一种高可靠沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源制造技术

本发明专利技术公开了一种沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源，并设计了触发式脉冲引弧电源包括整流电路、电容充放电电路和触发控制电路三部分；当电弧主电源的输出电压高于空载输出电压的75％，或输出电流低于30A时，触发控制电路判定阴极电弧源处于熄弧状态，并触发脉冲信号，整流电路同步将交流电220V转换成直流电360V，并开始对电容充电，当充电电压达到360V，光晶闸管VS1自行关断，光晶闸管VS1可靠关断2ms后，触发控制电路给光晶闸管VS2发出一个导通触发脉冲信号，电容的电压通过光晶闸管VS2施加到阴极电弧源的陶瓷触发极上，为陶瓷表面的沿面击穿提供脉冲放电电压。

A high reliable trigger pulse arc striking power supply for surface breakdown discharge

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源
本专利技术属于功率脉冲电源
，涉及一种与沿面击穿放电触发式脉冲引弧装置配套使用的专用功率电源。
技术介绍
真空阴极电弧离子源是多弧离子镀膜设备的核心部件，由于真空阴极电弧离子源的弧光放电需要经历引弧过程，通过沿面击穿放电触发式引弧技术可提供初始等离子体引发电弧放电。触发式脉冲电源是引起电弧放电的一项关键技术，通常采用IGBT模块电路控制电路的导通和截止。但在实际的多弧离子镀膜工艺过程中，涂层会额外沉积在引弧装置的触发极上，随着涂层沉积厚度增加会导致其沿面位置的绝缘性能降低，电流迅速增大，高的电流变化率dI/dt会对IGBT器件造成过流冲击，而商用的IGBT器件的电压和电流容量比较有限，击穿电压低，耐过流量小，则有可能使IGBT过热或损坏，导致触发式脉冲引弧电源短路并损坏。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种采用光晶闸管模块设计的触发式脉冲电源电路，旨在解决沿面击穿触发式引弧电源的可靠性和效率问题。且电路结构设计简易，安全可靠，造价低廉，节省空间，便于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源，其特征在于：触发式脉冲引弧电源包括整流电路、电容充放电电路和触发控制电路三部分；其中，整流电路包括熔断器FU1、变压器TV和整流桥U1，用于将交流电转换成直流电；电容充放电电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、光晶闸管VS1、光晶闸管VS2、电容C1、电容C2、电容C3、续流二极管U2、电感L，其中，光晶闸管VS1阴极连接电容C1、C2、C3正极，三组电容并联后经R2接至光晶闸管VS2阳极，光晶闸管VS2阴极分别连接电感L和续流二极管U2，电感L经限流电阻R3连接阴极电弧源触发极陶瓷沿面，所述电容充放电电路提供沿面击穿触发放电所需的脉冲电压；触发控制电路...

【技术特征摘要】
1.一种沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源，其特征在于：触发式脉冲引弧电源包括整流电路、电容充放电电路和触发控制电路三部分；其中，整流电路包括熔断器FU1、变压器TV和整流桥U1，用于将交流电转换成直流电；电容充放电电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、光晶闸管VS1、光晶闸管VS2、电容C1、电容C2、电容C3、续流二极管U2、电感L，其中，光晶闸管VS1阴极连接电容C1、C2、C3正极，三组电容并联后经R2接至光晶闸管VS2阳极，光晶闸管VS2阴极分别连接电感L和续流二极管U2，电感L经限流电阻R3连接阴极电弧源触发极陶瓷沿面，所述电容充放电电路提供沿面击穿触发放电所需的脉冲电压；触发控制电路包括集成的触发控制电路板，其两路脉冲信号输出端分别连接光晶闸管VS1和VS2信号触发极，用于控制电容充放电的时序。


2.如权利要求1所述的一种沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源，其特征在于：电容充放电的频率为0.5Hz，即触发式脉冲引弧电源电路以0.5Hz的频率向触发极陶瓷沿面施加脉冲电压，直至沿面击穿放电引弧成功。
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【专利技术属性】
技术研发人员：蒋钊，肖更竭，周晖，郑军，赵栋才，杨拉毛草，魏广，张腾飞，张延帅，贵宾华，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃;62