一种线圈保护模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种线圈保护模块，一种线圈保护模块，包括EMC防护电路和电压门限电路，所述EMC电路由压敏电阻VAR1、VAR2，X电容C2，Y电容C3、C4，放电管GDT1电性连接组成，所述电压门限电路由电压检测芯片U1、PNP三极管Q2、8.2V齐纳二极管Z2、12V齐纳二极管Z1、MOS管Q1及阻容器件电性连接组成；本实用新型专利技术方案减少线圈自身因长时间施加低压引起的发热现象。延长线圈寿命，提高操作机构的可靠性。

A coil protection module

【技术实现步骤摘要】
一种线圈保护模块
本技术涉及线圈防护领域，具体是一种线圈保护模块。
技术介绍
线圈通常指呈环形的导线绕组，最常见的线圈应用有：马达、电感、变压器和环形天线等。电路中的线圈是指电感器。是指导线一根一根绕起来，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。目前，通用的线圈，没有防护电路，驱动电压没有门槛限制。电力一次设备操作电压较低时，线圈无法吸合，长时间施加电压时，由于线圈阻抗小，流经线圈的电流比较大，线圈持续发热，容易烧毁线圈。因此，本领域技术人员提供了一种线圈保护模块，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种线圈保护模块，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种线圈保护模块，一种线圈保护模块，包括EMC防护电路和电压门限电路，所述EMC电路由压敏电阻VAR1、VAR2，X电容C2，Y电容C3、C4，放电管GDT1电性连接组成，所述电压门限电路由电压检测芯片U1、PNP三极管Q2、8.2V齐纳二极管Z2、12V齐纳二极管Z1、MOS管Q1及阻容器件电性连接组成。作为本技术进一步的方案：所述压敏电阻VAR1、VAR2与放电管GDT1主要泄放浪涌电压，X电容C2与Y电容C3、C4主要滤除电快速脉冲群、静电等其他电磁干扰。作为本技术再进一步的方案：所述电压检测芯片U1的2脚VDD输入电压小于5V时，1脚OUT下拉到3脚VSS，当2脚VDD输入电压大于5V时，1脚OUT呈现高阻状态。电路通过电阻分压的形式来调整输入电压(减去D1二极管上的压降)与U1之间的电压比值。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术方案减少线圈自身因长时间施加低压引起的发热现象。延长线圈寿命，提高操作机构的可靠性。附图说明图1为一种线圈保护模块的工作电路图。图2为一种线圈保护模块的工作状态一电路图。图3为一种线圈保护模块的工作状态二电路图图中：压敏电阻VAR1，14压敏电阻VAR2，X电容C2，Y电容C3、C4，气体放电管GDT1，电压检测芯片U1，PNP三极管Q2，齐纳二极管Z2，齐纳二极管Z1，MOS管Q1。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术实施例中，一种线圈保护模块，包括EMC防护电路和电压门限电路，所述EMC电路由压敏电阻VAR1、VAR2，X电容C2，Y电容C3、C4，放电管GDT1电性连接组成，其中压敏电阻VAR1、VAR2与放电管GDT1主要泄放浪涌电压，X电容C2与Y电容C3、C4主要滤除电快速脉冲群、静电等其他电磁干扰，所述电压门限电路由电压检测芯片U1、PNP三极管Q2、8.2V齐纳二极管Z2、12V齐纳二极管Z1、MOS管Q1及阻容器件电性连接组成。电压检测芯片U1的工作特性是：当2脚VDD输入电压小于5V时，1脚OUT下拉到3脚VSS，当2脚VDD输入电压大于5V时，1脚OUT呈现高阻状态。电路通过电阻分压的形式来调整输入电压(减去D1二极管上的压降)与U1之间的电压比值，从而确定电压门限值。电压门限值设定为8V。当输入电压在0到8V之间时，U1的VDD处电压小于5V，OUT管脚内部下拉到地，电路中有很小的电流流向如下图中曲线箭头所示路径，MOS管的门极Q1的1脚电压被拉低，MOS管Q1关断，Vout-被切断，电路出口没有电压输出；当输入电压大于8.5V时，齐纳二极管Z2导通，三极管Q2当做开关管用，三极管Q2打开；电压检测芯片U1的VDD引脚处电压大于5V，U1的OUT输出高组态，电路电流流向如下图曲线箭头所指。MOS管门极电压略小于输入电压，但已经足够驱动MOS管Q1打开，Vout-与GND导通，电路出口Vout有电压输出，且保证至少10A的通流能力，保证负载线圈导通瞬间大电流不会烧损MOS管。12V齐纳二极管Z1对MOS管Q1的门极进行电压钳位保护。当输入电压变大，MOS管Q1的门极电压超过12V时，Z1导通，将电压钳位在12V，防止MOS管门极电压过高击穿。以上电路实现：输入电压0-8V，电路无电压输出，输入电压8.5V-24V，输出电压近似等于输入电压。从而整个电路实现EMC防护、电压门限功能，保护后端线圈。另外，对线圈保护模块的部分电路做出调整，便可由24V线圈保护模块，更改为48V线圈保护模块。48V线圈保护模块原理与24V模块类似，电压门槛不一致，主要实现：输入电压0-18V，电路无电压输出，输入18.5-48V时输出电压近似等于输入电压。实现48V线圈的保护。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线圈保护模块，包括EMC防护电路和电压门限电路，其特征在于，所述EMC电路由压敏电阻VAR1、VAR2，X电容C2，Y电容C3、C4，放电管GDT1电性连接组成，所述电压门限电路由电压检测芯片U1、PNP三极管Q2、8.2V齐纳二极管Z2、12V齐纳二极管Z1、MOS管Q1及阻容器件电性连接组成。/n

【技术特征摘要】
1.一种线圈保护模块，包括EMC防护电路和电压门限电路，其特征在于，所述EMC电路由压敏电阻VAR1、VAR2，X电容C2，Y电容C3、C4，放电管GDT1电性连接组成，所述电压门限电路由电压检测芯片U1、PNP三极管Q2、8.2V齐纳二极管Z2、12V齐纳二极管Z1、MOS管Q1及阻容器件电性连接组成。


2.根据权利要求1所述的一种线圈保护模块，其特征在于，所述压敏...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨海龙，欧杰，林来旺，邓水波，王建军，
申请(专利权)人：珠海菲森电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44