掩模组件及制造掩模组件的方法技术

提供了一种掩模组件和一种制造掩模组件的方法。所述掩模组件包括：掩模片，包括具有至少一个开口部分的图案部分和连接到图案部分的焊接部分；以及掩模框架，掩模片安装在掩模框架上，掩模框架焊接到焊接部分。掩模片包括被构造为面对掩模框架的第一表面和与第一表面相对的第二表面。焊接部分包括影线区域，第二表面在影线区域中的表面粗糙度大于第二表面在图案部分中的表面粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
掩模组件及制造掩模组件的方法本专利申请要求于2018年11月8日提交的第10-2018-0136310号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开在此涉及一种掩模组件及一种制造掩模组件的方法。
技术介绍
用于在有机发光显示设备中提供有机化合物的薄膜的各种方法包括真空沉积、溅射、离子束沉积、脉冲激光沉积、分子束沉积、化学气相沉积(CVD)、旋涂等。在这些方法之中，最常用的真空沉积技术是在真空室中将沉积源与膜形成基底组合以提供薄膜的方法。这是用于提供有机电场发光元件的发光层的代表性方法。然而，在这样的沉积工艺中使用的掩模是以蚀刻方式制造的，因此制造范围变得有限。为了制造生产高分辨率产品的掩模，使用电镀方式。电镀掩模可以实现高分辨率产品，因此被广泛用于设置有机电场发光元件的发光层。
技术实现思路
本公开提供了一种其焊接特性被改善的掩模组件及一种制造掩模组件的方法。专利技术构思的实施例提供了一种掩模组件，所述掩模组件包括：掩模片和掩模框架。掩模片包括具有至少一个开口部分的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模组件，所述掩模组件包括：/n掩模片，包括具有至少一个开口部分的图案部分和连接到所述图案部分的焊接部分；以及/n掩模框架，所述掩模片安装在所述掩模框架上，所述掩模框架焊接到所述掩模片的所述焊接部分，/n其中，所述掩模片包括面对所述掩模框架的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，/n所述焊接部分包括影线区域，并且所述第二表面在所述影线区域中的表面粗糙度大于所述第二表面在所述图案部分中的表面粗糙度。/n

【技术特征摘要】
20181108 KR 10-2018-01363101.一种掩模组件，所述掩模组件包括：
掩模片，包括具有至少一个开口部分的图案部分和连接到所述图案部分的焊接部分；以及
掩模框架，所述掩模片安装在所述掩模框架上，所述掩模框架焊接到所述掩模片的所述焊接部分，
其中，所述掩模片包括面对所述掩模框架的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，
所述焊接部分包括影线区域，并且所述第二表面在所述影线区域中的表面粗糙度大于所述第二表面在所述图案部分中的表面粗糙度。


2.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述第二表面在所述影线区域中的算术平均粗糙度大于所述第二表面在所述图案部分中的算术平均粗糙度。


3.根据权利要求2所述的掩模组件，其中
所述第二表面在所述影线区域中的所述算术平均粗糙度为0.1μm至0.2μm，并且
所述第二表面在所述图案部分中的所述算术平均粗糙度为0μm至0.05μm。


4.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述第二表面在所述影线区域中的十点平均粗糙度大于所述第二表面在所述图案部分中的十点平均粗糙度。


5.根据权利要求4所述的掩模组件，其中
所述第二表面在所述影线区域中的所述十点平均粗糙度为2.0μm至5.0μm，并且
所述第二表面在所述图案部分中的所述十点平均粗糙度为0μm至0.5μm。


6.根据权利要求4所述的掩模组件，其中，所述掩模片具有20μm至50μm的厚度。


7.根据权利要求1所述的掩模组件，其中
所述焊接部分还包括固定到所述掩模框架的焊接点，并且
所述焊接点设置在所述影线区域中。


8.根据权利要求7所述的掩模组件，其中，所述焊接点具有小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：金仁培，文敏浩，朴永浩，任星淳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR