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制造容差和宽带偏振分路器和旋转器制造技术

技术编号:24133549 阅读:43 留言:0更新日期:2020-05-13 07:14
一种偏振分路器旋转器包括:基板;形成在基板中的初级贯通波导(WG1),其在底部区域(110)上方具有定制的锥形顶部区域(108);形成在基板中的具有定制主体形状的次级交叉波导(WG2);以及位于初级贯通波导(WG1)和次级交叉波导(WG2)之间的间隙(102)。定制的锥形顶部区域(108)迫使TM模式转换为TE模式并交叉进入次级交叉波导(WG2)。

Fabrication of tolerance and broadband polarization splitters and rotators

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造容差和宽带偏振分路器和旋转器交叉引用本申请要求于2017年7月27日提交的美国临时申请第62/537,786号的优先权,通过具体引用将该临时申请作为整体结合在此。
技术介绍
除非本文另有说明,否则本文描述的材料不是本申请中权利要求的现有技术,并且由于包含在本部分中而不能承认其是现有技术。偏振分路器旋转器(PSR)可以用作Si和Si/SiN混合平台上的光子集成电路(PIC)的有用部件。集成光学装置和电路通常对偏振敏感,通常仅设计用于TE模式。这样,输入光的TM模式可被转换为TE模式。偏振不敏感电路可以使用高性能PSR将TE/TM输入光的组合分离和旋转为仅TE光。通常,输入的光可以同时包括TM模式和TE模式,但是当耦合到PIC时,优选TE模式。将TE和TM分离,并将TM转换为TE,并将两者都提供给以相同偏振操作的相同装置。以前,PSR装置可包括Si/SiN混合平台,其Si基板上方有SiO2区域,而SiO2区域则具有与Si波导分开的SiN波导(通过SiO2光耦合)。在一个选择中,可以将TM模式从TE模式中分离出来,然后旋转以将分离的TM模式转换为TE模式。另一个选择是在偏振旋转装置(PR)中将TM模式转换为更高模式的TE(TE01),并在肋波导结构中进行转换,在偏振分离器(PS)中将TE01与TE分离,然后在第二个波导中将TE01转换为TE00。然而,由于复杂的模式转换和设计,这些方法具有有限的制造公差、较小的带宽和较低的消光比,这可能是不利的。本文所要求保护的主题不限于解决上述任何缺点或仅在诸如上述环境中操作的实施方式。而是,提供此背景仅用于说明可以实践本文描述的一些实施方式的
的一个示例。
技术实现思路
在一些实施方式中,偏振分路器旋转器(PSR)可包括:基板;形成在基板中的初级贯通波导,所述初级贯通波导具有贯通第一端,所述贯通第一端具有贯通第一宽度和贯通第一厚度,所述初级贯通波导具有贯通主体,所述贯通主体具有从贯通第一端延伸至贯通第二端的加宽锥度,所述贯通第二端具有大于贯通第一宽度的贯通第二宽度,所述贯通第二端的至少一部分具有小于贯通第一厚度的贯通第二厚度,贯通主体具有朝着贯通第二端延伸的顶部和延伸至贯通第二端的底部,所述底部具有从贯通第一端至贯通第二端的加宽锥度,所述顶部具有从贯通第一端朝向贯通第二端的变窄锥度,暴露出底部的表面,底部的暴露表面具有从贯通第一端朝向贯通第二端的加宽锥度;形成在基板中的次级交叉波导,所述次级交叉波导具有交叉第一端,所述交叉第一端具有交叉第一宽度和交叉厚度,所述次级交叉波导具有交叉主体,所述交叉主体具有从交叉第一端延伸至交叉第二端的加宽锥度,所述交叉第二端具有大于交叉第一宽度的交叉第二宽度,所述交叉第二端具有所述交叉厚度;以及初级贯通波导和次级交叉波导之间的间隙。PSR可具有各种配置。在一些方面,PSR具有间隙,该间隙具有从贯通第一端和交叉第一端之间的间隙第一端至贯通第二端和交叉第二端之间的间隙第二端的大体恒定的宽度。在一些方面,所述基板是SiO2。在一些方面,初级贯通波导是Si。在一些方面,次级交叉波导是Si。在一些方面,初级贯通波导是SiN。在一些方面,次级交叉波导是SiN。在一些方面,初级贯通波导具有“L”形截面轮廓。在一些方面,次级交叉波导具有矩形截面轮廓,其交叉第一宽度大于交叉厚度。在一些方面,初级贯通波导的顶部具有从顶表面延伸至底部的暴露表面的蚀刻面。在一些方面,蚀刻面在贯通第一端与贯通第二端之间是线性的。在一些方面,蚀刻面在贯通第一端与贯通第二端之间是凹形的。在一些方面,蚀刻面在贯通第一端与贯通第二端之间是凸形的。在一些方面,蚀刻面从顶表面至暴露表面是平坦的。在一些方面,蚀刻面终止于贯通第二端的拐角处。在一些方面,蚀刻面在最靠近次级交叉波导的一侧的贯通第一端与贯通第二端之间终止。在一些方面,蚀刻面终止于贯通第二端的拐角之间。在一些方面,蚀刻面起始于贯通第一端的离次级交叉波导最远的拐角处。在一些方面,蚀刻面起始于贯通第一端的拐角之间。在一些方面,蚀刻面起始于离次级交叉波导最远的一侧的贯通第一端和贯通第二端之间。在一些实施方式中,一种将TM模式光转换成TE模式光的方法可包括:将具有TE模式和TM模式的光输入到初级贯通波导的贯通第一端,使得TM模式与初级贯通波导交叉并且转换成第二TE模式并进入次级交叉波导,其中TE模式通过初级贯通波导传播到贯通第二端,并且第二TE模式从交叉点通过次级交叉波导传播到交叉第二端。