覆金属层叠板、电路基板、多层电路基板及其制造方法技术

技术编号:24104692 阅读:37 留言:0更新日期:2020-05-09 15:41
本发明专利技术提供一种覆金属层叠板、电路基板、多层电路基板及其制造方法。提供的导体电路的尺寸稳定性优异、且包括即便在高频信号的传输中也可实现传输损耗的减低的粘接层的多层电路基板。电路基板(101)包括:绝缘树脂层(10);导体电路层(50),层叠于绝缘树脂层(10)的其中一面;以及粘接层(30),层叠于绝缘树脂层(10)的其中另一面。多层电路基板(200)是通过如下方式制造:将第一个电路基板(101)的粘接层(30)以与第二个电路基板(101)的导体电路层(50)相向的方式重叠配置,且将第二个电路基板(101)的粘接层(30)以与不具有粘接层(30)的任意的电路基板(110)的导体电路层(50)相向的方式重叠配置,并将这些一并压接。

Metal clad laminates, circuit substrates, multilayer circuit substrates and their manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
覆金属层叠板、电路基板、多层电路基板及其制造方法
本专利技术涉及一种覆金属层叠板及电路基板以及具有层叠为多层的导体电路层的多层电路基板及其制造方法。
技术介绍
近年来,随着电子机器的高密度化、高功能化的进展,要求具有进一步的尺寸稳定性或优异的高频特性的电路基板材料。尤其是,对于高速信号处理所需要的有机层间绝缘材料的特性而言,重要的是低介电常数化、低介电损耗化。为了应对高频化,提出有将以低介电常数、低介电损耗正切为特征的液晶聚合物(LiquidCrystalPolymer,LCP)制成电介质层的多层布线板(例如,专利文献1)。将液晶聚合物制成绝缘层的多层布线板是通过如下方式制造:在加热至作为热塑性树脂的液晶聚合物基材的熔点附近的状态下,进行加热压接,因此,容易因液晶聚合物基材的热变形而引起电路导体的位置偏移,并存在如下担忧:阻抗(impedance)不匹配等而对电特性造成不良影响。另外,将液晶聚合物制成基材层的多层布线板在多层粘接界面平滑时,并未显现出锚固效果,层间粘接力不充分,因此,需要对电路导体与液晶聚合物基材的各自的表面进行粗糙化处理,也存在制造工序繁杂的问题点。且说,作为与以聚酰亚胺为主成分的粘接层相关的技术,提出有将交联聚酰亚胺树脂应用于覆盖膜(coverlayfilm)的粘接剂层中,所述交联聚酰亚胺树脂是使以由二聚酸等脂肪族二胺衍生的二胺化合物为原料的聚酰亚胺、与具有至少两个一级氨基作为官能基的氨基化合物反应而获得(例如,专利文献2)。专利文献2的交联聚酰亚胺树脂具有如下优点:不会产生包含环状硅氧烷化合物的挥发成分、具有优异的焊料耐热性、且即便在反复暴露于高温下的使用环境中也不会使布线层与覆盖膜的粘接力降低。但是,专利文献2中,对在高频信号传输中的应用可能性并未进行研究。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2005-317953号公报[专利文献2]日本专利特开2013-1730号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]今后,在多层电路基板中,作为用以实现应对高频信号传输的一个方向性,考虑有:一边维持导体电路的尺寸稳定性,一边增大绝缘树脂层或粘接层的合计厚度,由此实现介电特性的改善。为此,在成为多层电路基板的材料的覆金属层叠板或电路基板中,不仅对于这些的材质而且也对这些的结构要求与以前的多层电路基板不同的设计思想。因此,本专利技术的目的为提供一种导体电路的尺寸稳定性优异、且具有即便在高频信号的传输中也可实现传输损耗的减低的新颖的结构的多层电路基板。[解决问题的技术手段]本专利技术人等人进行努力研究,结果发现,通过使用特定结构的覆金属层叠板作为多层电路基板的材料,而一边维持优异的粘接性一边维持导体电路的尺寸稳定性,同时可应对高频信号的传输,从而完成了本专利技术。即,本专利技术的覆金属层叠板包括:绝缘树脂层;金属层,层叠于所述绝缘树脂层的其中一面;以及粘接层,层叠于所述绝缘树脂层的其中另一面。另外,本专利技术的电路基板包括:绝缘树脂层;导体电路层,形成于所述绝缘树脂层的其中一面;以及粘接层,层叠于所述绝缘树脂层的其中另一面。而且,本专利技术的覆金属层叠板或电路基板中,构成所述粘接层的树脂为热塑性树脂或热硬化性树脂,且满足下述条件(i)~(iii):(i)50℃下的储存弹性模量为1800MPa以下;(ii)自180℃至220℃的温度区域中的储存弹性模量的最大值为800MPa以下;(iii)玻璃化转变温度(Tg)为180℃以下。本专利技术的覆金属层叠板或电路基板中,所述热塑性树脂可为含有四羧酸残基及二胺残基的粘接性聚酰亚胺。所述情况下,所述粘接性聚酰亚胺可相对于所述二胺残基的总量100摩尔份而含有50摩尔份以上的由二聚酸型二胺衍生的二胺残基,所述二聚酸型二胺是二聚酸的两个末端羧酸基经取代为一级氨基甲基或氨基而成。本专利技术的覆金属层叠板可为将所述金属层加工为布线而成的电路基板的材料。本专利技术的覆金属层叠板或电路基板中,所述粘接性聚酰亚胺可相对于所述四羧酸残基的总量100摩尔份而含有合计为90摩尔份以上的由下述通式(1)和/或通式(2)所表示的四羧酸酐衍生的四羧酸残基。[化1]通式(1)中,X表示单键、或选自下式中的二价基,通式(2)中,Y所表示的环状部分表示形成选自4元环、5元环、2元环、7元环或8元环中的环状饱和烃基。[化2]-CO-,-SO2-,-O-,-C(CF3)2-,-COO-或-COO-Z-OCO-所述式中,Z表示-C6H4-、-(CH2)n-或-CH2-CH(-O-C(=O)-CH3)-CH2-,n表示1~20的整数。本专利技术的覆金属层叠板或电路基板中,所述粘接性聚酰亚胺可相对于所述二胺残基的总量100摩尔份而在50摩尔份以上且99摩尔份以下的范围内含有由所述二聚酸型二胺衍生的二胺残基,并且,可在1摩尔份以上且50摩尔份以下的范围内含有由选自下述通式(B1)~通式(B7)所表示的二胺化合物中的至少一种二胺化合物衍生的二胺残基。[化3]式(B1)~式(B7)中,R1独立地表示碳数1~2的一价烃基或烷氧基,连结基A独立地表示选自-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO2-、-COO-、-CH2-、-C(CH3)2-、-NH-或-CONH-中的二价基,n1独立地表示0~4的整数;其中,自式(B3)中去除与式(B2)重复的部分,自式(B5)中去除与式(B4)重复的部分。本专利技术的多层电路基板是层叠多个电路基板而成,包含至少一个以上的所述任一电路基板作为所述电路基板。本专利技术的第一观点的多层电路基板的制造方法可包括:准备多个电路基板的工序,所述电路基板包括绝缘树脂层、形成于所述绝缘树脂层的其中一面的导体电路层、以及层叠于所述绝缘树脂层的其中另一面的粘接层;以及将一个所述电路基板的所述导体电路层、与另一个所述电路基板的所述粘接层以相向的方式重叠压接的工序。本专利技术的第二观点的多层电路基板的制造方法可包括:准备多个电路基板的工序,所述电路基板包括绝缘树脂层、形成于所述绝缘树脂层的其中一面的导体电路层、以及层叠于所述绝缘树脂层的其中另一面的粘接层;以及将一个所述电路基板的所述粘接层、与另一个所述电路基板的所述粘接层以相向的方式重叠压接的工序。[专利技术的效果]本专利技术的覆金属层叠板为在绝缘树脂层的单面具有金属层、且在绝缘树脂层的另一单面具有粘接层的结构,因此,可通过进行层叠而容易地制造多层电路基板,作为多层电路基板的材料而有用。另外,在使用覆金属层叠板制造多层电路基板的情况下,可一边维持导体电路的尺寸稳定性,一边确保对于导体电路层的被覆性与密合性,进而确保树脂层整体的厚度。因此,通过使用本专利技术的覆金属层叠板而可获得具有良好的层间连接、且可靠性高的多层电路基板。另外,通过本专利技术的多层电路基板,即便在高频信号的传输中也可减低传输损耗,可实现电子零件的本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种覆金属层叠板,包括:/n绝缘树脂层;/n金属层,层叠于所述绝缘树脂层的其中一面;以及/n粘接层,层叠于所述绝缘树脂层的其中另一面,并且/n构成所述粘接层的树脂为热塑性树脂或热硬化性树脂,且满足下述条件(i)~(iii):/n(i)50℃下的储存弹性模量为1800MPa以下;/n(ii)自180℃至220℃的温度区域中的储存弹性模量的最大值为800MPa以下;/n(iii)玻璃化转变温度为180℃以下。/n

【技术特征摘要】
20181031 JP 2018-2058051.一种覆金属层叠板,包括:
绝缘树脂层;
金属层,层叠于所述绝缘树脂层的其中一面;以及
粘接层,层叠于所述绝缘树脂层的其中另一面,并且
构成所述粘接层的树脂为热塑性树脂或热硬化性树脂,且满足下述条件(i)~(iii):
(i)50℃下的储存弹性模量为1800MPa以下;
(ii)自180℃至220℃的温度区域中的储存弹性模量的最大值为800MPa以下;
(iii)玻璃化转变温度为180℃以下。


2.根据权利要求1所述的覆金属层叠板,其中所述热塑性树脂为含有四羧酸残基及二胺残基的粘接性聚酰亚胺,并且
所述粘接性聚酰亚胺相对于所述二胺残基的总量100摩尔份而含有50摩尔份以上的由二聚酸型二胺衍生的二胺残基,所述二聚酸型二胺是二聚酸的两个末端羧酸基经取代为一级氨基甲基或氨基而成。


3.根据权利要求1所述的覆金属层叠板,其中所述覆金属层叠板为将所述金属层加工为布线而成的电路基板的材料。


4.根据权利要求2所述的覆金属层叠板,其中所述粘接性聚酰亚胺相对于所述四羧酸残基的总量100摩尔份而含有合计为90摩尔份以上的由下述通式(1)和/或通式(2)所表示的四羧酸酐衍生的四羧酸残基:



通式(1)中,X表示单键、或选自下式中的二价基,通式(2)中,Y所表示的环状部分表示形成选自4元环、5元环、2元环、7元环或8元环中的环状饱和烃基;
-CO-,-SO2-,-O-,
-C(CF3)2-,
-COO-或-COO-Z-OCO-
所述式中,Z表示-C6H4-、-(CH2)n-或-CH2-CH(-O-C(=O)-CH3)-CH2-,n表示1~20的整数。


5.根据权利要求2所述的覆金属层叠板,其中所述粘接性聚酰亚胺相对于所述二胺残基的总量100摩尔份而在50摩尔份以上且99摩尔份以下的范围内含有由所述二聚酸型二胺衍生的二胺残基,且
在1摩尔份以上且50摩尔份以下的范围内含有由选自下述通式B1~通式B7所表示的二胺化合物中的至少一种二胺化合物衍生的二胺残基:



式B1~式B7中,R1独立地表示碳数1~6的一价烃基或烷氧基,连结基A独立地表示选自-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO2-、-COO-、-CH2-、-C(CH3)2-、-NH-或-CONH-中的二价基,n1独立地表示0~4的整数;其中,自式B3中去除与式B2重复的部分,自式B5中去除与式B4重复的部分。


6.一种电路基板,包括:
绝缘树脂层;
导体电路层,形成于所述绝缘树脂层的其中一面;以及
粘接层,层叠于所述绝缘树脂层的其中另一面,并且所述电路基板中,
构成所述粘接层的树脂为热塑性树脂或热硬化性树脂,且满足下述条件(i)~(iii):
(i)50℃下的储存弹性模...

【专利技术属性】
技术研发人员:铃木智之须藤芳树安藤智典
申请(专利权)人:日铁化学材料株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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