有机发光显示器的制造方法和掩模组件技术

提供了一种制造显示装置的方法和一种掩模组件。所述制造显示装置的方法包括：准备像素电路基底，像素电路基底包括薄膜晶体管和分别电连接到薄膜晶体管的像素电极；使用第一掩模组件在像素电路基底上形成第一沉积层；以及使用第二掩模组件在像素电路基底上形成第二沉积层。第一掩模组件和第二掩模组件中的至少一个包括掩模板，掩模板包括沉积材料所穿过的开口部分和阻挡沉积材料的通路的覆盖部分。掩模板还包括从覆盖部分的边缘向开口部分的中心区域突出的突出部分。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示器的制造方法和掩模组件于2018年11月2日在韩国知识产权局提交的名称为“ManufacturingMethodofOrganicLight-EmittingDisplayandMaskAssembly”的第10-2018-0133907号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种有机发光显示器的制造方法和用于该制造方法的掩模组件。
技术介绍
显示装置的用途正在多样化，显示装置的厚度和重量正在减小，并且其使用范围正在扩大。已经增加了用于连接或链接到显示装置的各种功能，同时增大了在这样的显示装置中显示区域所占据的面积。此外，正在考虑在扩大面积的同时添加各种功能的方法。
技术实现思路
实施例涉及一种制造显示装置的方法，所述方法包括：准备像素电路基底，像素电路基底包括薄膜晶体管和分别电连接到薄膜晶体管的像素电极；使用第一掩模组件在像素电路基底上形成第一沉积层；以及使用第二掩模组件在像素电路基底上形成第二沉积层。第一掩模组件和第二掩模组件中的至少一个包括掩模板，掩模板包括沉积材料所穿过的开口部分和阻挡沉积材料的通路的覆盖部分。掩模板包括从覆盖部分的边缘向开口部分的中心区域突出的突出部分。第一掩模组件可以包括掩模片，掩模片包括彼此分隔开的多个孔。第一掩模组件的掩模板可以部分覆盖多个孔中的第一孔。第一掩模组件的掩模板可以与掩模片叠置，并且可以在与掩模片的延伸方向相交的方向上延伸。第一沉积层可以包括彼此分隔开的发射层。形成在像素电路基底上的发射层中的第一发射层中的每个的形状可以不同于发射层中的第二发射层中的每个的形状。显示装置可以包括：透射区域，光或声音透射过透射区域；显示区域，部分地围绕透射区域；以及非显示区域，在透射区域与显示区域之间。第一发射层可以对应于所述显示区域，并且第二发射层可以对应于所述非显示区域。第一沉积层可以包括彼此分隔开的发射层。形成在像素电路基底上的发射层中的第一发射层中的每个的面积可以比发射层中的第二发射层中的每个的面积大。第二掩模组件的掩模板可以包括具有闭合回路边缘的开口部分。突出部分的边缘可以对应于闭合回路边缘的一部分。第二沉积层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层和具有极性与像素电极的极性不同的对向电极中的至少一个。形成在像素电路基底上的第二沉积层的第一部分的厚度可以比第二沉积层的第二部分的厚度大。有机发光显示装置可以包括：透射区域，光或声音透射过透射区域；显示区域，部分地围绕透射区域；以及非显示区域，在透射区域与显示区域之间。第二沉积层的第一部分可以对应于显示区域。第二沉积层的第二部分可以对应于非显示区域。第二沉积层可以不在透射区域上。实施例还涉及一种掩模组件，掩模组件包括掩模板，掩模板包括：开口部分，沉积材料穿过开口部分；覆盖部分，阻挡沉积材料的通路；以及突出部分，从覆盖部分的边缘向开口部分的中心区域突出。掩模组件的开口部分可以包括闭合回路边缘。突出部分的边缘可以对应于闭合回路边缘的一部分。开口部分的闭合回路边缘可以包括线性区域。突出部分可以从线性区域突出。开口部分的闭合回路边缘可以包括曲线区域。突出部分可以从曲线区域突出。覆盖部分和突出部分可以一体地形成。掩模组件还可以包括与掩模板叠置的掩模片，所述掩模片包括彼此分隔开的多个孔。掩模板的突出部分可以部分地覆盖掩模片的孔。掩模板的突出部分可以部分地覆盖掩模片的孔中的第一孔。掩模片和掩模板可以彼此叠置，同时彼此接触。掩模片和掩模板可以由不同的材料制成。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：图1示出了根据实施例的显示装置的平面图；图2示出了根据实施例的显示装置的像素的剖视图；图3示出了根据实施例的用于形成显示装置的第一沉积层的第一掩模组件的透视图；图4A示出了根据实施例的第一掩模组件的掩模板的平面图；图4B示出了其中图4A的第一掩模组件的掩模板和掩模片彼此叠置的状态的平面图；图4C示出了根据另一实施例的第一掩模组件的掩模板的平面图；图4D示出了根据另一实施例的第一掩模组件的掩模板的平面图；图5示出了在根据实施例的显示装置的制造工艺中使用的第一制造装置的剖视图；图6示出了包括第一沉积层的像素电路基底的一部分的平面图；图7示出了根据实施例的用于形成显示装置的第二沉积层的第二掩模组件的透视图；图8示出了图7的第二掩模组件的开口的平面图；图9示出了在根据实施例的显示装置的制造工艺中使用的第二制造装置的剖视图；图10示出了包括第二沉积层的像素电路基底的一部分的平面图；以及图11示出了沿图10中的线A-A'和线B-B'截取的剖视图。具体实施方式现在将参照附图在下文中更充分地描述示例实施例；然而，可以以不同的形式来实施它们，且不应该解释为局限于在这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将充分传达示例性实施方式给本领域技术人员。在附图中，为了示出的清楚起见，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在另一层或基底上，或者还可以存在中间层。另外，将理解的是，当层被称作“在”另一层“下”时，该层可以直接在另一层下，并且还可以存在一个或更多个中间层。此外，还将理解的是，当层被称作“在”两层“之间”时，该层可以是在两层之间的唯一层，或者还可以存在一个或更多个中间层。同样的参考标号始终表示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和所有组合。贯穿公开，表达“a、b和c中的至少一个”表示：只有a；只有b；只有c；a和b二者；a和c二者；b和c二者；a、b和c中的全部；或者其变型。将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”等在这里可以用来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个组件与另一组件区别开来。除非它在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表达包含复数的表达。当某个实施例可不同地被实施时，特定的工艺顺序可不同于描述的顺序被执行。例如，两个相继描述的工艺可被基本上同时执行或以与描述的顺序相反的顺序被执行。图1示出了根据实施例的显示装置10的平面图。参照图1，显示装置10可以包括用于发光的显示区域DA。透射区域OA可以布置在显示区域DA中。透射区域OA可以接触显示区域DA的第一边缘E1，并且透射区域OA可以被显示区域DA部分地围绕。在这方面，图1公开了其中透射区域OA的除上部以外的剩余部分被显示区域DA围绕的结构。透射区域OA可以是光或声音所穿过的区域。用于改善显示装置10或用于添加新功能的组件可以位于透射区域OA中。所述组件可以包括例如捕获图像的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：/n准备像素电路基底，所述像素电路基底包括薄膜晶体管和分别电连接到薄膜晶体管的像素电极；/n使用第一掩模组件在所述像素电路基底上形成第一沉积层；以及/n使用第二掩模组件在所述像素电路基底上形成第二沉积层，/n其中：/n所述第一掩模组件和所述第二掩模组件中的至少一个包括掩模板，所述掩模板包括沉积材料所穿过的开口部分和阻挡所述沉积材料的通路的覆盖部分，并且/n所述掩模板还包括从所述覆盖部分的边缘向所述开口部分的中心区域突出的突出部分。/n

【技术特征摘要】
20181102 KR 10-2018-01339071.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
准备像素电路基底，所述像素电路基底包括薄膜晶体管和分别电连接到薄膜晶体管的像素电极；
使用第一掩模组件在所述像素电路基底上形成第一沉积层；以及
使用第二掩模组件在所述像素电路基底上形成第二沉积层，
其中：
所述第一掩模组件和所述第二掩模组件中的至少一个包括掩模板，所述掩模板包括沉积材料所穿过的开口部分和阻挡所述沉积材料的通路的覆盖部分，并且
所述掩模板还包括从所述覆盖部分的边缘向所述开口部分的中心区域突出的突出部分。


2.如权利要求1所述的方法，其中：
所述第一掩模组件包括所述掩模板和掩模片，所述掩模片包括彼此分隔开的多个孔，并且
所述第一掩模组件的所述掩模板部分地覆盖所述多个孔中的第一孔。


3.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一掩模组件的所述掩模板与所述掩模片叠置，并且在与所述掩模片的延伸方向相交的方向上延伸。


4.如权利要求1所述的方法，其中：
所述第一沉积层包括彼此分隔开的发射层，并且
形成在所述像素电路基底上的所述发射层中的第一发射层中的每个的形状不同于所述发射层中的第二发射层中的每个的形状。


5.如权利要求4所述的方法，其中：
所述显示装置包括：透射区域，光或声音透射过所述透射区域；显示区域，部分围绕所述透射区域；以及非显示区域，在所述透射区域与所述显示区域之间，并且
所述第一发射层对应于所述显示区域，所述第二发射层对应于所述非显示区域。


6.如权利要求1所述的方法，其中：
所述第一沉积层包括彼此分隔开的发射层，并且
形成在所述像素电路基底上的所述发射层中的第一发射层中的每个的面积比所述发射层中的第二发射层中的每个的面积大。


7.如权利要求1所述的方法，其中：
所述第二掩模组件包括所述掩模板，
所述第二掩模组件的所述掩模板的所述开口部分具有闭合回路边缘，并且
所述突出部分的边缘对应于所述闭合回路边缘的一部分。


8.如权利要求7所述的方法，其中：
所述第二沉积层包括空穴传输层、空穴注入...

【专利技术属性】
技术研发人员：金勳，南基贤，金俊佑，安惠淑，高轻玹，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR