本实用新型专利技术公开了一种二极管取样过热保护功放电路，由压控增益前置放大器、末级功放和温度取样电路组成。温度取样采用硅整流二极管，二极管的负极焊接在被保护功放管的集电极引脚基部，正极与压控增益前置放大器的压控输入端相连通。当被保护功放管温度过高时，焊接在集电极引脚基部的取样二极管，就会因过热产生漏电电流，漏电电流通过压控增益前置放大器的压控输入端，将功放的输出功率下调，限制功放管的温度继续上升，从而保护功放管的安全。
A diode sampling overheat protection power amplifier circuit
【技术实现步骤摘要】
一种二极管取样过热保护功放电路
本技术属于功放电路过热保护电路领域，具体涉及一种二极管取样过热保护功放电路。
技术介绍
现在使用的音频大功率、超动态功放，其过热保护一般是通过自动电平控制ALC电路来实现的。通过自动电平控制ALC电路控制的功放，当环境温度过高或负载短路时，常常因功放管过热而损坏。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种二极管取样过热保护功放电路，解决了现有技术中音频大功率、超动态功放的功放管常因过热容易损坏的问题。本技术为解决上述技术问题采用以下技术方案：一种二极管取样过热保护功放电路，包括压控增益前置放大器、末级功放，还包括温度取样电路，该温度取样电路用于当待保护功放管的温度升高时，将电流采样返回至压控增益前置放大器的压控输入端，调节压控增益前置放大器的增益，控制功放管的输出功率。温度取样电路包括两个二极管、一个电阻和一个电容，其中一个二极管的阴极与压控增益前置放大器的压控输入端连接，另一个二极管的阴极与末级功放待保护功放管集电极连接，两个二极管的阳极之间连接电阻；与压控输入端连接的二极管阳极与地之间连接电容。与功放管连接的二极管为硅整流二极管。硅整流二极管的阴极直接锡焊在功放管集电极引脚的基部。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：1、与现有普通ALC功放相比，由于增加了专用的过热保护电路，当环境温度过高或负载短路时，功放管不会因过热而导致损坏。2、所采用的温度取样元件是硅整流二极管，和被保护的硅功放三极管同属硅材质半导体器件，两者的物理特性相同一致性好，过热保护稳定可靠。附图说明图1为本技术二极管取样过热保护功放的电路原理图。具体实施方式下面结合附图对本技术的结构及工作过程作进一步说明。本技术的目的是提出一种二极管取样过热保护功放，以确保音频大功率、超动态功放，在环境温度过高或负载短路时，功放管不会因过热而导致损坏，提高功放的安全性。一种二极管取样过热保护功放电路，包括压控增益前置放大器、末级功放，还包括温度取样电路，该温度取样电路用于当待保护功放管的温度升高时，将电流采样返回至压控增益前置放大器的压控输入端，调节压控增益前置放大器的增益，控制功放管的输出功率。温度取样电路包括两个二极管、一个电阻和一个电容，其中一个二极管的阴极与压控增益前置放大器的压控输入端连接，另一个二极管的阴极与末级功放待保护功放管集电极连接，两个二极管的阳极之间连接电阻；与压控输入端连接的二极管阳极与地之间连接电容。与功放管连接的二极管为硅整流二极管，硅整流二极管的阴极直接锡焊在功放管集电极引脚的基部。具体实施例，如图1所示，一种二极管取样过热保护功放电路，包括压控增益前置放大器、末级功放和温度取样电路，压控增益前置放大器将来自输入端J1的音频信号放大后，经输出端J2送往末级功放，J3是压控增益放大器的压控输入端；末级功放主要由三极管Q1至Q11组成，将来自压控增益前置放大器输出端J2的音频信号放大后经电容器C8送往扬声器；温度取样电路将温度取样信号送至压控增益放大器压控输入端J3。压控增益前置放大器和末级功放电路同现有放大电路技术相同，本电路与现有技术的不同之处在于增加了温度取样电路，温度取样电路包括两个二极管，分别为二极管D2和硅整流二极管D3，一个电阻R2和一个电容C2，其中，二极管D2的阴极与压控增益前置放大器的压控输入端J3连接，硅整流二极管D3的阴极直接锡焊在末级功放待保护功放管Q3的集电极引脚的基部，进行温度取样，二极管D2的阳极和硅整流二极管D3的阳极之间连接电阻R2；二极管D2的阳极与地之间连接电容C2。该电路的工作原理及工作过程如下：温度取样硅整流二极管D3工作在反向状态，当功放管Q3温度正常时，其反向漏电流几乎为零，压控增益放大器压控输入端J3的自动温度控制ATC信号电压为零，其增益不受温度控制。当功放管Q3因环境温度过高或负载短路引起过热时，温度取样硅整流二极管D3就会因温度升高，内部本征激发加剧，引起反向漏电电流急剧增加。其电流经电阻器R2、二极管D2流入压控增益前置放大器的压控输入端J3，使其增益下调、功放管输出功率下调。从而限制功放管的工作温度继续上升，这样就可以确保功放管工作在既安全又接近极限输出功率之状态。由于被保护功放管的主要功耗在集电结上，而集电结本身就是个PN结，二极管内部也是个PN结，同材质的PN结在物理特性、温度漏电特性、过热损毁等方面都极其相似。PN结在过热损毁之前，其本征激发加剧，漏电电流急剧增加是必然前兆，因此采用二极管取样对功放管进行过热保护，温度起控点自然、合理、妥当、一致性好，其性能稳定，安全可靠，生产中不需调试。以上所述实施例仅表达了本专利技术的优选实施方式，其描述较为具体与详细，但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围和实施例的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，本专利技术作为基础电路所给出的具体电路结构，元器件选择及连接关系仅仅作为说明其原理的优选方式，针对不同的电路应用，可以作出多种参数选择，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种二极管取样过热保护功放电路，包括压控增益前置放大器、末级功放，其特征在于：还包括温度取样电路，该温度取样电路用于当待保护功放管的温度升高时，将电流采样返回至压控增益前置放大器的压控输入端，调节压控增益前置放大器的增益，控制功放管的输出功率。/n
【技术特征摘要】
1.一种二极管取样过热保护功放电路，包括压控增益前置放大器、末级功放，其特征在于：还包括温度取样电路，该温度取样电路用于当待保护功放管的温度升高时，将电流采样返回至压控增益前置放大器的压控输入端，调节压控增益前置放大器的增益，控制功放管的输出功率。
2.根据权利要求1所述的二极管取样过热保护功放电路，其特征在于：温度取样电路包括两个二极管、一个电阻和一个电容，其中一个二极管的阴极与压控增益前...
【专利技术属性】
技术研发人员：段卫斌，毕盈盈，卞京，
申请(专利权)人：中国美术学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。