【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】pH、氧化还原电位调节水的制造装置
本专利技术涉及在电子工业领域等中使用的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，特别涉及能使有钨等铬族元素暴露的半导体晶片的带电、腐蚀溶解的程度最小化的pH、氧化还原电位调节水的制造装置。
技术介绍
在LSI等的电子部件的制造工序中，会反复进行对具有微细结构的被处理体进行处理的工序。另外，进行以去除晶片、基板等处理体表面附着的微粒、有机物、金属、自然氧化皮膜等为目的的洗涤，达到并维持高度的清洁度，这对保持产品的品质、提高成品率很重要。众所周知，对于在该洗涤后的漂洗工序中使用的超纯水而言，其纯度越高则比电阻值越高，但是存在的问题是：由于使用比电阻值高的超纯水，所以洗涤时容易产生静电，会招致绝缘膜的静电击穿、微粒的再附着。因此，近年来，通过将在超纯水中溶解了碳酸气体、氨等而成的稀药液作为漂洗水进行pH调节，降低静电来努力解决上述问题。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，存在的问题是：由于超纯水中微量地含有在其制造过程中生成的过氧化氢，所以在对晶片表面的一部分面或整个...
【技术保护点】
1.一种pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其是在超纯水中添加pH调节剂和氧化还原电位调节剂来制造具有预期的pH及氧化还原电位的调节水的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，/n超纯水供给线依次设置有过氧化氢去除机构和pH调节剂注入装置，/n在所述pH调节剂注入装置的后段具备pH测量机构及氧化还原电位测量机构，/n所述pH、氧化还原电位调节水的制造装置具有控制机构，该控制机构根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述pH调节剂注入装置中的pH调节剂的添加量。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180227 JP 2018-0336561.一种pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其是在超纯水中添加pH调节剂和氧化还原电位调节剂来制造具有预期的pH及氧化还原电位的调节水的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，
超纯水供给线依次设置有过氧化氢去除机构和pH调节剂注入装置，
在所述pH调节剂注入装置的后段具备pH测量机构及氧化还原电位测量机构，
所述pH、氧化还原电位调节水的制造装置具有控制机构，该控制机构根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述pH调节剂注入装置中的pH调节剂的添加量。
2.如权利要求1所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，
在所述过氧化氢去除机构的后段且所述pH调节剂注入装置的前段或后段具有氧化还原电位调节剂注入装置，所述控制机构能根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述氧化还原电位调节剂注入装置中的氧化还原电位调节剂的添加量。
3.如权利要求1或2所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，
所述pH调节剂是从盐酸、硝酸、醋酸及CO2中选出的一种或两种以上。
4.如权利要求2或3所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，
所述氧化还原电位调节剂是从草酸、硫化氢、碘化钾、氢气中选出的一种或两种以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，...
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