【技术实现步骤摘要】
限制结构、线源装置及蒸镀系统
本公开涉及蒸镀
,具体而言,涉及一种限制结构、线源装置及蒸镀系统。
技术介绍
真空蒸镀是一种常用的薄膜成型技术,由于其具有成膜方法简单、薄膜纯度高及致密性高等优点,被广泛用于制造金属或半导体等材料的薄膜。现有蒸镀设备主要包括蒸发源及限制板,在蒸镀过程中,由蒸发源喷射蒸镀材料,并将限制板设于蒸发源喷射部上端,从而通过限制板控制蒸发源的蒸镀入射角。但是,随着蒸镀时间的增长,限制板端部及内侧会出现蒸镀材料累积,使得蒸镀角缩小、限制板负荷增加,进而影响产品蒸镀效果,增加限制板脱落风险,缩短限制板使用寿命。需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于克服上述现有技术中的不足,提供一种限制结构、线源装置及蒸镀系统,可保证产品蒸镀质量,避免限制板因材料累积而脱落,延长限制板的使用寿命。根据本公开的一个方面,提供一种限制结构,包括:蒸 ...
【技术保护点】
1.一种限制结构,其特征在于,包括:/n蒸镀源,固定于一安装面上,用于喷射蒸镀材料;/n两个限制板,均固定于所述安装面上,并相对设置于所述蒸镀源的两侧,且两个所述限制板均具有腔体;/n吸附孔,设于所述限制板靠近所述蒸镀源的表面,且与所述腔体连通;/n吸附组件,与所述腔体连通,用于通过所述吸附孔吸附所述限制板靠近所述蒸镀源的表面累积的蒸镀材料。/n
【技术特征摘要】
1.一种限制结构,其特征在于,包括:
蒸镀源,固定于一安装面上,用于喷射蒸镀材料;
两个限制板,均固定于所述安装面上,并相对设置于所述蒸镀源的两侧,且两个所述限制板均具有腔体;
吸附孔,设于所述限制板靠近所述蒸镀源的表面,且与所述腔体连通;
吸附组件,与所述腔体连通,用于通过所述吸附孔吸附所述限制板靠近所述蒸镀源的表面累积的蒸镀材料。
2.根据权利要求1所述的限制结构,其特征在于,所述限制板包括:
支撑部,固定于所述安装面上,并向远离所述安装面的一侧延伸;
限制部,一端连接于所述支撑部远离所述安装面的一端,另一端按照预设角度向靠近所述蒸镀源的一侧延伸;
两个限制板对应的两个所述限制部之间具有露出所述蒸镀源的开口。
3.根据权利要求1所述的限制结构,其特征在于,所述吸附孔的数量为多个,且各所述吸附孔按照预设间距均匀分布于所述限制板靠近所述蒸镀源的表面。
4.根据权利要求2所述的限制结构,其特征在于,所述支撑部和所述限制部为一体式结构,所述腔体贯通于所述支撑部和所述限制部。
5.根据权利要求2所述的限制结构,其特征在于,通过...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟纪奇,
申请(专利权)人:绵阳京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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