【技术实现步骤摘要】
一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法
本专利技术涉及纳米材料制备
，具体涉及一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法。
技术介绍
近年来，光催化剂在环境治理、消毒杀菌等领域被广泛研究。TiO2材料具有良好的稳定性、无毒，且其具有优异的光催化特性，因此被广泛地用作光催化剂。但TiO2材料的能带隙较宽约为3.0-3.2eV，因而光谱响应范围较窄，仅能吸收紫外光区波段，所以对太阳光的利用率较低。另一方面，半导体型MoS2材料的能带隙较窄约为1.2-1.9eV，且MoS2量子点具有非常大的比表面积和极高的表面原子比，在电子、光电子器件和催化在内的多个领域都有潜在应用，备受研究者关注。在实际应用中，复合结构材料往往可以同时具备各单组分材料的特性，不仅性能上能够形成互补作用，而且还衍生出新的协同功能。因此，构建MoS2量子点和TiO2复合纳米材料有望在光电催化领域得到了广泛应用。为此，本专利技术提出一种实验条件较为温和，半导体型MoS2量子点和TiO2复合...
【技术保护点】
1.一种半导体型MoS
【技术特征摘要】
1.一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
(1)以半导体型MoS2粉体为原料、玻璃为衬底，制备半导体型MoS2电极；
(2)配制十六烷基溴化铵的乙腈溶液；
(3)以半导体型MoS2电极为阴极，以十六烷基溴化铵的乙腈溶液为电解液，以碳棒电极为阳极，组装电化学反应装置；
(4)对电化学反应装置通电，进行电化学反应；
(5)电化学反应后，将阴极上的半导体型MoS2移入有机溶剂中，得到混合液；
(6)将混合液超声处理，然后离心分离，取分离后的上清液，得到半导体型MoS2量子点的有机溶液；
(7)将TiO2纳米棒阵列样品置于半导体型MoS2量子点的有机溶液中并超声处理，取出样品后,进行升温热处理，即得到半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述制备半导体型MoS2电极，包括如下步骤：①常温下将半导体型MoS2粉体，置于有机溶剂中搅拌，制得半导体型MoS2的有机悬浮液；②将半导体型MoS2的有机悬浮液涂于玻璃衬底上，干燥，制得半导体型MoS2电极。
3.根据权利要求2所述的一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法，其特征在于，所述半导体型MoS2电极的制备步骤，步骤①中所述有机溶剂为乙醇、甲醇、N-甲基吡咯烷酮中任一种,所述半导体型MoS2的有机悬浮液的浓度为1-20mg/ml；步骤②中所述干燥温度为60-90℃，干燥时间为30-60分钟，所述玻璃衬底尺寸为0.1-1cm2。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：成家洪，王玮，许鹏，刘天宇，孙潇楠，张金涛，苏扬，柏寄荣，
申请(专利权)人：常州工学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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