【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用量子阱混合技术的激光架构相关申请的交叉引用本专利申请要求提交于2017年9月28日的美国临时专利申请62/564,419的权益，该申请的全部公开内容以引用的方式并入本文以用于所有目的。
本公开整体涉及使用量子阱混合(QWI)形成的半导体激光器。更具体地，本公开涉及包括多个具有不同光学增益偏移的QWI激光条纹的半导体激光器芯片。
技术介绍
半导体激光器可用于许多应用，诸如微量气体检测、环境监测、生物医学诊断、电信和工业工艺控制。一些应用可得益于能够在宽泛的波长范围内发射光的系统。在宽泛的波长范围内实现发射的一种方法可以是在系统中包括多个激光器芯片，其中一部分或全部的激光器芯片可被配置为在不同波长范围内发射光。在一些情况下，波长的范围可宽于激光条纹(例如，量子阱外延结构)的固有增益带宽。每个激光器芯片可包括激光条纹，并且可单独地在外延晶片上生长和工程化。多个激光器芯片可共同创建能够发射不同波长的系统。在一些情况下，在单独的外延晶片上生长激光器芯片可增加系统的尺寸、成本和复杂性。减少包括在系统中的外延晶...
【技术保护点】
1.一种激光器芯片，所述激光器芯片包括：/n包括至少一个激光条纹的多个激光条纹，/n所述至少一个激光条纹包括：/n沿着所述至少一个激光条纹的有源区的一个或多个第一子区域，所述一个或多个第一子区域包括第一跃迁能量，以及/n沿着所述有源区的一个或多个第二子区域，所述一个或多个第二子区域包括第二跃迁能量，/n其中所述第二跃迁能量不同于所述第一跃迁能量，/n其中所述一个或多个第一子区域包括外延晶片，并且所述一个或多个第二子区域包括所述外延晶片。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170928 US 62/564,4191.一种激光器芯片，所述激光器芯片包括：
包括至少一个激光条纹的多个激光条纹，
所述至少一个激光条纹包括：
沿着所述至少一个激光条纹的有源区的一个或多个第一子区域，所述一个或多个第一子区域包括第一跃迁能量，以及
沿着所述有源区的一个或多个第二子区域，所述一个或多个第二子区域包括第二跃迁能量，
其中所述第二跃迁能量不同于所述第一跃迁能量，
其中所述一个或多个第一子区域包括外延晶片，并且所述一个或多个第二子区域包括所述外延晶片。
2.根据权利要求1所述的激光器芯片，还包括：
未暴露的激光条纹，所述未暴露的激光条纹包括第三跃迁能量，
其中所述第三跃迁能量与所述外延晶片的跃迁能量相同。
3.根据权利要求1所述的激光器芯片，其中所述一个或多个第一子区域位于邻近所述至少一个激光条纹的刻面，并且所述一个或多个第二子区域位于邻近所述至少一个激光条纹的增益区域。
4.根据权利要求3所述的激光器芯片，其中所述多个激光条纹包括另一个激光条纹，其中所述另一个激光条纹的所述一个或多个第二子区域的所述第二跃迁能量与所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第一子区域的所述第一跃迁能量相同。
5.根据权利要求3所述的激光器芯片，其中所述一个或多个第一子区域的所述第一跃迁能量大于所述一个或多个第二子区域的所述第二跃迁能量。
6.根据权利要求1所述的激光器芯片，还包括：
沿所述多个激光条纹的所述有源区设置的一个或多个电极，
其中对于所述至少一个激光条纹：
所述至少一个激光条纹的所述电极沿着所述至少一个激光条纹的所述有源区具有第一长度，
所述至少一个激光条纹的所述有源区具有第二长度，
其中所述第一长度小于所述第二长度。
7.根据权利要求6所述的激光器芯片，其中所述多个激光条纹包括另一个激光条纹，其中所述另一个激光条纹的所述电极沿着所述另一个激光条纹的所述有源区具有第三长度，所述第三长度不同于所述第一长度和所述第二长度。
8.根据权利要求7所述的激光器芯片，其中所述第三长度长于所述第一长度，并且
其中所述另一个激光条纹的所述第二跃迁能量大于所述至少一个激光条纹的所述第二跃迁能量。
9.根据权利要求1所述的激光器芯片，其中所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第一子区域包括所述至少一个激光条纹的所述有源区，并且
其中所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第二子区域包括位于所述至少一个激光条纹的所述有源区附近的横向区域。
10.根据权利要求9所述的激光器芯片，其中所述多个激光条纹包括另一个激光条纹，其中所述另一个激光条纹的所述一个或多个第二子区域的所述第二跃迁能量与所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第一子区域的所述第一跃迁能量相同。
11.根据权利要求9所述的激光器芯片，其中所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第二子区域的所述第二跃迁能量大于所述至少一个激光条纹的所述一个或多个第一子区域的所述第一跃迁能量。
12.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·毕斯姆托，M·A·阿伯雷，R·M·奥代特，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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