一种应用于介质波导滤波器中的负耦合结构及介质波导滤波器制造技术

本发明专利技术公开的一种应用于介质波导滤波器中的负耦合结构，包括两个介质谐振器，两个介质谐振器之间连接处设置有耦合结构，该耦合结构包括：一设置在连接处并将两个介质谐振器连接起来的耦合窗，和设置在耦合窗中心部位的小孔或窄缝，以及设置在一个方砖形的介质谐振器的上表面或者下表面上的第一耦合槽和设置在另一个方砖形的介质谐振器的下表面或者上表面上的第二耦合槽，第一耦合槽和第二耦合槽通过耦合窗中心部位的小孔或窄缝连通。本发明专利技术还公开了具有上述负耦合结构的介质波导滤波器。本发明专利技术具有如下特点：1)耦合量可大可小，可以实现弱的负耦合，适合小耦合量的应用场景。2)在滤波器通带一下频段无寄生谐波产生。

A negative coupling structure and dielectric waveguide filter applied to dielectric waveguide filter

【技术实现步骤摘要】
一种应用于介质波导滤波器中的负耦合结构及介质波导滤波器
本专利技术涉及通信设备组件
，具体为一种应用于介质滤波器设计中的负耦合结构(容性耦合)。
技术介绍
随着移动通信技术的发展，小型化、集成化成为通信设备的发展趋势，其中介质波导滤波器以介质谐振器为基础，通过谐振器之间的耦合实现滤波性能，其相比传动的金属腔体滤波器具有体积小、插损低、成本低、易集成化等优势，而为了实现越来越严格的性能要求，如要具有陡峭的过渡带和较低的插入损耗，通常就需要谐振器之间具有负耦合。目前介质波导谐振器之间的负耦合方式主要是在谐振器之间设置盲孔实现，如现有的一种介质波导滤波器如图1所示，其在介质谐振器上包括至少一个负耦合盲孔3，负耦合盲孔3位于介质谐振器1、介质谐振器2连接位置的本体表面，且两种结构要求负耦合盲孔3深度至少是介质谐振器1调谐孔4深度的两倍以上，因此负耦合盲孔底部距离谐振器底面很近，从而形成强倩蓉效应实现负耦合。但是也由于负耦合盲孔深度较深，孔身形成了电感效应，而孔底又形成了电感效应，而孔底又形成电容效应，从而形成了类似串联谐振电路的谐振效应，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于介质波导滤波器中的负耦合结构，包括两个介质谐振器或介质谐振腔，在每一介质谐振器或介质谐振腔的上表面或/和下表面上的中心部位设置有一盲孔，两个介质谐振器或介质谐振腔相邻边之间连接处设置有耦合结构，其特征在于，所述耦合结构包括：/n一设置在连接处并将两个介质谐振器或介质谐振腔相邻边连接起来的耦合窗，和/n设置在所述耦合窗中心部位的小孔或窄缝，以及/n设置在一个方砖形的介质谐振器或介质谐振腔的上表面或者下表面上的第一耦合槽和设置在另一个方砖形的介质谐振器或介质谐振腔的下表面或者上表面上的第二耦合槽，所述第一耦合槽和第二耦合槽通过所述耦合窗中心部位的小孔或窄缝连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于介质波导滤波器中的负耦合结构，包括两个介质谐振器或介质谐振腔，在每一介质谐振器或介质谐振腔的上表面或/和下表面上的中心部位设置有一盲孔，两个介质谐振器或介质谐振腔相邻边之间连接处设置有耦合结构，其特征在于，所述耦合结构包括：
一设置在连接处并将两个介质谐振器或介质谐振腔相邻边连接起来的耦合窗，和
设置在所述耦合窗中心部位的小孔或窄缝，以及
设置在一个方砖形的介质谐振器或介质谐振腔的上表面或者下表面上的第一耦合槽和设置在另一个方砖形的介质谐振器或介质谐振腔的下表面或者上表面上的第二耦合槽，所述第一耦合槽和第二耦合槽通过所述耦合窗中心部位的小孔或窄缝连通。


2.如权利要求1所述的一种应用于介质波导滤波器中的负耦合结构，其特征在于，所述耦合窗为一矩形薄片。


3.如权利要求1所述的一种应用于介质波导滤波器中的负耦合结构，其特征在于，所述第一耦合槽、第二耦合槽、所述耦合窗中心部位的小孔或窄缝连通整体呈“Z”字形状。

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓莹，杨柏桓，
申请(专利权)人：江苏希奥飞尔微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32