pH、氧化还原电位调节水的制造装置制造方法及图纸

pH及氧化还原电位调节水的制造装置(1)在超纯水(W)的供给线(2)设置有铂族金属负载树脂柱(3)，在其后段配备了pH调节剂注入装置(4A)和根据需要而设的氧化还原电位调节剂注入装置(4B)。在该装置(4A)、(4B)的后段，膜式脱气装置(6)连通着排出线(9)。在该排出线(9)的中途设有pH计(10A)和ORP计(10B)，上述pH计(10A)及ORP计(10B)连接着控制装置(11)。然后，根据pH计(10A)及ORP计(10B)的测量结果，控制pH调节剂注入装置4A和氧化还原电位调节剂注入装置(4B)的注入量。根据所述pH及氧化还原电位调节水的制造装置，能通过准确地调节pH及氧化还原电位从而使有钨等铬族元素暴露的半导体晶片的带电、腐蚀溶解的程度最小化。

Manufacturing device for regulating water pH and redox potential

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】pH、氧化还原电位调节水的制造装置
本专利技术涉及在电子工业领域等中使用的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，特别涉及能使有钨等铬族元素暴露的半导体晶片的带电、腐蚀溶解的程度最小化的pH、氧化还原电位调节水的制造装置。
技术介绍
在LSI等的电子部件的制造工序中，会反复进行对具有微细结构的被处理体进行处理的工序。另外，进行以去除晶片、基板等处理体表面附着的微粒、有机物、金属、自然氧化皮膜等为目的的洗涤，达到并维持高度的清洁度，这对保持产品的品质、提高成品率很重要。众所周知，对于在该洗涤后的漂洗工序中使用的超纯水而言，其纯度越高则比电阻值越高，但是存在的问题是：由于使用比电阻值高的超纯水，所以洗涤时容易产生静电，会招致绝缘膜的静电击穿、微粒的再附着。因此，近年来，通过将在超纯水中溶解了碳酸气体、氨等而成的稀药液作为漂洗水进行pH调节，降低静电来努力解决上述问题。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，存在的问题是：由于超纯水中微量地含有在其制造过程中生成的过氧化氢，所以在对晶片表面的一部分面或整个面有过渡金属特别是钨、钼等铬族元素暴露的晶片进行洗涤的情况下，会发生暴露出来的铬族元素的腐蚀溶解从而使半导体性能下降。另外，将在超纯水中溶解了碳酸气体、氨而成的稀药液作为漂洗水时，也难以解决以下问题：在对上述有铬族元素暴露的晶片进行洗涤的情况下，暴露出来的铬族元素被腐蚀。因此，本专利技术人对在晶片等洗涤中因漂洗水而导致暴露出来的过渡金属发生腐蚀的主要原因进行了探讨，结果知道了不仅漂洗水的pH而且氧化还原电位也很大程度地影响过渡金属的腐蚀。因此，对于有钨、钼等铬族元素的过渡金属暴露的晶片的洗涤水，希望能根据作为其洗涤对象的过渡金属准确地调节pH和氧化还原电位，但是，一直以来却没有能准确地调节两者的稀释药液的制造装置。本专利技术是鉴于上述课题而完成的，目的是提供一种能准确地调节pH及氧化还原电位且能使有钨等铬族元素暴露的半导体晶片的带电、腐蚀溶解程度最小化的高纯度的pH、氧化还原电位调节水的制造装置。解决课题的技术方案鉴于上述目的，本专利技术提供一种pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其是在超纯水中添加pH调节剂和氧化还原电位调节剂来制造有预期的pH及氧化还原电位的调节水的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，超纯水供给线依次设置有过氧化氢去除机构和pH调节剂注入装置，所述pH调节剂注入装置的后段具备pH测量机构及氧化还原电位测量机构，所述pH、氧化还原电位调节水的制造装置具有控制机构，所述控制机构根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述pH调节剂注入装置中的pH调节剂的添加量(专利技术1)。根据上述专利技术(专利技术1)，通过从超纯水供给线将超纯水通入过氧化氢去除机构，从而通过去除超纯水中微量含有的过氧化氢来使氧化还原电位下降，接着，以成为预期的pH的方式添加pH调节剂来制备pH、氧化还原电位调节水后，基于pH测量机构及氧化还原电位测量机构的测定结果，通过控制机构控制pH调节剂的添加量，以使pH及氧化还原电位不会对钨、钼等铬族元素的过渡金属产生腐蚀，从而能够消除原水中的溶解过氧化氢的影响，制造有预期的pH及氧化还原电位的调节水。在上述专利技术(专利技术1)中，优选的是，在所述过氧化氢去除机构的后段且所述pH调节剂注入装置的前段或后段具有氧化还原电位调节剂注入装置，所述控制机构能够根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述氧化还原电位调节剂注入装置中的氧化还原电位调节剂的添加量(专利技术2)。根据上述专利技术(专利技术2)，在根据氧化还原电位测量机构的测定值的测定结果而利用过氧化氢去除机构仅去除过氧化氢而没有成为预期的氧化还原电位的情况下，能够通过由氧化还原电位调节剂注入装置注入氧化还原电位调节剂来调节氧化还原电位。在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选的是，所述pH调节剂是从盐酸、硝酸、醋酸及CO2中选出的一种或两种以上(专利技术3)。根据上述专利技术(专利技术3)，能够将pH、氧化还原电位调节水的pH调节至酸性侧。在上述专利技术(专利技术2、3)中，优选的是，所述氧化还原电位调节剂是从草酸、硫化氢、碘化钾、氢气中选出的一种或两种以上(专利技术4)。根据上述专利技术(专利技术4)，能够通过适当地选择氧化还原电位调节剂，调节至使pH、氧化还原电位调节水的氧化还原电位下降的一侧。在上述专利技术(专利技术1～4)中，优选的是，所述pH调节剂为液体，所述pH调节剂注入装置为泵或使用了密闭罐和非活性气体的加压机构(专利技术5)。根据上述专利技术(专利技术5)，能够稳定地控制作为液体的pH调节剂及氧化还原电位调节剂的微量添加，进而以预期的pH及氧化还原电位制造高纯度的调节水。在上述专利技术(专利技术2～5)中，优选的是，所述氧化还原电位调节剂为液体，所述氧化还原电位调节剂注入装置是泵或使用了密闭罐和非活性气体的加压机构(专利技术6)。根据上述专利技术(专利技术6)，能够稳定地控制作为液体的氧化还原电位调节剂的微量添加，能够以预期的氧化还原电位制造高纯度的调节水。在上述专利技术(专利技术1～6)中，优选的是，所述pH调节剂为气体，所述pH调节剂注入装置为气体透过性膜组件或气液直接接触装置(专利技术7)。根据上述专利技术(专利技术7)，能够稳定地控制作为气体的pH调节剂的微量添加，进而能够以预期的pH制造高纯度的调节水。在上述专利技术(专利技术2～7)中，优选的是，所述氧化还原电位调节剂为气体，所述氧化还原电位调节剂注入装置为气体透过性膜组件或气液直接接触装置(专利技术8)。根据上述专利技术(专利技术8)，能够稳定地控制作为气体的氧化还原电位调节剂的微量添加，进而能够以预期的氧化还原电位制造高纯度的调节水。在上述专利技术(专利技术1～8)中，优选的是，在所述pH调节剂注入装置的后段设置溶解氧去除装置(专利技术9)。根据上述专利技术(专利技术9)，能够利用溶解氧去除装置有效地脱除pH、氧化还原电位调节水中溶解的氧等溶解气体，从而使得到的pH、氧化还原电位调节水的溶解氧的浓度降低，因此，能够制造反映出预期的pH及氧化还原电位的高纯度的调节水。在上述专利技术(专利技术1～9)中，优选的是，制造pH为0～5且氧化还原电位为0～1.0V的pH、氧化还原电位调节水(专利技术10)。根据上述专利技术(专利技术10)，能够使装置通过在上述范围内调节pH、氧化还原电位来制造出对于有作为洗涤对象的钨等铬族元素暴露的半导体晶片等适宜的调节水。进一步，在上述专利技术(专利技术1～10)中，优选的是，所述pH、氧化还原电位调节水用于洗涤至少一部分有过渡金属暴露的半导体材料(专利技术11)。特别适合于所述过渡金属为铬族元素的情况(专利技术12)。根据上述专利技术(专利技术11、12)，由于能够根据暴露出来的钨等铬族元素等过渡金属的种类，调节成具有能抑制该过渡金属的腐蚀的pH及氧化还原电位的pH、氧化还原电位调节水，所以很适合洗涤有这些过渡金属暴露的半导体材料。专利技术效果根据本专利技术的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，首先去除超纯水中微量含有的过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其是在超纯水中添加pH调节剂和氧化还原电位调节剂来制造具有预期的pH及氧化还原电位的调节水的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，/n超纯水供给线依次设置有过氧化氢去除机构和pH调节剂注入装置，/n在所述pH调节剂注入装置的后段具备pH测量机构及氧化还原电位测量机构，/n所述pH、氧化还原电位调节水的制造装置具有控制机构，该控制机构根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述pH调节剂注入装置中的pH调节剂的添加量。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180227 JP 2018-0336561.一种pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其是在超纯水中添加pH调节剂和氧化还原电位调节剂来制造具有预期的pH及氧化还原电位的调节水的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，
超纯水供给线依次设置有过氧化氢去除机构和pH调节剂注入装置，
在所述pH调节剂注入装置的后段具备pH测量机构及氧化还原电位测量机构，
所述pH、氧化还原电位调节水的制造装置具有控制机构，该控制机构根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述pH调节剂注入装置中的pH调节剂的添加量。


2.如权利要求1所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，
在所述过氧化氢去除机构的后段且所述pH调节剂注入装置的前段或后段具有氧化还原电位调节剂注入装置，所述控制机构能根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述氧化还原电位调节剂注入装置中的氧化还原电位调节剂的添加量。


3.如权利要求1或2所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，
所述pH调节剂是从盐酸、硝酸、醋酸及CO2中选出的一种或两种以上。


4.如权利要求2或3所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，
所述氧化还原电位调节剂是从草酸、硫化氢、碘化钾、氢气中选出的一种或两种以上。


5.如权利要求1～4中任一项所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜畅子，
申请(专利权)人：栗田工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP