使用方位角变化电场的反应堆制造技术

用于产生和控制核聚变反应的方法、装置、设备和系统。由于离子‑中性物耦合，诱导氢原子或其他中性物质(中性物)在约束区域中旋转运动，其中离子是由电场驱动的。受控聚变反应包括一系列反应，包括诸如质子‑硼‑11聚变反应的无中子反应。

A reactor using an azimuthal field

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用方位角变化电场的反应堆相关申请的交叉引用本申请要求2017年8月16日提交的美国专利申请号15/679091和2017年5月8日提交的美国专利申请号15/589905的权益和优先权。美国专利申请号15/679091是美国专利申请号15/589905的继续申请，申请号为15/589905的美国专利申请是2014年6月27日提交的美国专利申请序列号14/318246的部分继续申请，该序列号为14/318246的美国专利申请要求以下的权益：(i)提交日为2013年6月27日的美国临时申请序列号61/840428；(ii)2014年1月8日提交的美国临时申请序列号61/925114；(iii)2014年1月8日提交的美国临时申请序列号61/925131；(iv)2014年1月8日提交的美国临时申请序列号61/925122；(v)2014年1月8日提交的美国临时申请序列号61/925148；(vi)2014年1月8日提交的美国临时申请序列号61/925142；(vii)2013年7月1日提交的美国临时申请序列号61/841834；(viii)2013年7月4日提交的美国临时申本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，所述装置包含：/n约束壁，所述约束壁具有基本上圆柱形的内表面，所述内表面具有轴线，其中所述约束壁至少部分地包围约束区域；/n多个电极，所述多个电极沿所述约束壁呈方位角分布；/n所述约束区域的入口，用于允许将中性物引入所述约束区域；/n控制系统，所述控制系统包含配置以按顺序将一个或多个电势施加到所述多个电极中的每一个的电压和/或电流源，从而诱导和/或维持离子和所述中性物在所述约束区域中的旋转运动；以及/n反应物，所述反应物附着于或嵌入所述约束壁，使得在运行期间，所述中性物和所述反应物之间的反复碰撞产生与所述反应物的相互作用，所述相互作用释放能量并产生产物，所述产物的核质量不同于所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170508 US 15/589,886;20170508 US 15/589,902;20171.一种装置，所述装置包含：
约束壁，所述约束壁具有基本上圆柱形的内表面，所述内表面具有轴线，其中所述约束壁至少部分地包围约束区域；
多个电极，所述多个电极沿所述约束壁呈方位角分布；
所述约束区域的入口，用于允许将中性物引入所述约束区域；
控制系统，所述控制系统包含配置以按顺序将一个或多个电势施加到所述多个电极中的每一个的电压和/或电流源，从而诱导和/或维持离子和所述中性物在所述约束区域中的旋转运动；以及
反应物，所述反应物附着于或嵌入所述约束壁，使得在运行期间，所述中性物和所述反应物之间的反复碰撞产生与所述反应物的相互作用，所述相互作用释放能量并产生产物，所述产物的核质量不同于所述中性物和所述反应物的核中的任一个的核质量。


2.根据权利要求1所述的装置，所述装置进一步包含至少一个磁体，所述磁体被配置为提供穿过所述约束区域的磁场，使得所述磁场至少部分地沿着所述基本上圆柱形内表面的轴线方向定向。


3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个电极包括至少四个电极。


4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个电极包括约20至80个电极。


5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个电极的电极在方位角方向上的宽度为约10cm或更小。


6.根据权利要求1所述的装置，所述装置进一步包含：
内壁，所述内壁在所述约束壁的内表面内部的区域内并且通过至少所述约束区域与所述约束壁分隔；以及
沿所述内壁方位角分布的第二组多个电极，其中所述控制系统进一步配置为按顺序将一个或多个电势施加到所述第二组多个电极中的每一个。


7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述内壁与所述约束壁的所述内表面分隔平均约1mm至50cm的距离。


8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制系统被配置为根据时序按顺序将一个或多个电势施加到所述多个电极中的每一个，所述时序限定所述离子和所述中性物在所述约束区域中旋转运动的速度。


9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制系统被配置为将振荡电势施加到所述多个电极中的每一个，其中所述振荡电势的频率为约60kHz至1MHz。


10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述约束壁包含难熔金属和/或不锈钢。


11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述约束壁包含分层结构，其中至少一层包含沿所述约束壁方位角分布的多个电极。


12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述产物的核质量大于所述中性粒子和所述反应物的核中的任一个的核质量。


13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述相互作用是聚变反应。


14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述聚变反应是无中子聚变反应。


15.根据权利要求1所述的装置，其中，所述附着于或嵌入所述约束壁的反应物包含硼-11，并且其中所述中性物包含中性氢、氘和/或氚。


16.根据权利要求1所述的装置，所述装置进一步包含一个或多个电子发射体，所述电子发射体被配置为在运行期间将电子发射到与所述约束壁相邻的区域中。


17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述电子发射体附着于或嵌入所述约束壁。


18.根据权利要求1所述的装置，其中，在运行期间，靠近所述约束壁的所述约束区域包含富电子区域，比起带正电粒子，所述富电子区域的电子过量至少约106/cm3。


19.根据权利要求18所述的装置，其中，在运行期间，所述富电子区域从所述约束壁延伸到所述约束区域中约50纳米至约50微米的距离。


20.根据权利要求18所述的装置，其中，在运行期间，所述富电子区域的电场强度为至少约106V/m。


21.根据权利要求1所述的装置，其中，所述约束壁的半径为至少约2米。


22.根据权利要求1所述的装置，其中，所述约束壁在轴线方向上的长度为至少约1米。


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【专利技术属性】
技术研发人员：黄耀辉，
申请(专利权)人：首环国际股份有限公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY