靶坯的制作方法技术

一种钴靶坯的制作方法，包括：提供钴锭，将所述钴锭进行热轧工艺，形成初级钴靶坯；将热轧工艺后的所述初级钴靶坯进行退火处理；将退火处理后的所述初级钴靶坯进行冷轧工艺。将所述钴锭进行热轧工艺的目的是使得所述镍锭的可塑性能提高，进一步细化所述钴锭内部的晶粒，从而使得形成的所述初级钴靶坯的内部组织更加密实，力学性能得以提高；轧制完成后进行退火处理，这一步使得所述初级钴靶坯内部的应力释放，并且使得所述初级钴靶坯内部晶粒的尺寸细小；然后将退火后的所述初级钴靶坯经冷轧，可以使得所述初级钴靶坯形成更多密排六方(HCP)结构，从而提高所述钴材料的透磁率(PTF)。

The manufacturing method of cobalt target blank

【技术实现步骤摘要】
钴靶坯的制作方法
本专利技术涉及半导体溅射靶材的制备，特别涉及一种钴靶坯的制作方法。
技术介绍
溅射靶材是制造半导体芯片所必须的一种极其重要的关键材料，其原理是采用PVD(物理气相沉积技术)，用高压加速气态离子轰击靶材，使靶材的原子被溅射出，以薄膜的形式沉积到硅片上，最终形成半导体芯片中复杂的配线结构。溅射靶材具有金属镀膜的均匀性、可控性等诸多优势，被广泛应用于半导体领域。PVD薄膜质量的好坏主要取决于溅射靶材的纯度、微观结构等因素。随着半导体行业的迅速发展，对溅射靶材的需求越来越大，对溅射靶材的质量要求也日益提高。钴靶材是一种比较典型的金属靶材，它的抗腐蚀性能良好，电磁屏蔽性能优良，可以作为一种能源材料使用，并且，所述钴靶材是磁化一次就能保持磁性的金属。由于所述钴靶材在磁性材料上的明显优势，钴靶材被广泛地应用在PVD中。由于钴材料本身特有的磁性，现有技术中，在制作钴靶坯时，对TMP(热塑性变形加工)工艺控制不好，靶坯的PTF(透磁率)低，而低PTF性能的钴靶材，溅射性能极差，甚至无法溅射起辉，所以必须提高钴靶材的PTF。...

【技术保护点】
1.一种钴靶坯的制作方法，其特征在于，包括步骤：/n提供钴锭，将所述钴锭进行热轧工艺，形成初级钴靶坯；/n将热轧工艺后的所述初级钴靶坯进行退火处理；/n将退火处理后的所述初级钴靶坯进行冷轧工艺。/n

【技术特征摘要】
1.一种钴靶坯的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供钴锭，将所述钴锭进行热轧工艺，形成初级钴靶坯；
将热轧工艺后的所述初级钴靶坯进行退火处理；
将退火处理后的所述初级钴靶坯进行冷轧工艺。


2.如权利要求1所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，所述热轧工艺控制每次轧制变形量为10％-15％，总轧制变形量大于或等于80％。


3.如权利要求1所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，所述退火处理工艺温度为600℃-700℃，保温时间为60min-120min。


4.如权利要求1所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，所述冷轧工艺控制变形量为15％-20％。


5.如权利要求1所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，还包括步骤：将冷轧工艺后的所述初级钴靶坯进行加工，形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，黄东长，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33