在一些方面,输入光具有约1.3微米至约1.55微米的波长,在该波长附近具有约300-500微米的宽带。在一些实施方式中,一些实施方式的形成PSR的方法包括:形成基板;蚀刻基板以形成第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽和第二凹槽均具有第一端和第二端;在第一凹槽和第二凹槽中沉积波导材料;以及在第一凹槽中选择性地蚀刻波导材料以形成初级贯通波导,并且在第二凹槽中选择性地蚀刻波导材料以形成次级交叉波导。在一些方面,所述方法可包括在初级贯通波导的暴露表面上方和次级交叉波导上方用材料填充第一凹槽和第二凹槽。在一些实施方式中,光子集成电路(PIC)可包括:至少一些实施方式的PSR;分离器,所述分离器具有与所述初级贯通波导光学耦合的贯通波导和与所述次级交叉波导光学耦合的交叉波导;和平板至条带模式转换器(STSMC),其具有与所述分离器的贯通波导光学耦合的贯通STSMC并且具有与所述分离器的交叉波导光学耦合的交叉STSMC。在一些方面,分离器的贯通波导和交叉波导均具有贯通第二厚度。在一些方面,分离器的贯通波导具有S形弯曲。在一些实施方式中,贯通STSMC和交叉STSMC可具有:具有贯通第二厚度的第一加宽锥度;在第一加宽锥度之后的具有贯通第二厚度的第一主体区域;第一变窄锥度,其包括具有贯通第二厚度的第一叉;具有贯通第二厚度的第二叉;和位于第一叉和第二叉之间的凸起的加宽锥形条带,所述凸起的加宽锥形条带具有贯通第一厚度;在第一变窄锥度之后的具有贯通第一厚度的第二主体区域;和在第二主体区域之后的具有贯通第一厚度的第二变窄锥度。在一些实施方式中,平板至条带模式转换器(STSMC)可包括:贯通STSMC;交叉STSMC;以及位于贯通STSMC和交叉STSMC之间的间隙。在一些实施方式中,贯通STSMC和交叉STSMC具有:具有贯通第二厚度的第一加宽锥度;在第一加宽锥度之后的具有贯通第二厚度的第一主体区域。贯通STSMC和交叉STSMC可包括第一变窄锥度,所述第一变窄锥度具有:具有贯通第二厚度的第一叉;具有贯通第二厚度的第二叉;和位于第一叉和第二叉之间的凸起的加宽锥形条带,所述凸起的加宽锥形条带具有贯通第一厚度。贯通STSMC和交叉STSMC可包括在第一变窄锥度之后的具有贯通第一厚度的第二主体区域。贯通STSMC和交叉STSMC可包括在第二主体区域之后的具有贯通第一厚度的第二变窄锥度。前述概述仅是说明性的,并不意在任何方式进行限制。除了上述说明性方面、实施方式和特征之外,通过参照附图和以下详细描述,进一步的方面、实施方式和特征将变得显而易见。附图本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种偏振分路器旋转器(PCR),包括:/n基板;/n形成在所述基板中的初级贯通波导,所述初级贯通波导具有贯通第一端,所述贯通第一端具有贯通第一宽度和贯通第一厚度,所述初级贯通波导具有贯通主体,所述贯通主体具有从所述贯通第一端延伸至贯通第二端的加宽锥度,所述贯通第二端具有大于所述贯通第一宽度的贯通第二宽度,并且所述贯通第二端的至少一部分具有小于所述贯通第一厚度的贯通第二厚度,所述贯通主体具有朝着所述贯通第二端延伸的顶部和延伸至所述贯通第二端的底部,所述底部具有从所述贯通第一端至所述贯通第二端的加宽锥度,所述顶部具有从所述贯通第一端朝向所述贯通第二端的变窄锥度,从而暴露出所述底部的表面,所述底部的暴露表面具有从所述贯通第一端朝向所述贯通第二端的加宽锥度;/n形成在所述基板中的次级交叉波导,所述次级交叉波导具有交叉第一端,所述交叉第一端具有交叉第一宽度和交叉厚度,所述次级交叉波导具有交叉主体,所述交叉主体具有从所述交叉第一端延伸至交叉第二端的加宽锥度,所述交叉第二端具有大于所述交叉第一宽度的交叉第二宽度,并且所述交叉第二端具有所述交叉厚度;以及/n位于所述初级贯通波导和所述次级交叉波导之间的间隙。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170727 US 62/537,7861.一种偏振分路器旋转器(PCR),包括:
基板;
形成在所述基板中的初级贯通波导,所述初级贯通波导具有贯通第一端,所述贯通第一端具有贯通第一宽度和贯通第一厚度,所述初级贯通波导具有贯通主体,所述贯通主体具有从所述贯通第一端延伸至贯通第二端的加宽锥度,所述贯通第二端具有大于所述贯通第一宽度的贯通第二宽度,并且所述贯通第二端的至少一部分具有小于所述贯通第一厚度的贯通第二厚度,所述贯通主体具有朝着所述贯通第二端延伸的顶部和延伸至所述贯通第二端的底部,所述底部具有从所述贯通第一端至所述贯通第二端的加宽锥度,所述顶部具有从所述贯通第一端朝向所述贯通第二端的变窄锥度,从而暴露出所述底部的表面,所述底部的暴露表面具有从所述贯通第一端朝向所述贯通第二端的加宽锥度;
形成在所述基板中的次级交叉波导,所述次级交叉波导具有交叉第一端,所述交叉第一端具有交叉第一宽度和交叉厚度,所述次级交叉波导具有交叉主体,所述交叉主体具有从所述交叉第一端延伸至交叉第二端的加宽锥度,所述交叉第二端具有大于所述交叉第一宽度的交叉第二宽度,并且所述交叉第二端具有所述交叉厚度;以及
位于所述初级贯通波导和所述次级交叉波导之间的间隙。


