一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器及其制作工艺制造技术

本发明专利技术适用于光电隔离器技术领域，提供了一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器及其制作工艺，包括UVC紫外LED光源、砷化铟纳米线和单片机，不仅改进了传统光隔离器中二极管和三极管没有放大能力或者放大的倍数有限的缺点、同时还使增益也得到了大幅度的提升，砷化铟纳米线因为拥有较小的体积，所以使整个装置可靠性更高，整个纳米线装置中，在LED端，用UVC紫外LED作为一个光源，其优点是它的日盲波段在大气层受干扰最小，所以不会误触发整个装置，使得整个光隔离器装置可以更加广泛的运用到各个领，本发明专利技术为纳米线光隔离器的研究提供了一个可行的探索思路，开辟大型设备和大规模工艺线间电路开关的应用前景，促进了光电信息交流。

A UV LED controlled nanowire optical isolator and its fabrication process

【技术实现步骤摘要】
一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器及其制作工艺
本专利技术属于光电隔离器的
，尤其涉及一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器及其制作工艺。
技术介绍
光电隔离器亦称光电耦合器、光耦合器，简称光耦。光耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。光隔离器其特点是高隔离度、低插损；高可靠性、高稳定性；传统的光隔离器仍有很多缺点。在传统的光隔离器中，最开始由二极管光信号接收器，但是二极管并没有放大能力；随着光隔离器的发展，后来用三极管替代二极管作为为光信号接收器，尽管三极管拥有放大能力，可以实现一定的增益，但是三极管的放大能力是十分有限的。此外，用三极管作为接收器的话，会导致电路过于复杂；三极管由于本身耗电过大，需要多个电源去为它供电，导致整个装置不是很稳定。
技术实现思路
本专利技术提供一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器及其制作工艺，旨在解决现有技术存在的问题。请参阅图1-3，本专利技术是这样实现的，一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器，其特征在于：包括UVC紫外LED光源(2)、砷化铟纳米线(3)和单片机(5)；/n所述UV紫外LED光源(2)位于所述砷化铟纳米线(3)的一侧，所述UV紫外LED光源(2)打开时，其射出的光线朝向所述砷化铟纳米线(3)，所述砷化铟纳米线(3)和所述UV紫外LED光源(2)均电连接所述单片机(5)。/n

【技术特征摘要】
1.一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器，其特征在于：包括UVC紫外LED光源(2)、砷化铟纳米线(3)和单片机(5)；
所述UV紫外LED光源(2)位于所述砷化铟纳米线(3)的一侧，所述UV紫外LED光源(2)打开时，其射出的光线朝向所述砷化铟纳米线(3)，所述砷化铟纳米线(3)和所述UV紫外LED光源(2)均电连接所述单片机(5)。


2.如权利要求1所述的一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器，其特征在于：所述单片机(5)包括51单片机、电源、复位电路和晶振电路，所述晶振电路、复位电路均电连接所述51单片机，所述电源用于向所述51单片机、复位电路和所述晶振电路提供电力。


3.如权利要求2所述的一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器，其特征在于：所述51单片机与所述砷化铟纳米线(3)相并联。


4.如权利要求2所述的一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器，其特征在于：还包括外电路，所述外电路与所述51单片机和所述砷化铟纳米线(3)相并联。


5.一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器的制作工艺，其适用于上述权利要求1至4任意一项一种UVC紫外LED控制的纳米线光隔离器，其特征在于：包括以下步骤：
1...

【专利技术属性】
技术研发人员：余晨辉，陈红富，王鑫，赵雪凤，
申请(专利权)人：江苏紫翚光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32