【技术实现步骤摘要】
聚合物的制造方法、及聚合物
本专利技术涉及聚合物的制造方法、及聚合物。
技术介绍
随着LSI的高集成化与高速化，微细化正急速地进展。作为最先进的微细化技术，在投影透镜与基板之间插入水等液体来实施曝光的ArF浸润式光刻已经量产，且已经在探讨ArF光刻的多重曝光(多重图案化)、波长13.5nm的极紫外线(EUV)光刻等。在前述光刻所使用的化学增幅抗蚀剂组合物中，有时会使用除了包含以往的酸脱离性单元、内酯单元等之外，还包含因曝光而分解并产生酸的单元(以下称为“产酸剂单元”)作为基础树脂的构成单元的共聚物。含有产酸剂单元的基础树脂通过在聚合物侧链上具有产酸剂单元，而可以抑制酸扩散并能够形成高分辨率的图案。作为这种共聚物，已经有人探讨例如专利文献1～4所记载的共聚物。制造这种共聚物时，在以往的方法中，有时会有单体并未充分消耗殆尽而残存在聚合后的溶液、纯化后的共聚物中的情况。尤其，在产酸剂单元残存时，比起经共聚并已经键结于聚合物主链上的产酸单元，残存的产酸单元的酸扩散较大，无法充分地抑制酸扩散。因此，以分辨率、图案形状为...
【技术保护点】
1.一种聚合物的制造方法，是制造含有来自包含因曝光而分解并产生酸的结构的单体(A)的重复单元、来自具有酸不稳定基团的单体(B)的重复单元、及来自具有酚性羟基的单体(C)的重复单元，且聚合物中所含的单体(A)的残存量为1.0质量％以下的聚合物的方法，包含下列步骤：/n将含有单体(A)、单体(B)、及单体(C)的单体溶液供给到反应釜中，及/n在所述反应釜内实施聚合反应；/n所述反应釜内的单体溶液中的单体浓度为35质量％以上，且所述单体溶液的溶剂(S)包含选自下式(S-1)及下式(S-2)所示的溶剂中的至少1种；/n
【技术特征摘要】
20181102 JP 2018-2071761.一种聚合物的制造方法，是制造含有来自包含因曝光而分解并产生酸的结构的单体(A)的重复单元、来自具有酸不稳定基团的单体(B)的重复单元、及来自具有酚性羟基的单体(C)的重复单元，且聚合物中所含的单体(A)的残存量为1.0质量％以下的聚合物的方法，包含下列步骤：
将含有单体(A)、单体(B)、及单体(C)的单体溶液供给到反应釜中，及
在所述反应釜内实施聚合反应；
所述反应釜内的单体溶液中的单体浓度为35质量％以上，且所述单体溶液的溶剂(S)包含选自下式(S-1)及下式(S-2)所示的溶剂中的至少1种；
式中，R1为氢原子、羟基、或也可经取代的碳数1～8的烷基；R2～R4分别独立地为氢原子或也可经取代的碳数1～8的烷基；p为1～3的整数；q为0～2的整数；r为1～3的整数。
2.根据权利要求1所述的聚合物的制造方法，其中，单体(A)为下式(A-1)～(A-3)中任一个所示的单体；
式中，RA分别独立地为氢原子或甲基；
Z1为单键、亚苯基、-O-Z11-、-C(＝O)-O-Z11-或-C(＝O)-NH-Z11-；Z11为碳数1～6的烷二基、碳数2～6的烯二基或亚苯基，且也可以含有羰基、酯键、醚键或羟基；
Z2为单键或-Z21-C(＝O)-O-；Z21为也可以含有杂原子的碳数1～20的2价烃基；
Z3为单键、亚甲基、亚乙基、亚苯基、经氟化的亚苯基、-O-Z31-、-C(＝O)-O-Z31-或-C(＝O)-NH-Z31-；Z31为碳数1～6的烷二基、碳数2～6的烯二基或亚苯基，且也可以含有羰基、酯键、醚键或羟基；
R11～R18分别独立地为也可以含有杂原子的碳数1～20的1价烃基；此外，R11与R12也可以彼此键结并和它们所键结的硫原子一起形成环，R13、R14及R15中的任2个以上也可以彼此键结并和它们所键结的硫原子一起形成环，R16、R17及R18中的任2个以上也可以彼此键结并和它们所键结的硫原子一起...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿达铁平，提箸正义，小野绘实子，小野塚英之，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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