2.根据权利要求1所述的PSR,其中所述间隙具有从所述贯通第一端与所述交叉第一端之间的间隙第一端至所述贯通第二端与所述交叉第二端之间的间隙第二端大体上恒定的宽度。


3.根据权利要求1所述的PSR,其中所述基板是SiO2。


4.根据权利要求1所述的PSR,其中所述初级贯通波导是Si。


5.根据权利要求1所述的PSR,其中所述次级交叉波导是Si。


6.根据权利要求1所述的PSR,其中所述初级贯通波导是SiN。


7.根据权利要求1所述的PSR,其中所述次级贯通波导是SiN。


8.根据权利要求1所述的PSR,其中所述初级贯通波导在第一端和第二端之间的中间位置处在宽度和高度平面中具有“L”形截面轮廓。


9.根据权利要求1所述的PSR,其中所述次级交叉波导具有矩形截面轮廓,其中所述交叉第一宽度大于所述交叉厚度。


10.根据权利要求1所述的PSR,其中所述初级贯通波导的所述顶部具有蚀刻面,所述蚀刻面从顶表面延伸至所述底部的所述暴露表面。


11.根据权利要求10所述的PSR,其中所述蚀刻面在所述贯通第一端至所述贯通第二端之间是线性的。


12.根据权利要求10所述的PSR,其中所述蚀刻面从所述顶表面至所述暴露表面是平坦的。


13.根据权利要求10所述的PSR,其中所述蚀刻面终止于所述贯通第二端的拐角处。


14.根据权利要求10所述的PSR,其中所述蚀刻面起始于所述贯通第一端的离所述次级交叉波导最远的拐角处。


15.一种将TM模式光转换成TE模式光的方法,包括:
提供权利要求1所述的PSR;以及
将具有TE模式和TM模式的光输入到所述初级贯通波导的所述贯通第一端,使得所述TM模式与所述初级贯通波导交叉并且转换成第二TE模式并进入所述次级交叉波导,其中所述TE模式通过所述初级贯通波导传播到所述贯通第二端,并且所述第二TE模式从交叉点通过所述次级交叉波导传播到所述交叉第二端。


16.根据权利要求15所述的方法,其中所述输入光具有约1.3微米至约1.55...

【专利技术属性】
技术研发人员:林世云李真型
申请(专利权)人:菲尼萨公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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